高速スイッチングサイリスタ IXYS WESTCODE 交換用

高速ターンオフサイリスタとしても知られる高速スイッチングサイリスタは、低スイッチング損失と高い di/dt 性能を保証します。 高速スイッチングサイリスタは、既存のインバータ、DCチョッパードライブ、UPS、パルス電源アプリケーションに適しています。

サイリスタATDP AS ENERGITM は、高速スイッチングサイリスタIXYS UK Westcode、Littelfuse Technology、旧Westcode Semiconductorsのアナログ代替品です。

"ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ" サイリスタ冷却用も注文可能。

高速スイッチングサイリスタの部品番号ガイド

youtubeビデオ 高出力ディスクサイリスタのレビュー

icon AS ENERGITM 半導体製造リファレンス

高速スイッチングサイリスタ(高速ターンオフのカプセル型サイリスタ)は、400Vから1200Vまで、電流は295Aから1007Aまで、ターンオフ時間tqは10μsから30μsまであります。

サイリスタには業界標準のセラミック製ハウジングがあ り、既存の機器への組み込みが容易です。このサイリスタには、圧力接点付きのディスク ハウジングがあります。サイリスタの極性はケースのアイコンで決まります。サイリスタの技術仕様、品番ガイド、データシート PDF、外形図を以下に示します。

サイリスタAS ENERGITMには次のような特長があります:低い静的損失と動的損失、高い値のVDRM/VRRM、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲と10~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然空冷または強制空冷。

サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する際、必要に応じ技術パ スポートと適合証明書を発行します。

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高速スイッチングサイリスタの最終価格は、電圧ク ラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払 形態によって異なります。

高速スイッチングサイリスタ IXYS WESTCODE の一般仕様と代替品

タイプ VDRM
VRRM
IT(AV)M
(TC=55°C)
ITSM I2t tq VT0 rT Tvj max RthJK ケース 寸法
ØDxØdxH
交換
AS ENERGITM
データシート
V A A A2·s µs V mΩ ºC K/W mm PDF
P0295WC12D 1200 295 2700 36.5x103 20 1.600 1.230 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0295WC12D
P0295WC12E 25 ATDP0295WC12E
P0327WC08C 800 327 3250 63.9x103 15 1.550 0.870 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0327WC08C
P0327WC08D 20 ATDP0327WC08D
P0327WC08E 25 ATDP0327WC08E
P0327WC08F 30 ATDP0327WC08F
P0327WC12C 1200 327 3250 63.9x103 15 1.550 0.870 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0327WC12C
P0327WC12D 20 ATDP0327WC12D
P0327WC12E 25 ATDP0327WC12E
P0327WC12F 30 ATDP0327WC12F
P0366WC04A 400 366 4700 110x103 10 1.400 0.670 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0366WC04A
P0366WC04B 12 ATDP0366WC04B
P0366WC04C 15 ATDP0366WC04C
P0366WC06A 600 366 4700 110x103 10 1.400 0.670 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0366WC06A
P0366WC06B 12 ATDP0366WC06B
P0366WC06C 15 ATDP0366WC06C
P0366WC08A 800 366 4700 110x103 10 1.400 0.670 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0366WC08A
P0366WC08B 12 ATDP0366WC08B
P0366WC08C 15 ATDP0366WC08C
P0367WC12E 1200 367 3600 64.8x103 25 1.170 0.920 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0367WC12E
P0367WC12F 30 ATDP0367WC12F
P0389WC04B 400 389 5000 125x103 12 1.050 0.880 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0389WC04B
P0389WC04C 15 ATDP0389WC04C
P0389WC08B 800 389 5000 125x103 12 1.050 0.880 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0389WC08B
P0389WC08C 15 ATDP0389WC08C
P0515WC04B 400 515 6500 211x103 12 0.950 0.377 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0515WC04B
P0515WC04C 15 ATDP0515WC04C
P0515WC04D 20 ATDP0515WC04D
P0515WC06B 600 515 6500 211x103 12 0.950 0.377 125 0.0950 W8 42x19x14 ATDP0515WC06B
P0515WC06C 15 ATDP0515WC06C
P0515WC06D 20 ATDP0515WC06D
P0838LC06B 600 1110 12300 750x103 12 1.200 0.280 125 0.0320 W10 58x34x27 ATDP0838LC06B
P0838LC06C 15 ATDP0838LC06C
P0838LC08B 800 1110 12300 750x103 12 1.200 0.280 125 0.0320 W10 58x34x27 ATDP0838LC08B
P0838LC08C 15 ATDP0838LC08C
P0848YC04B 400 848 8750 383x103 12 1.010 0.305 125 0.0500 W58 42x25x14 ATDP0848YC04B
P0848YC04C 15 ATDP0848YC04C
P0848YC06B 600 848 8750 383x103 12 1.010 0.305 125 0.0500 W58 42x25x14 ATDP0848YC06B
P0848YC06C 15 ATDP0848YC06C
P1007LC08D 800 1007 9500 451x103 20 1.509 0.265 125 0.0320 W10 58x34x27 ATDP1007LC08D
P1007LC08E 25 ATDP1007LC08E
P1007LC08F 30 ATDP1007LC08F
P1007LC12D 1200 1007 9500 451x103 20 1.509 0.265 125 0.0320 W10 58x34x27 ATDP1007LC12D
P1007LC12E 25 ATDP1007LC12E
P1007LC12F 30 ATDP1007LC12F

高速スイッチングサイリスタの図面(外形)とハウジングの寸法:

パッケージタイプ 取り付け力 Fm 寸法 ØDxØdxH 重量
WC W8 4 - 6 kN 42x19x14 mm 0.07 kg
LC W10 10 - 20 kN 58x34x27 mm 0.34 kg
YC W58 5 - 9 kN 42x25x14 mm 0.09 kg

高速スイッチングサイリスタの部品番号ガイド:

A TDP 0515 WC 06 D
A brand AS ENERGITM
TDP 製品グループ 高速スイッチングサイリスタ(ディスクタイプ).
0515 平均オン電流 IT(AV), Amp.
WC ハウジング(パッケージ)タイプ.
06 電圧コード VRRM / 100.
D オフタイムコード tq:
A = 10 μs, B = 12 μs, C = 15 μs, D = 20 μs, E = 25 μs, F = 30 μs.

ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。



ハイパワー・ディスクサイリスタの写真:


パワーサイリスタの設置に関する推奨事項:

ヒートシンク付きディスクサイリスタの組み立て

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルク(クランプ力)によって確保されます。

組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)を染み込ませて拭き取る (2)

検査後、電流接点(リード線)を修正し、構造のアライメントを固定するためにピンを取り付ける。

熱伝導のパラメーターを改善するために、組み立ての前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗ることをお勧めします (1)

サイリスタ(3)、クーラーの2番目の部分、グラスファイバー製インシュレーター、スラストワッシャーを取り付けます。

トラバース (4) を通し、ナットを均等に締めるズレがなく、接触面が均一であることを確認してください。

部品が十分にクランプされているが移動可能な場合、クーラーを平らな面に置き、表面の全体的な隣接面の平行度の公差をチェックすることをお勧めします (5).

各ナットを順番に(約 1/4 回転)ストップ (6) にクランプする。 トラバースのたわみ量によって、達成されたクランプ力が要求されたものに対応するかどうかが決まる。

取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)を腐食から保護する必要があります。


パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:

パワーサイリスタは、すべてのパラメータについて、その限界負荷で長時間動作させるべきではありません。 この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決定される。

故障したパワーサイリスタを、交換するサイリスタ のパラメータに適合するサイリスタと交換する。

周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。

適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを取り除くことを推奨します。

並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器(多くの場合、撚りトロイ ダル線)を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。

電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


注目の製品

 

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Selected Products:

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