高圧位相制御SCRサイリスタ6500V - シリーズ概要、仕様、データシート

高圧SCRサイリスタ6500Vとは？
位相制御サイリスタ6500Vシリーズ：

ディスク型サイリスタ用空冷・水冷ヒートシンク
パワーディスク型サイリスタの設置に関する推奨事項

高圧SCRサイリスタ6500Vとは？

6500Vディスクサイリスタ は、中電圧ソフトスタータアプリケーションの特別な要件を満たすように設計されています。パワーサイリスタ6.5kVは、高サージ電流耐量用に設計されています。最適化されたスイッチング動作により、直列に接続されたデバイスの数によって異なる動作電圧用にソフトスタータを簡単にスケーリングすることができます。

高圧位相制御サイリスタ SCR 6500V シリーズは、高圧ソフトスタータ、AC モータドライブ、ハイパワーコンバータなどに広く使用されています。

中電圧デバイスの代表的な用途は、鉱山掘削機、ガス・石油ポンプ、冷却ステーション用コンプレッサです。6500V SCR サイリスタ SCR は、MSS 高電圧ソフトスタートモジュールやスタティック・バー・コンペンセータ（SVC）にも使用されます。SCR サイリスタは、電源装置や標準駆動装置など、汎用ライン電圧整流器の用途にも適しています。

ここでは、さまざまなメーカーの高出力6500Vサイリスタの仕様とデータシート、および交換オプションを紹介します。

位相制御SCR（サイリスタ） 6500V は順方向定格電流で利用可能です。 I_TAV の範囲にある 280A への 6800A.

このサイトで紹介しているディスク型サイリスタはすべて、標準的なプレスパック タイプのセラミックハウジングを持っています。サイリスタ端子の電気接点を兼ねたヒートシンクに、比較的強い力で押し込まれます。

SCRサイリスタAS ENERGI^TMには、次のような特長があります V_DRM/V_RRM, 様々な産業での豊富な使用経験、100V～9000Vの電圧範囲、100A～15000Aの電流範囲、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然冷却または強制空冷。

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ディスクケース設計の6500V（6.5kV）高電力位相制御サイリスタシリーズ

SCRサイリスタ6500V Tシリーズ AS ENERGI^TM

大電力位相制御サイリスタ 6500V Tシリーズ AS ENERGI^TM の定格電流で利用可能です。 320A への 2000A. SCRサイリスタを使用する最適な周波数範囲は500Hzまでです。

タイプ	I_T(AV)M (T_ケース)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	V_T0	r_T	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m	W	パッケージ	寸法 ØDxØdxH	データシート
タイプ	A (°C)	V	kA	kA²·s	V	mΩ	µs	°C	°C/W	kN	kg	パッケージ	mm	PDF
サイリスタ 320A
T143-320-65	346 (85)	6500	4.5	100	1.30	1.700	630	125	0.042	14-16	0.28	PT43	60x35x26
T643-320-65	320 (89)	6500	4.0	80	1.338	2.351	800	125	0.035	14-16	0.28	PT43	60x35x26
T743-320-65	320 (79)	6500	4.0	80	1.338	2.351	800	125	0.045	14-16	0.40	T.C5	56x34x35
サイリスタ 500A
T253-500-65	500 (101)	6500	9.5	450	1.27	1.125	800	125	0.018	22-26	0.55	PT53	75x51x26
T353-500-65	588 (85)	6500	9.0	405	1.35	1.200	800	125	0.022	22-26	0.72	PT54	75x51x35
T653-500-65	550 (85)	6500	12	720	1.54	1.300	1000	125	0.022	22-26	0.72	PT54	75x51x35
T853-500-65	500 (98)	6500	9.5	410	1.272	1.125	800	125	0.022	22-26	0.72	PT54	75x51x35
サイリスタ 800A
T653-800-65	800 (79)	6500	10	500	1.269	0.981	630	125	0.018	22-26	0.55	PT53	75x51x26
T953-800-65	685 (85)	6500	10	500	1.269	0.981	630	125	0.022	22-26	0.72	PT54	75x51x35
T163-800-65	910 (85)	6500	15	720	1.30	0.650	1000	125	0.017	30-36	0.60	PT63	87x60x26
サイリスタ 1000A
T173-1000-65	1020 (85)	6500	20	2000	1.40	0.750	500	125	0.012	40-60	1.2	PT73	112x75x26
T273-1000-65	1420 (70)	6500	22	2600	1.30	0.550	1000	125	0.012	40-60	1.2	PT73	112x75x26
サイリスタ 1250A
T173-1250-65	1240 (85)	6500	26	3400	1.30	0.450	1000	125	0.012	40-60	1.2	PT73	112x75x26
サイリスタ 1600A
T183-1600-65	1807 (85)	6500	38	7300	1.25	0.34	1000	125	0.008	60-80	1.8	PT83	120x86x26
T383-1600-65	1740 (85)	6500	35	6200	1.20	0.39	1000	125	0.0080	60-80	2.0	PT84	120x86x35
サイリスタ 2000A
T193-2000-65	2025 (85)	6500	45	10200	1.25	0.42	1000	125	0.0059	80-90	3.0	PT94	147x100x35
T293-2000-65	2377 (85)	6500	54	14700	1.20	0.29	1000	125	0.0058	80-90	3.0	PT94	147x100x35
T393-2000-65	2162 (85)	6500	45	10200	1.25	0.42	1000	125	0.0053	80-90	2.2	PT93	147x98x26

SCRサイリスタ 6500V KPシリーズ AS ENERGI^TM

大電力位相制御サイリスタ 6500V KPシリーズ AS ENERGI^TM は汎用のパワーディスクサイリスタです。サイリスタ KP 6500V の定格電流は次のとおりです。 300A への 6800A.

シリーズ	I_T(AV) (T_C=70°C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	概要	寸法 ØDxØdxH	データシート
シリーズ	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	kg	概要	mm	PDF
KP300-65	350	6500	4.5	101	2000	100	800	125	0.045	15	0.26	A-2	58x34x26
KP400-65	420	6500	4.5	101	2000	100	800	125	0.045	15	0.26	A-2	58x34x26
KP600-65	610	6500	12.1	732	1500	50	1200	125	0.020	22	0.47	A-5	74x47x26
KP700-65	730	6500	11.8	696	2000	100	800	125	0.020	22	0.47	A-5	74x47x26
KP800-65	850	6500	11.8	696	2000	100	800	125	0.020	22	0.47	A-5	74x47x26
KP1000-65	1010	6500	14	980	2000	200	800	125	0.020	22	0.47	A-5	74x47x26
KP1300-65	1360	6500	21.9	2400	2000	200	800	125	0.020	22	0.47	A-5	74x47x26
KP1900-65	1800	6500	32	5000	1000	200	700	125	0.0125	45	1.0	A-8	100x63x26
KP2400-65	2400	6500	40	8000	2000	100	1200	125	0.01	56	1.44	A-9	110x73x26
KP2800-65	2800	6500	45	10130	2000	200	800	125	0.01	56	1.44	A-9	110x73x26
KP3000-65	3070	6500	45	10130	2000	200	800	125	0.008	70	1.3	A-10	120x80x26
KP3400-65	3400	6500	71	25210	2000	200	1000	125	0.008	70	1.3	A-10	120x80x26
KP5700-65	5720	6500	75	34000	1000	250	500	125	0.0045	120	2.8	A-13	170x110x26
KP6800-65	6810	6500	100	58000	1000	200	800	125	0.0045	120	2.8	A-13	170x110x26

SCRサイリスタ6500V ABB Power Grids (Hitachi Energy)

SCRサイリスタ 6500V 5STPシリーズ ABB Power Grids (Hitachi Energy) およびその代替品は、順方向オン状態電流で利用可能である。 I_TAV からの評価 340A への 4300A.

導通状態では、PCTサイリスタの損失は非常に小さいため、非常に大きな電流とエネルギーを効率的に制御できる魅力的なデバイスです。

タイプ	I_T(AV)M (T_C=70°C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	V_T0	r_T	T_{vj max}	R_th(j-c)	R_th(c-h)	F_m ±10%	パッケージ	交換 AS ENERGI^TM	データシート
タイプ	A	V	kA	V	mΩ	ºC	K/kW	K/kW	kN	パッケージ	交換 AS ENERGI^TM	PDF
5STP 03X6500	340	6500	4.7	1.20	2.30	125	45	7.5	10	X	ATP 300-65-X-00
5STP 03D6500	390	6500	4.7	1.20	2.30	125	36	7.5	10	D	ATP 300-65-D-00
5STP 08G6500	730	6500	15.1	1.20	1.046	125	22	4.0	22	G	ATP 800-65-G-00
5STP 08F6500	850	6500	15.1	1.20	1.046	125	17	4.0	22	F	ATP 800-65-F-00
5STP 12K6500	1430	6500	31.5	1.15	0.647	125	11	2.0	50	K	ATP 1200-65-K-00
5STP 18M6500	1830	6500	47.5	1.21	0.431	125	9.0	1.5	70	M	ATP 1800-65-M-00
5STP 26N6500	2880	6500	65.0	1.12	0.29	125	5.7	1.0	90	N	ATP 2600-65-N-00
5STP 40N6500	3780	6500	75.0	1.14	0.255	135	4.8	1.0	90	N	ATP 4000-65-N-00
5STP 42U6500	4300	6500	86.0	1.17	0.181	125	4.0	0.8	135	U	ATP 4200-65-U-00

SCRサイリスタ6500V Infineon Technologies

高性能位相制御ディスクサイリスタ 6500V Infineon と交換可能で、順方向オン状態の電流を利用できる。 I_TAV からの評価 280A への 1620A.

タイプ	I_T(AV)M (T_C=85°C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	V_T0	r_T	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m	パッケージ	交換 AS ENERGI^TM	データシート
タイプ	A	V	A	kA²·s	V	mΩ	ºC	K/kW	kN	パッケージ	交換 AS ENERGI^TM	PDF
T280N65TOF	280	6500	5800	115	1.35	2.800	125	43.0	5-9	T58.27K0	ATD280N65TOF
T570N65TOF	540	6500	10500	442	1.35	1.400	125	21.0	13-23	T75.26K0	ATD570N65TOF
T1060N65TOF	1053	6500	22500	2530	1.35	0.720	125	11.0	27-45	T100.26K0	ATD1060N65TOF
T1081N65TOH	1300	6500	34000	5780	1.18	0.759	125	8.6	36-52	T120.26K	ATD1081N65TOH
T1620N65TOF	1613	6500	32000	5120	1.35	0.430	125	8.1	40-65	T111.26K0	ATD1620N65TOF

SCRサイリスタ6500V Westcode (IXYS UK Westcode, Littelfuse Technology)

SCRサイリスタ6500V Littelfuse Technology (Westcode Semiconductors), 別名：中電圧サイリスタ IXYS WESTCODE, の電流定格で入手可能である 450A まで 3745A.

これらのデバイスは導通損失が低くなるように最適化されており、主にライン周波数が400Hzまでのアプリケーションを対象としている。

タイプ	I_T(AV)M (T_C=55°C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	t_q	V_T0	r_T	T_{vj max}	R_th(j-c)	ケース	寸法 ØDxØdxH	交換 AS ENERGI^TM	データシート
タイプ	A	V	A	A²·s	µs	V	mΩ	ºC	K/W	ケース	mm	交換 AS ENERGI^TM	PDF
K0445LG650	450	6500	6400	200x10³	700-1000	1.560	2.270	125	0.0380	W56	58x34x35	ATDK0445LG650
K0500LC650	500	6500	6400	200x10³	700-1000	1.560	2.270	125	0.0320	W10	58x34x27	ATDK0500LC650
K0560QE650	575	6500	7700	296x10³	1000-1100	1.460	1.750	125	0.0310	W76	60x38x35	ATDK0560QE650
K0625QA650	640	6500	7700	296x10³	1000-1100	1.460	1.750	125	0.0260	W75	60x38x26	ATDK0625QA650
K0900ME650	1010	6500	12600	794x10³	850-1150	1.610	0.900	125	0.0180	W78	75x50x35	ATDK0900ME650
K1000MA650	1000	6500	12500	781x10³	700-1000	1.390	0.860	125	0.0200	W77	75x50x26	ATDK1000MA650
K1000ME650	1000	6500	12500	781x10³	700-1000	1.390	0.860	125	0.0200	W78	75x50x35	ATDK1000ME650
K1010MA650	1130	6500	12600	794x10³	850-1150	1.610	0.900	125	0.0150	W77	75x50x26	ATDK1010MA650
K1495HE650	1495	6500	21800	2.38x10⁶	1200-1500	1.496	0.606	125	0.0125	W80	100x66x35	ATDK1495HE650
K1670HA650	1670	6500	21800	2.38x10⁶	1200-1500	1.496	0.606	125	0.0105	W79	100x66x26	ATDK1670HA650	-
K2085TE650	2145	6500	33000	5.45x10⁶	1450-1800	1.260	0.410	125	0.0095	W82	112x75x35	ATDK2085TE650
K2325TJ650	2380	6500	33000	5.45x10⁶	1450-1800	1.260	0.410	125	0.0080	W81	112x75x26	ATDK2325TJ650
K2359TC650	2359	6500	27000	3.65x10⁶	1100-1500	1.391	0.360	115	0.0085	W14	112x75x26	ATDK2359TC650
K2359TD650	2359	6500	27000	3.65x10⁶	1100-1500	1.391	0.360	115	0.0085	W51	112x75x35	ATDK2359TD650
K2973FC650	2973	6500	35400	6.27x10⁶	1100-1500	1.581	0.207	115	0.0065	W15	144x100x36	ATDK2973FC650
K2973FD650	2973	6500	35400	6.27x10⁶	1100-1500	1.581	0.207	115	0.0065	W48	150x100x26	ATDK2973FD650
K3745EA650	3745	6500	35400	6.26x10⁶	1500-1800	1.320	0.270	125	0.0050	W107	124x85x26	ATDK3745EA650

SCRサイリスタ 6500V Dynex Semiconductor

Dynex 位相制御サイリスタ6500V DCRシリーズの電流定格で入手可能である。 490A up to 4660A. 高い過負荷耐量により、サイリスタはヒューズレスアプリケーションに適しています。スイッチング損失が小さいライン周波数で動作する位相制御サイリスタの低い伝導損失は、システム効率を高めます。

タイプ	I_T(AV)M (T_C=60°C)	V_DRM V_RRM	I_TSM	dv/dt	di/dt	R_th(j-c)	F_m	ケース	寸法 ØDxØdxH	交換 AS ENERGI^TM	データシート
タイプ	A	V	kA	V/µs	A/µs	ºC/kW	kN	ケース	mm	交換 AS ENERGI^TM	PDF
サイリスタ up to 6500V
DCR490J65	490	6500	6.6	1500	200	38	10 - 13	J	57x33.95x35.15	ATCR490J65
DCR590G65	595	6500	6.6	1500	200	27	10 - 13	G	58.5x34x27.1	ATCR590G65
DCR820N65	820	6500	12	1500	200	22	20 - 25	N	73x47x35.15	ATCR820N65
DCR890F65	894	6500	12	1500	200	18	20 - 25	F	73x47x27.1	ATCR890F65
DCR1570L65	1568	6500	22	1500	300	12	33 - 41	L	98.9x62.85x35.2	ATCR1570L65
DCR1650C65	1650	6500	22	1500	300	10	33 - 41	C	98.9x62.9x27.1	ATCR1650C65
DCR2220Y65	2220	6500	30	1500	300	8	48 - 59	Y	112.5x73x35.73	ATCR2220Y65
DCR2290V65	2290	6500	30	1500	500	7	48 - 59	V	110x73x27.95	ATCR2290V65
DCR2880B65	2840	6500	38.9	1500	300	7	68 - 84	B	120x84.6x35.3	ATCR2880B65
DCR2950W65	2940	6500	38.9	1500	300	6	68 - 84	W	120x84.6x28	ATCR2950W65
DCR3220A65	3220	6500	43	2000	500	6	74 - 91	A	148x100x35.9	ATCR3220A65
DCR3480M65	3480	6500	43	2000	500	5	74 - 91	M	148x100x26.5	ATCR3480M65
サイリスタ up to 6500V - Low Conduction Loss
DCR3360A65	3360	6500	44.7	2000	500	6	74 - 91	A	148x100x35.9	ATCR3360A65
DCR3620M65	3620	6500	44.7	2000	500	5	74 - 91	M	148x100x26.5	ATCR3620M65
DCR4660H65	4660	6500	69.1	2000	500	4	120 - 155	H	170x115x35.7	ATCR4660H65
サイリスタ up to 6500V - Low Switching Loss
DCR3120A65	3120	6500	41.5	2000	500	6	74 - 91	A	148x100x35.9	ATCR3120A65
DCR3370M65	3370	6500	41.5	2000	500	5	74 - 91	M	148x100x26.5	ATCR3370M65
DCR4420H65	4420	6500	64.6	2000	500	4	120 - 155	H	170x115x35.7	ATCR4420H65

ディスク型サイリスタ用空冷・水冷ヒートシンク

大電流、高逆電圧での半導体デバイスの動作は、シリコンチップのpn接合における高電力を伴う。

パワーSCRサイリスタの冷却には、空気と水のヒートシンクが使用されます。

ヒートシンクは、放熱量と冷却面の面積によって特徴付けられ、サイリスタの動作電力における必要な放熱量に基づいて選択されます。

ディスク型サイリスタでは、ヒートシンクと組み合わされた場合にのみ、必要なプレスコンタクトの圧縮が行われます。

電気的損失を最小限に抑え、放熱を最大にするためには、組み立て時に必要なクランプ力Fmを与えなければならない。

サイリスタ軸力Fm、すなわちサイリスタ圧縮力の値の範囲は、パッケージ径（ハウジングタイプ）によって10～100kNであり、データシートに規定されています。

ヒートシンクは、ディスク型（タブレット型）半導体に使用され、接触面の直径は、以下のとおりです。 Ø19 mm への Ø100 mm.

ディスク型SCRサイリスタ用ヒートシンクの詳細については、こちらを参照してください：
"空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ".

パワーディスク型サイリスタの設置に関する推奨事項

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルク（クランプ力）によって確保されます。

組み立てる前に、目視検査 (1)接触面に機械的な損傷がないか、(2)アルコール（トルエン、ガソリン、アセトン）を染み込ませて拭く必要があります。

検査後、現在の接点（リード線）を修正し、構造のアライメントを修正するためにピンを取り付けます。

熱伝導のパラメーターを改善するには、潤滑することをお勧めします (3)取り付けの必須条件ではありませんが、組み立ての前にシリコーン熱伝導性ペーストの薄い層。

サイリスタ(3)、クーラーの2番目の部分、グラスファイバー製インシュレーター、スラストワッシャーを取り付けます。

トラバース (4)を通し、ナットを均等に締める。接触面にミスアライメントや不均等がないことを確認してください。

部品が十分にクランプされているが移動可能な場合は、クーラーを平らな面に置き、面の全体的な隣接面の平行度の公差をチェックすることをお勧めします(5)。

各ナットを順番に（約1/4回転）ストップ(6)にクランプする。トラバースのたわみ量によって、達成されたクランプ力が要求されたものに対応するかどうかが決まる。

取り付け後、ファスナー（ナットとワッシャー）を腐食から保護する必要があります。

パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項：

パワーサイリスタは、すべてのパラメータについて、その限界負荷で長時間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決定される。

故障した電源サイリスタを、交換するサイリスタのパラメータに適合するサイリスタと交換する。

周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。

適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを取り除くことを推奨します。

並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しくするために、誘導分流器（多くの場合、撚りトロイダル線）を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。

電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アンバランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続することで、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。

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AS ENERGI^TM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

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当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール（サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT）、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。

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