デュアル・ダイオード・モジュール SKKD, SEMIPACK

モジュールSKKDセミクロンは、AC/DCコンバータ用の非制御整流器で、半導体のデュアルトポロジー(2つのスイッチ):ダイオード-ダイオードタイプのモノリシック設計です。 負荷が701AまでのDCおよびAC回路で使用され、逆パルス電圧は最大2200Vです。

ダイオードモジュール AMKD AS ENERGITMは、SKKDセミクロンモジュールの代替品、同等品、代替半導体デバイスです。

ダイオードモジュールはSEMIPACK-業界標準の筐体に収納されており、既存の機器への組み込みが容易です。

SEMIPACKファミリーは3つの異なる内部構造を持っています:
はんだ付け構造 (SEMIPACK 1) - 接触ははんだ層によって確立されます; ボンド構造 (SEMIPACK 0, 2, 3) - チップ上部電極とDBC間の接続はボンドワイヤーで実現されています; 圧接構造 (SEMIPACK 3, 4, 5, 6) - 圧接によりコンタクトが確立され、はんだフリーで組み立てられます。

モジュールSKKDの回路図

メイン(電源)端子はケース上部にあり、 123(共通陽極-陰極、陰極、陽極)と記されている。

SKKD整流ダイオードモジュールは、様々な電力機器(電源、制御ユニット、電力調整器、コンバータ、コントローラ、溶接機器、ACコンバータ用整流器など)に使用されています。

サイリスタ・ダイオードモジュールの品質保証は、購入日から 2年間です。サイリスタ・ダイオードモジュールの供給にあたっては、必要に応じ、技術パスポート、適合証明書を発行しています。

サイリスタ/ダイオード・モジュールの最終価格は、クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

電力整流器モジュール、ダイオード、サイリスタの購入に関するご質問は、電子メールでお問い合わせください:

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そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


整流ダイオードモジュールSKKDのハウジング


SEMIPACK 1

SEMIPACK 2

SEMIPACK 3
bonded

SEMIPACK 3
pressure contact

SEMIPACK 5

整流ダイオードモジュールSKKDの一般仕様

シリーズ タイプ IFAV
(Tcase)
VRRM IFSM I2t V(TO) rT Tvj max Rth(j-c)
(per chip)
W パッケージ,
寸法
L×B×H
データシート
A V A kA2·s V mΩ ºC ºC/W g mm PDF
SEMIPACK 1
SKKD 26 SKKD 26/12 31 (85ºC)
26 (93ºC)
1200-1600 480 1.15 0.85 6.0 125 1.00 95 SEMIPACK 1
93x20x30
データシート
SKKD 26/14
SKKD 26/16
SKKD 46 SKKD 46/08 47 (85ºC)
45 (86ºC)
800-1800 600 1.80 0.85 5.0 125 0.06 95 SEMIPACK 1
93x20x30
データシート
SKKD 46/12
SKKD 46/14
SKKD 46/16
SKKD 46/18
SKKD 81 SKKD 81/08 82 (85ºC)
80 (87ºC)
800-1800 1750 15 0.85 1.8 125 0.40 95 SEMIPACK 1
93x20x30
データシート
SKKD 81/12
SKKD 81/14
SKKD 81/16
SKKD 81/18
SKKD 81 H4 SKKD 81/20 H4 82 (85ºC)
80 (87ºC)
2000-2200 1750 15 0.85 1.8 125 0.40 95 SEMIPACK 1
93x20x30
データシート
SKKD 81/22 H4
SKKD 100 SKKD 100/04 100 (85ºC)
67 (100ºC)
400-1800 2000 20 0.85 1.3 125 0.35 95 SEMIPACK 1
93x20x30
データシート
SKKD 100/06
SKKD 100/08
SKKD 100/12
SKKD 100/14
SKKD 100/16
SKKD 100/18
SKKD 101 SKKD 101/16 134 (85ºC)
101 (100ºC)
1600 2000 20 0.87 2.45 130 0.19 75 SEMIPACK 1
93x20x30
データシート
SEMIPACK 2
SKKD 152 H1 SKKD 152/16 H1 171 (85ºC)
132 (100ºC)
1600 4500 101 0.82 1.35 135 0.20 165 SEMIPACK 2
94x34x30
データシート
SKKD 162 SKKD 162/08 195 (85ºC)
160 (95ºC)
800-2200 5000 125 0.85 1.20 125 0.18 165 SEMIPACK 2
94x34x30
データシート
SKKD 162/12
SKKD 162/14
SKKD 162/16
SKKD 162/18
SKKD 162/20 H4
SKKD 162/22 H4
SKKD 212 SKKD 212/12 212 (85ºC)
165 (100ºC)
1200-1800 5500 151 0.75 1.05 135 0.18 165 SEMIPACK 2
94x34x30
データシート
SKKD 212/14
SKKD 212/16
SKKD 212/18
SKKD 250 SKKD 250/16 255 (85ºC)
199 (100ºC)
1600-1800 6000 180 0.77 1.00 135 0.13 165 SEMIPACK 2
94x34x30
データシート
SKKD 250/18 データシート
SEMIPACK 3
SKKD 260 SKKD 260/08 260 (85ºC)
185 (100ºC)
800-2200 10000 500 0.90 0.37 130 0.14 600 SEMIPACK 3
115x50x52
データシート
SKKD 260/12
SKKD 260/14
SKKD 260/16
SKKD 260/18
SKKD 260/20 H4
SKKD 260/22 H4
SKKD 353 SKKD 353/12 350 (85ºC)
260 (100ºC)
1200-1800 9500 451 0.84 0.75 130 0.09 600 SEMIPACK 3
115x50x52
データシート
SKKD 353/14
SKKD 353/16
SKKD 353/18
SKKD 380 SKKD 380/08 380 (100ºC) 800-2200 10000 500 0.80 0.35 150 0.11 600 SEMIPACK 3
115x50x52
データシート
SKKD 380/12
SKKD 380/14
SKKD 380/16
SKKD 380/18
SKKD 380/20 H4
SKKD 380/22 H4
SEMIPACK 5
SKKD 700 SKKD 700/08 700 (100ºC) 800-2200 22000 2420 0.75 0.20 150 0.065 1420 SEMIPACK 5
150x60x52
データシート
SKKD 700/12
SKKD 700/14
SKKD 700/16
SKKD 700/18
SKKD 700/20 H4
SKKD 700/22 H4
SKKD 701 SKKD 701/12 701 (100ºC)
820 (85ºC)
1200-2200 22500 2530 0.70 0.28 160 0.072 1400 SEMIPACK 5
150x60x52
データシート
SKKD 701/16
SKKD 701/18
SKKD 701/22 H4

デュアルダイオードモジュールSKKDの品番ガイドです:

SK KD 380 22 H4
SK SEMIKRON コンポーネント.
KD 内部接続のトポロジー ダイオード-ダイオード.
380 定格電流 (ITAV), A.
22 電圧クラス (VRRM/100).
H4 オプション(例 H4 はVisol = 4800 V.
H1 はVアイソ = 3600 V.

パワーモジュールの取り付けに関する推奨事項

ヒートシンクと表面仕様、準備

良好な熱接触を確保し、データシートで規定されている熱接触抵抗値を得るためには、ヒートシンクの接触面を清潔にし、埃の粒子がない状態にしておく必要があります。ヒートシンクの取り付け面は、取り付け工程の直前に、ワイパーやアルコールクリーナー(イソプロパノールなど)で清掃しておくと便利です。以下の機械的仕様を満たす必要があります:
– ヒートシンク取り付け部の凹凸は、100mmあたり50μmとする。
– 粗さ Rz: < 10 μm
– ステップなし > 10 μm


ヒートシンク表面仕様

サーマルペーストの塗布

サーマルインターフェース材料を塗布するために、ステンシル印刷を使用することを推奨する。サーマルペーストの厚みは50μm~100μmを推奨します。ローラーによるサーマルペーストの塗布は、最適なサーマルペースト厚さの再現性が保証できないため、大量生産にはお勧めできません。

ヒートシンクへの取付トルク MS

パワーモジュールの固定には、適切なワッシャ、スプリングロックワッシャ、または組合せねじと組み合わせたスチールねじの使用を強く推奨します。データシートで指定されたトルク値を守ってください。

予締めトルクと所定のトルク値への増し締めを推奨する。ねじ込み工程では速度を制限する必要があり、空気圧ドライバーで発生する可能性のあるトルクのピークを避けるため、ソフトなトルク制限を推奨する。


取り付け順序の例

ネジは対角線上の順序で、指定されたトルク値MSに達するまで、同じトルクで数段階に分けて締め付ける必要があります。


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品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


注目の製品

 

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Selected Products:

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