シングル整流ダイオードモジュールインフィニオンの代替品

シングル整流ダイオードモジュールは、標準回復ダイオードとしても知られ、プレスパックタイプの汎用ダイオードです。

特長：ライン周波数に最適化、低オン状態損失、高逆電圧、高電流処理能力。

整流ダイオード AMNDおよびAMDZ AS ENERGI^TMは、単一整流ダイオードモジュールND、DZシリーズインフィニオンテクノロジーズ、ユーペックの代替、アナログ、代替半導体デバイスです。

整流ダイオードの品番ガイド

icon AS ENERGI^TM 半導体製造リファレンス

"ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ" ダイオード冷却用も注文可能。

このダイオードは業界標準のセラミック・ハウジングを採用しており、既存の機器への組み込みが容易です。このダイオードは、圧力接点付きのディスクハウジングを備えています。ダイオードの極性（アノード、カソード）はケース上のアイコンによって決定されます。ダイオードの技術仕様、部品番号ガイド、データシートは以下の通りです。

整流ダイオードAS ENERGI^TMは、低静的および動的損失、高い値のV_RSM/V_RRM、様々な産業での豊富な使用経験、100～9000 Vの電圧と100～7500 Aの電流の範囲、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性などの特徴があります。

当社は整流ダイオードの購入日から2年間の品質保証を提供しています。ダイオードを供給する際、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

標準整流ダイオードの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

インフィニオンの単一整流ダイオードモジュールと代替品の一般仕様

タイプ	I_F(AV)M	V _RRM V _DRM	I_FSM	I ²t	V _T0	r _T	T _{vj max}	R _th(j-c)	W	パッケージ、寸法 L×B×H	交換 AS ENERGI ^TM	データシート
タイプ	A	V	A	kA ²·s	V	mΩ	ºC	K/W	g	mm	交換 AS ENERGI ^TM	PDF
ND89N16K	89	1600	2400	28.8	0.75	2.3	150	0.45	160	DP20 92x20x30	AMND89N16K
ND89N12K	89	1200	2400	28.8	0.75	2.3	150	0.45	160	DP20 92x20x30	AMND89N12K
ND104N18K	104	1800	2500	31.25	0.7	2.1	150	0.39	160	DP20 92x20x30	AMND104N18K
ND104N16K	104	1600	2500	31.25	0.7	2.1	150	0.39	160	DP20 92x20x30	AMND104N16K
ND104N12K	104	1200	2500	31.25	0.7	2.1	150	0.39	160	DP20 92x20x30	AMND104N12K
ND171N18K	170	1800	5600	157	0.75	0.8	150	0.26	310	DP34 94x34x30	AMND171N18K
ND171N16K	170	1600	5600	157	0.75	0.8	150	0.26	310	DP34 94x34x30	AMND171N16K
ND261N26K	260	2600	8300	344	0.7	0.68	150	0.17	700	DP50ND 92x50x52	AMND261N26K
ND260N16K	260	1600	8300	344	0.7	0.68	150	0.17	700	DP50ND 92x50x52	AMND260N16K
ND260N14K	260	1400	8300	344	0.7	0.68	150	0.17	700	DP50ND 92x50x52	AMND260N14K
DZ435N40K	435	4000	12000	720	0.84	0.6	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ435N40K
DZ435N36K	435	3600	12000	720	0.84	0.6	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ435N36K
DZ540N26K	540	2600	14000	980	0.78	0.31	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ540N26K
DZ540N22K	540	2200	14000	980	0.78	0.31	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ540N22K
DZ600N18K	600	1800	19000	1805	0.75	0.22	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ600N18K
DZ600N16K	600	1600	19000	1805	0.75	0.22	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ600N16K
DZ600N12K	600	1200	19000	1805	0.75	0.22	150	0.078	900	DP50.1 101x50x52	AMDZ600N12K
DZ950N44K	950	4400	29000	4205	0.85	0.28	150	0.042	2750	DP70 104x70x90	AMDZ950N44K
DZ950N36K	950	3600	29000	4205	0.85	0.28	150	0.042	2750	DP70 104x70x90	AMDZ950N36K
DZ1070N28K	1070	2800	35000	6125	0.8	0.17	160	0.045	2750	DP70 104x70x90	AMDZ1070N28K
DZ1070N26K	1070	2600	35000	6125	0.8	0.17	160	0.045	2750	DP70 104x70x90	AMDZ1070N26K
DZ1100N22K TIM	1100	2200	40000	8000	0.75	0.073	150	0.048	1950	DP70A 104x70x90	AMDZ1100N22K-TIM
DZ1100N22K	1100	2200	40000	8000	0.75	0.073	150	0.048	1950	DP70A 104x70x90	AMDZ1100N22K
DZ1070N22K	1100	2200	35000	6125	0.75	0.073	150	0.045	1950	DP70A 104x70x90	AMDZ1070N22K
DZ1070N18K	1100	1800	35000	6125	0.75	0.073	150	0.045	1950	DP70A 104x70x90	AMDZ1070N18K

単一整流ダイオードモジュールの部品番号ガイド：

1070

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	製品グループモジュール.
DZ	–	構成シングルダイオード.
1070	–	平均オン電流 I_F(AV), Amp.
N	–	位相制御装置.
26	–	電圧クラス V_RRM / 100.
K	–	機械構造：圧接技術

ハイパワー半導体 AS ENERGI^TM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体（パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど）、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください：

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります！

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。

フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGI^TMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。

写真をもっと見る

パワーモジュールの取り付けに関する推奨事項

ヒートシンクと表面仕様、準備

良好な熱接触を確保し、データシートで規定されている熱接触抵抗値を得るためには、ヒートシンクの接触面を清潔にし、埃の粒子がない状態にしておく必要があります。ヒートシンクの取り付け面は、取り付け工程の直前に、ワイパーやアルコールクリーナー（イソプロパノールなど）で清掃しておくと便利です。以下の機械的仕様を満たす必要があります：
– ヒートシンク取り付け部の凹凸は、100mmあたり50μmとする。
– 粗さ Rz: < 10 μm
– ステップなし > 10 μm

ヒートシンク表面仕様

サーマルペーストの塗布

サーマルインターフェース材料を塗布するために、ステンシル印刷を使用することを推奨する。サーマルペーストの厚みは50μm～100μmを推奨します。ローラーによるサーマルペーストの塗布は、最適なサーマルペースト厚さの再現性が保証できないため、大量生産にはお勧めできません。

ヒートシンクへの取付トルク M_S

パワーモジュールの固定には、適切なワッシャ、スプリングロックワッシャ、または組合せねじと組み合わせたスチールねじの使用を強く推奨します。データシートで指定されたトルク値を守ってください。

予締めトルクと所定のトルク値への増し締めを推奨する。ねじ込み工程では速度を制限する必要があり、空気圧ドライバーで発生する可能性のあるトルクのピークを避けるため、ソフトなトルク制限を推奨する。

取り付け順序の例

ネジは対角線上の順序で、指定されたトルク値M_Sに達するまで、同じトルクで数段階に分けて締め付ける必要があります。

パワーダイオードに関するヒントと推奨事項：

パワーダイオードは、すべてのパラメータに対して限界負荷で長時間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決定される。

故障したパワーダイオードを、交換するダイオードのパラメータと一致するダイオードと交換する。

周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。

適切な熱放散を確保するため、パワーダイオードとクーラーを定期的に清掃し、ほこりや汚れを取り除くことを推奨します。

並列接続されたパワーダイオード間の電流を等しくするために、誘導分流器（多くの場合、ツイストされたトロイダル・ワイヤー）を使用すべきである。最も一般的な接続方法は、閉回路、共通コイル回路、パワーダイオードである。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積によって決まる。

パワーダイオードが直列に接続されている場合の電圧アンバランスの防止は、各ダイオードに並列に接続されたシャント抵抗を使用することで達成される。過渡状態での電圧均一化は、各ダイオードに並列にコンデンサを接続することで実現します。

動作中に高電圧下のパワーダイオードに触れることは厳禁である。

AS ENERGI^{TMを選ぶ理由}

半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
ヨーロッパブランド - 100％の品質、有利な価格、短い生産期間
半導体業界で20年以上の経験
世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
他社製品の類似品を製造している
品質保証、動作保証期間2年

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

パートナーシップの地理

AS ENERGI^TM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています： DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGI^TM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール（サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT）、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。

注目の製品

Tags: 整流ダイオードモジュール、パワー半導体、ダイオードモジュールInfineon Technologiesの交換、ダイオードモジュールInfineon Technologiesの同等品、整流ダイオードモジュールカタログカタログpdf、セラミック絶縁体ダイオードモジュールの価格、整流ダイオードモジュールのデータシート、証明書、製造、ダイオードモジュール工場製、シリコン整流ダイオードモジュールの技術仕様