スタッド型サイリスタ・整流ダイオード用空冷ヒートシンク
空冷ヒートシンクスタッド型パワーSCRサイリスタとダイオードの動作中の片側冷却用。
ヒートシンクは、電流10A~500A、電圧VDRM/VRRM~1800Vの半導体デバイスに使用されます。
ヒートシンクは、メートルISOネジ径のスタッド半導体に使用されます: M5, M6, M8, M10, M12, M20x1.5, M24x1.5.
特徴:自然空冷と強制空冷、耐腐食性アルミニウム合金、低熱抵抗、取り付けスロットで簡単にインストールすることができます。
デバイスの電気的損失を最小限に抑え、放熱を最大にするためには、パワーデバイスの仕様で指定されている適切なトルクMdを守る必要があります。
空気ヒートシンク(クーラー、ラジエーター)が使用されるSCRサイリスタおよび整流ダイオードの電流範囲: 10A, 15A, 16A, 20A, 25A, 30A, 32A, 40A, 50A, 60A, 63A, 80A, 100A, 125A, 150A, 160A, 200A, 250A, 300A, 320A, 400A, 500A.
ヒートシンクとパワーデバイスの接触面は、粗さと平坦度の偏差が小さくなければならない。
ヒートシンク、電流接点、半導体デバイスの接触面を取り付ける前に、アルコール(トルエン、ベンゼン、アセトン)を染み込ませた布で拭き、シリコン有機熱伝導ペーストを薄く塗って潤滑することを推奨します(これは推奨事項であり、取り付けの前提条件ではありません)。
空冷ヒートシンク(放熱器)の仕様、パラメータ、寸法、図面を以下に示す。
弊社は空冷ヒートシンクの品質保証を購入日から2年間提供します。ヒートシンクを提供する際、必要に応じて技術パスポートを提供します。
空冷ヒートシンクの最終価格は、数量、納期、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。
スタッド型パワー半導体用空冷ヒートシンク
タイプ | 適用スタッドネジ | 自然冷却による放熱 (PF) |
熱抵抗 Rth(h-a) | フローレジスト. ΔPh | 取付トルク Md, ±10% | 冷却表面積 | 重量(電源接点含まず) | 概要、寸法 B×L×H (非接触) | 現在のデバイスに適用される | |
自然冷却 | 強制冷却(風量Vcfh=6 m/s) | |||||||||
W | °C/W | °C/W | Pa | N·m | cm2 | kg | mm | |||
![]() O111 |
M5 | 10 | 5.6 | - | - | 2.0 | - | 0.092 | ![]() |
10A - 25A |
![]() O221 |
M6 | 18 | 2.8 | - | - | 2.5 | 432.478 | 0.156 | ![]() |
20A - 40A |
![]() O231 |
M8 | 30 | 2.12 | 0.67 | 15 | 5.0 | 635.406 | 0.370 | ![]() |
25A - 80A |
![]() O331 |
M8 | 30 | 2.12 | 0.67 | 15 | 5.0 | 635.406 | 0.378 | ![]() |
25A - 80A |
![]() O241 |
M10 | 30 | 2.12 | 0.67 | 15 | 10 | 635.406 | 0.375 | ![]() |
60A - 100A |
![]() O541 |
M10 | 50 | 1.90 | 0.67 | 15 | 10 | 635.406 | 0.420 | ![]() |
60A - 100A |
![]() O151 |
M12 | 50 | 1.90 | 0.67 | 15 | 20 | 635.406 | 0.420 | ![]() |
80A - 160A |
![]() O371 |
M20x1.5 | 50 | 1.90 | 0.67 | 15 | 50 | 635.406 | 0.420 | ![]() |
200A - 400A |
![]() O171 |
M20x1.5 | 80 | 1.12 | 0.355 | 18 | 50 | 1249.94 | 0.670 | ![]() |
200A - 400A |
![]() O181 |
M24x1.5 | 80 | 1.12 | 0.355 | 18 | 60 | 1249.94 | 0.700 | ![]() |
200A - 500A |
![]() O271 |
M20x1.5 | 130 | 0.71 | 0.236 | 25 | 50 | 2173.508 | 1.750 | ![]() |
200A - 400A |
![]() O281 |
M24x1.5 | 130 | 0.71 | 0.236 | 25 | 60 | 2173.508 | 1.750 | ![]() |
200A - 500A |
空冷ヒートシンクのスタッド型半導体への応用
タイプ | 適用スタッドネジ | 電流用デバイスに適用される | アプリケーション パッケージ・タイプ |
用途 ダイオード、サイリスタタイプ |
O111 | M5 | 10A - 25A | SD1, ST1 | D112, DL112, T112, TS112 |
O221 | M6 | 20A - 40A | SD2, ST2 | D122, DL122, T122, TS122 |
O231 | M8 | 25A - 80A | SD3, ST3, ST3-1 | D132, DL132, T132, TS132 |
O331 | M8 | 25A - 80A | SD3, ST3, ST3-1 | D132, DL132, T132, TS132 |
O241 | M10 | 60A - 100A | SD4, ST4, ST4-1 | D141, T142, TS142 |
O541 | M10 | 60A - 100A | SD4, ST4, ST4-1 | D141, T142, TS142 |
O151 | M12 | 80A - 160A | SD5, SD8, ST5 | D151, T151, TF251 |
O371 | M20x1.5 | 200A - 400A | SD6, ST6 | D161, DL161, T161, TS161, TS261, TF261 |
O171 | M20x1.5 | 200A - 400A | SD6, ST6 | D161, DL161, T161, TS161, TS261, TF261 |
O181 | M24x1.5 | 200A - 500A | SD7, ST7, D.SB1, T.SB1 | D171, DL171, T171, TL171, TL271, TL371, TS171, TF271, TFI271 |
O271 | M20x1.5 | 200A - 400A | SD6, ST6 | D161, DL161, T161, TS161, TS261, TF261 |
O281 | M24x1.5 | 200A - 500A | SD7, ST7, D.SB1, T.SB1 | D171, DL171, T171, TL171, TL271, TL371, TS171, TF271, TFI271 |
空冷ヒートシンクの部品番号ガイド:
O | 2 | 8 | 1 | – | 110 |
O | – | 製品グループ 半導体用ヒートシンク. |
2 | – | ヒートシンク設計変更のシリアル番号. |
8 | – | スタッド型ヒートシンクの取り付けネジ径によるシリーズ分け. |
1 | – | デバイスのヒートシンク設計変更のシリアル番号: 1 - スタッドマウントバージョン. |
100 | – | ヒートシンクの長さ, mm. |
ハイパワー半導体 AS ENERGITM
当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。
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私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。
フォトギャラリー
フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。
スタッドサイリスタとエアヒートシンクの組 み立てに関する推奨事項:

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルクによって確保されます。
組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)を染み込ませて拭き取る (2)。
熱伝導のパラメーターを改善するために、組立て前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗布 (3) することをお勧めします。
取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)は腐食しないように追加で固定する必要があります。
パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:
パワーサイリスタは、すべてのパラメー タに対して、限界負荷で長時 間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決まります。
故障した電源サイリスタを、交換するサイリスタのパラメー タに適合するサイリスタと交換する。
周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。
適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを除去することを推奨します。
並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器(多くの場合、撚りトロイ ダル線)を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。
電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
- 半導体業界で20年以上の経験
- 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
- 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
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品質保証
私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
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