高速パワーサイリスタ 200A~2000A、ディスクパッケージ

ディスク設計の高速サイリスタ(TF)AS ENERGITMは、プレスパック型の高速スイッチング半導体デバイスです。 高速サイリスタは、di/dt抵抗の増加、低スイッチング損失、短いターンオンとターンオフ時間などの要件を満たしています。 直流および交流電流を最大2000Aまで、周波数範囲は最大10kHz、電圧は3600Vまでの回路で調整および変換します(シリーズにより異なります)。

パワーディスク用高速サイリスタTFシリーズには、 次のようなタイプ(電流)があります: 200 A, 250 A, 320 A, 400 A, 500 A, 630 A, 800 A, 1000 A, 1600 A, 2000 アンペア.

大電力ディスク高速サイリスタシリーズ

パワーディスク高速サイリスタの部品番号ガイド

パワーディスク用高速サイリスタの技術パスポート

パワーサイリスタの設置に関する推奨事項

高速サイリスタとは、より高い周波数モードで動作するように設計された、tq、trr、Qrr、ERQ値が低減されたデバイスです。 VTM、tq、Qrrのサイリスタパラメータは相互に関連しているため、tqとQrrの値が減少するとVTMが増加します。 高速サイリスタは、ターンオフ時間が非常に短い ことが特徴で、標準モデルとは一線を画しています。溶接、誘導加熱溶融、電気輸送、ACドライ ブ、UPSなど、短いターンオン、ターンオフ時 間を必要とするシステムに使用されます。サイリスタには、機能部と半導体素子を機械的衝撃や環境から隔離する業界標準のセラミック密閉ハウジングがあります。

サイリスタの極性はケースの アイコンで決まります。このページでは、アノード、カソード、制御 電極(ゲート)を持つ高速サイリスタの回路図と 回路を紹介します。サイリスタの技術仕様、品番ガイド、極性、 寸法、推奨冷却器を以下に示します。

サイリスタの冷却には空気と水のヒートシンクが使われる。 電気的な損失を最小限に抑え、放熱を最大にするためには、組み立て時に必要なトルク、いわゆる押し付け力Fmを与えなければならない。 達成されたクランプ力と要求されたクランプ 力との対応は、トラバースのたわみによって決まります。ディスクリート型サイリスタの組立時の放熱を良くす るために、熱伝導ペーストを使用しますが、これは取 り付けの前提条件ではありません。

この高速サイリスタは、機能部と半導体素子を機械 的衝撃や環境から隔離する密閉ハウジングを備えて います。この高速サイリスタは、圧力接点付きのディスク ハウジングを備えています。

AS Energi Global LLCの高速サイリスタには次のような特長があります:低い静的損失と動的損失、高い値のVDRM/VRRM、さまざまな産業でデバイスを使用した豊富な経験、300~3600 Vの電圧範囲と200~2000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然冷却または強制空冷。

サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する場合、必要に応じて 品質宣言書と適合証明書を発行します。

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高速サイリスタの最終価格は、電圧クラス、数量、 納期、メーカー、原産国、支払形態によって異なり ます。

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私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


ディスク高速サイリスタシリーズ:


TF133...TF933

TF143...TF943

TF153...TF953

TF173, TF273

高速サイリスタ TF133...TF933 (200A – 500A)

タイプ IT(AV)
(Tcase°C)
VDRM
VRRM
ITSM I2t dv/dt di/dt tq Tvj max Rth(j-c) Fm
±10%
W パッケージ 寸法
ØDxØdxH
データシート
A V kA kA2·s V/µs A/µs µs ºC ºC/W kN g mm PDF
200 A
TF233-200 200 (102) 1000-1500 4.5 100 200-2500 1600 6.3-12.5 125 0.04 10 110 T.B2 42x25x14 PDF
TF433-200 200 (102) 1000-1500 4.5 100 200-2500 1600 6.3-12.5 125 0.04 10 180 PT32
(T.B3)
54x32x20 PDF
250 A
TF133-250 250 (94) 1600-2400 5.0 120 200-2500 1600 20-40 125 0.04 10 110 PT31-1
(T.B2)
48x27x15 PDF
TF233-250 250 (97) 1000-1500 5.4 140 200-2500 1600 8-16 125 0.04 10 110 T.B2 42x25x14 PDF
TF333-250 250 (86) 1600-2400 5.0 120 200-2500 1600 20-40 125 0.05 10 180
100
T.B3
PT31
54x32x20
47x27x15
PDF
TF433-250 250 (97) 1000-1500 5.4 140 200-2500 1600 8-16 125 0.04 10 180 PT32
(T.B3)
54x32x20 PDF
TF833-250 250 (94) 3000 5.7 162 1000 1000 50-125 125 0.04 10 180 PT32
(T.B3)
54x32x20 PDF
TF933-250 250 (92) 3000-3600 5.4 140 200-1000 1000 63-80 125 0.04 10 180 PT32
(T.B3)
54x32x20 PDF
320 A
TF133-320 320 (85) 1600-2400 6.0 320 200-1000 1600 25-50 125 0.04 10 110 PT31-1
(T.B2)
48x27x15 PDF
TF233-320 320 (90) 1000-1500 5.5 150 200-2500 1600 10-20 125 0.04 10 110 T.B2 42x25x14 PDF
TF333-320 320 (85) 1600-2400 6.0 170 200-1000 1600 25-40 125 0.05 10 180 T.B3 54x32x20 PDF
TF433-320 320 (90) 1000-1500 5.5 150 200-2500 1600 10-20 125 0.04 10 180 PT32
(T.B3)
54x32x20 PDF
400 A
TF133-400 400 (85) 1600-2400 6.6 210 200-1000 1600 50-63 125 0.04 10 110 PT31-1
(T.B2)
48x27x15 PDF
TF233-400 400 (85) 400-1400 6.5 200 200-1000 800 20-50 125 0.04 10 180 PT32 54x32x20 PDF
TF333-400 371 (85) 1400-2400 6.6 200 200-2500 1600 50-63 1250.05 10 180
100
T.B3
PT31
54x32x20
47x27x15
PDF
500 A
TF333-500 500 (95) 300-1400 7.5 280 500-1000 500 32 125 0.035 10 100 PT31 47x27x15 PDF

高速サイリスタ TF143...TF943 (400A – 630A)

タイプ IT(AV)
(Tcase°C)
VDRM
VRRM
ITSM I2t dv/dt di/dt tq Tvj max Rth(j-c) Fm
±10%
W パッケージ 寸法
ØDxØdxH
データシート
A V kA kA2·s V/µs A/µs µs ºC ºC/W kN g mm PDF
400 A
TF143-400 400 (88) 1400-2200 8.0 320 200-1000 2000 25-50 125 0.034 15 240 PT42 60x38x20 PDF
TF243-400 400 (94) 1000-1500 9.5 450 200-2500 2000 10-20 125 0.03 15 180 PT41 57x35x14 PDF
TF943-400 400 (85) 3000-3600 7.5 600 200-1000 2000 50-63 125 0.034 15 240 T.C2 60x38x20 PDF
500 A
TF143-500 500 (85) 1400-2200 9.0 400 200-1000 2000 32-63 125 0.034 15 240 PT42 60x38x20 PDF
TF243-500 500 (91) 1000-1500 11.0 600 200-2500 2000 12.5-25 125 0.03 15 180 PT41 57x35x14 PDF
TF343-500 550 (85) 500-1100 9.0 800 500-1000 500 25 125 0.028 15 180 PT41 57x35x14 PDF
630 A
TF143-630 630 (80) 1400-2200 10.0 500 200-1000 2000 32-63 125 0.034 15 240 PT42 60x38x20 PDF
TF243-630 630 (84) 1000-1500 11.5 660 200-2500 200 16-32 125 0.03 15 180 PT41 57x35x14 PDF
TF343-630 630 (90) 400-1400 10.5 820 500-1000 500 32 125 0.028 15 180 PT41 57x35x14 PDF

高速サイリスタ TF153...TF953 (630A – 1000A)

タイプ IT(AV)
(Tcase°C)
VDRM
VRRM
ITSM I2t dv/dt di/dt tq Tvj max Rth(j-c) Fm
±10%
W パッケージ 寸法
ØDxØdxH
データシート
A V kA kA2·s V/µs A/µs µs ºC ºC/W kN g mm PDF
630 A
TF153-630 630 (85) 1400-2200 16.0 1200 200-1000 2000 20-40 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF253-630 630 (85) 800-1600 6.0 1600 200-1000 800 25-50 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF453-630 630 (94) 1400-2200 20.0 2000 200-2500 2000 20-40 125 0.021 26 550 T.D2 75x51x26 PDF
TF953-630 630 (90) 3000-3600 17.0 2400 200-2500 2000 50-63 125 0.021 26 550 T.D2 75x51x26 PDF
800 A
TF153-800 800 (85) 1400-2200 17.0 1445 200-1000 2000 20-50 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF253-800 800 (85) 800-1600 8.0 1900 200-1000 800 25-50 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF453-800 800 (86) 1400-2200 21.0 2200 200-2500 2000 20-40 125 0.021 26 550 T.D2 75x51x26 PDF
TF553-800 800 (85) 1400-2400 15.0 2630 1000 630 25-63 125 0.021 26 550 PT53-1 75x51x26 PDF
1000 A
TF153-1000 1000 (75) 1400-2200 18.0 1620 200-1000 2000 20-50 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF253-1000 1000 (85) 800-1400 10.0 2100 200-1000 800 25-50 125 0.021 26 550 PT53 75x51x26 PDF
TF453-1000 1000 (79) 1400-2200 22.0 2400 200-2500 2000 20-40 125 0.021 26 550 T.D2 75x51x26 PDF

高速サイリスタs TF173, TF273 (1600A, 2000A)

タイプ IT(AV)
(Tcase°C)
VDRM
VRRM
ITSM I2t dv/dt di/dt tq Tvj max Rth(j-c) Fm
±10%
W パッケージ 寸法
ØDxØdxH
データシート
A V kA kA2·s V/µs A/µs µs ºC ºC/W kN g mm PDF
1600 A
TF173-1600 1600 (95) 1600-2800 37.0 6800 200-1000 2500 50-63 125 0.008 45 1200 PT73 112x75x26 PDF
TF173-2000 2000 (90) 2000-2500 40.0 8000 200-1000 2500 40-63 125 0.008 45 1200 PT73 112x75x26 PDF
2000 A
TF273-2000 2000 (76) 1400-2400 40.0 9300 500-1000 1000 50 125 0.011 45 1200 PT73 112x75x26 PDF

部品番号ガイド 高速サイリスタs:

TF 953 630 32 9 5 3
TF 高速サイリスタ, brand AS ENERGITM
953 サイリスタ式(ディスクタイプ).
630 開放状態の平均電流 IT(AV), Amp.
32 電圧クラス VRRM / 100  (公称電圧 – 3200 V).
9 オフ状態電圧の臨界上昇率のパラメーター (dVD/dt)crit:
英数字コーディング 0 P3 E3 A3 P2 K2 Е2 A2 T1 P1 M1
デジタル・コーディング 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
価値, V/µs 非標準 20 50 100 200 320 500 1000 1600 2000 2500
5 ターンオフ時間tのパラメータq:
英数字コーディング 0 C3 E3 H3 K3 M3 P3 T3 X3 A4 B4 C4 E4
デジタル・コーディング 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
価値, µs 非標準 63 50 40 32 25 20 16 12.5 10 8 6.3 5
3 ターンオン時間のパラメータ tgt:
英数字コーディング 0 T3 A4 B4 C4 H4 K4 M4 P4 T4 X4 A5 C5
デジタル・コーディング 0 1 2 3 4 5 6 7 8
価値, µs 非標準 16 10 8 6.3 4 3.2 2.5 2.0 1.6 1.25 1.0 0.63

高速サイリスタの技術パスポート(サンプル):

サイリスタを供給する場合、必要に応じて技術パ スポートと適合証明書を提供します。

  • テクニカル・パスポート
  • テクニカル・パスポート
  • テクニカル・パスポート

ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、ローターダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらに対応する空気ヒートシンク、水ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。半導体はどのような数量でも購入することができ、大量注文の場合は価格が安くなります。
顧客の信頼を得て、世界中に製品を供給している。

ハイパワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入は、電子メールでのリクエストをお送りください:

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高速(タブレット)サイリスタの写真:

  • 高速サイリスタ
  • 高速サイリスタ
  • 高速サイリスタ
  • 高速サイリスタ
  • 高速サイリスタ
  • 高速サイリスタ

高速サイリスタの設置に関する推奨事項:

ヒートシンク付きディスク高速サイリスタの組み立て

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルク(クランプ力)によって確保されます。

組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)を染み込ませて拭き取る (2)

検査後、電流接点(リード線)を修正し、構造のアライメントを固定するためにピンを取り付ける。

熱伝導のパラメーターを改善するために、組み立ての前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗ることをお勧めします (1)

サイリスタ(3)、クーラーの2番目の部分、グラスファイバー製インシュレーター、スラストワッシャーを取り付けます。

トラバース (4) を通し、ナットを均等に締めるズレがなく、接触面が均一であることを確認してください。

部品が十分にクランプされているが移動可能な場合、クーラーを平らな面に置き、表面の全体的な隣接面の平行度の公差をチェックすることをお勧めします (5).

各ナットを順番に(約 1/4 回転)ストップ (6) にクランプする。 トラバースのたわみ量によって、達成されたクランプ力が要求されたものに対応するかどうかが決まる。

取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)を腐食から保護する必要があります。


パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:

パワーサイリスタは、すべてのパラメー タに対して、限界負荷で長時 間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決まります。

故障した電源サイリスタを、交換するサイリスタのパラメー タに適合するサイリスタと交換する。

周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。

適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを除去することを推奨します。

並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器(多くの場合、撚りトロイ ダル線)を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。

電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


注目の製品

 

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Selected Products:

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