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AS ENERGIスタッドSCRサイリスタ＆整流ダイオード用空冷ヒートシンクO151
| メートルネジ対応スタッド | M12 |
| 電流用デバイスに適用される | 80A - 160A |
| 消費電力 | 50 W |
| 取付トルク Md, ±10% | 20 N·m |
| ヒートシンクO151 | ご要望に応じて
|
| 寸法 B×L×H | 45×80×80 mm |
| 重量 | 0.420 kg |
空冷ヒートシンク O151-80 AS ENERGITMはパワー半導体デバイスの片側冷却に使用され、スタッド設計で、メートルISOネジM12です。 適用デバイスのハウジングタイプ： SD5, SD8, ST5.
ヒートシンクは、電流80A - 160AのパワーSCRサイリスタと整流ダイオードの冷却に使用されます。自然冷却による放熱量は50Wです。
気流冷却は、発生する熱量や半導体の動作条件によって、自然冷却と強制冷却がある。
特徴：耐腐食性アルミニウム合金;低熱抵抗;取り付けスロットで簡単にインストールすることができます。
ヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、異なる気候条件で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。
デバイスの電気的損失を最小限に抑え、放熱を最大にするためには、パワーデバイスの仕様で指定されている適切なトルクMdを守る必要があります。
ヒートシンク、電流接点、半導体デバイスの接触面を取り付ける前に、アルコール（トルエン、ベンゼン、アセトン）を染み込ませた布で拭き、シリコン有機熱伝導ペーストを薄く塗って潤滑することを推奨します（これは推奨事項であり、取り付けの前提条件ではありません）。
スタッド型SCRサイリスタと整流ダイオードの電流範囲： 80A, 100A, 120A, 125A, 130A, 140A, 150A, 160A。
空冷ヒートシンク（放熱器）の仕様、パラメータ、寸法、外形、図面を以下に示す。
弊社は空冷ヒートシンクの品質保証を購入日から2年間提供します。ヒートシンクを提供する際、必要に応じて技術パスポートを提供します。
空冷ヒートシンクの最終価格は、数量、納期、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。
空冷ヒートシンクO151仕様：
| ヒートシンク仕様 | O151 (O151-80) |
| メートルネジ対応スタッド | M12 |
| 自然冷却による放熱 (PF) | 50 W |
| 熱抵抗 Rth(h-a) (自然冷却） | 1.90 °C/W |
| 熱抵抗 Rth(h-a) (強制冷却、エアフロー Vcfh=6 m/s) | 0.67 |
| 流動抵抗 ΔPh | 15 |
| 取付トルク Md, ±10% | 20 N·m |
| 冷却表面積 | 635.406 |
| 重量（電源接点含まず） | 0.420 kg |
| 概要、寸法 B×L×H | 45×80×80 mm |
| 電流用デバイスに適用される | 80A - 160A |
| アプリケーション・パッケージ・タイプ | SD5, SD8, ST5 |
| アプリケーションダイオード、サイリスタタイプ | D151, T151, TF251 |
ヒートシンクO151の全体寸法と取り付け寸法：
空冷ヒートシンクの部品番号ガイド O151：
| O | 1 | 5 | 1 | – | 80 |
| O | – | 製品グループ 半導体用ヒートシンク. |
| 1 | – | ヒートシンク設計変更のシリアル番号. |
| 5 | – | スタッド型ヒートシンクの取り付けネジ径によるシリーズ分け. |
| 1 | – | デバイスのヒートシンク設計変更のシリアル番号： 1 - スタッドマウントバージョン. |
| 80 | – | ヒートシンクの長さ, mm. |
O151クーラントの熱パラメータグラフ：
a) — ヒートシンク-冷却液接触面の熱抵抗 (1-0 m/s (50W); 2-3 m/s; 3-6 m/s; 4-12 m/s) |
ハイパワー半導体 AS ENERGITM
当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体（パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど）、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。
パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください：
そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります！
私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。
スタッドサイリスタとエアヒートシンクの組 み立てに関する推奨事項：
全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルクによって確保されます。
組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール（トルエン、ガソリン、アセトン）を染み込ませて拭き取る (2)。
熱伝導のパラメーターを改善するために、組立て前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗布 (3) することをお勧めします。
取り付け後、ファスナー（ナットとワッシャー）は腐食しないように追加で固定する必要があります。
パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項：
パワーサイリスタは、すべてのパラメー タに対して、限界負荷で長時 間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決まります。
故障した電源サイリスタを、交換するサイリスタのパラメー タに適合するサイリスタと交換する。
周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。
適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを除去することを推奨します。
並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器（多くの場合、撚りトロイ ダル線）を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。
電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。
動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100％の品質、有利な価格、短い生産期間
- 半導体業界で20年以上の経験
- 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
- 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
- 他社製品の類似品を製造している
- 品質保証、動作保証期間2年
品質保証
私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています： DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。
AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール（サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT）、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
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