高速リカバリ、スタッド型、ダイオード Vishay交換用

ファストリカバリー・ダイオードは、スタッド設計ではファスト・ダイオードまたはファスト・スイッチング・ダイオードとも呼ばれ、逆回復時間が短い半導体デバイスです。
"スタッド装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", ダイオード冷却用も注文可能。
高速回復ダイオード ASDSAS ENERGITMはスタッド形高速回復ダイオード Vishay Semiconductorsの代替、アナログ、代替半導体デバイスです。
特長:ライン周波数に最適化、低オン状態損失、低逆回復時間、高速スイッチング、高逆電圧、高電流処理能力。
ファストリカバリダイオードは、最大2500Vの電圧回路で最大200AのDCおよびAC電流を変換します。主な用途は、DC-DCコンバータ、インバータ、高周波整流器、スイッチング電源です。
ダイオードの特徴は、回復が速く(逆回復時間trrが短く、回復電荷が小さい)、高周波での応用が可能なことです。ダイオードは高周波で高い通電容量を持っています。
ダイオードは業界標準のスタッド設計で、既存の機器への組み込みが容易です。ダイオードの極性(アノード、カソード)はケース上のアイコンによって決定されます。ダイオードの技術仕様、部品番号ガイド、データシートは以下の通りです。
整流ダイオードAS ENERGITMの特長:低い静的損失と動的損失、高いVRSM/VRRM値、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲と100~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性。
弊社は整流ダイオードの購入日から2年間の品質保証を提供します。ダイオードを供給する際、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。
高速回復ダイオードのスタッドタイプの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。
ファストリカバリダイオード(スタッドタイプ)Vishayおよび代替品の一般仕様
タイプ | IFAV (TC) |
VRRM/VDRM | IFSM | I2t | VF(TO) | rT | Tvj max | Rth(j-c) |
W | パッケージ | 交換 AS ENERGITM |
データシート | |
A (ºC) | V | A | kA2·s | V | mΩ | ºC | ºC/W | g | mm | ||||
VS-SD203N/R | |||||||||||||
VS-SD203N04S10PV | 150 (125) | 400 | 3000 | 45 | 0.80 | 0.97 | 180 | 0.023 | 130 | DO-9 (DO-205AB) |
ASDS203N04S10PV | ![]() |
|
VS-SD203N08S10PV | 800 | ASDS203N08S10PV | |||||||||||
VS-SD203N10S10PV | 1000 | ASDS203N10S10PV | |||||||||||
VS-SD203N12S15PV | 1200 | ASDS203N12S15PV | |||||||||||
VS-SD203N14S15PV | 1400 | ASDS203N14S15PV | |||||||||||
VS-SD203N16S15PV | 1600 | ASDS203N16S15PV | |||||||||||
VS-SD203N20S20PC | 2000 | ASDS203N20S20PC | |||||||||||
VS-SD203R20S20PC | 2000 | ASDS203R20S20PC | |||||||||||
VS-SD203N25S20PC | 2500 | ASDS203N25S20PC | |||||||||||
VS-SD203R25S20PC | 2500 | ASDS203R25S20PC |
高速リカバリーダイオードの部品番号ガイド:
AS | DS | 20 | 3 | N | 04 | S10 | P | C |
AS | – | ![]() |
DS | – | 製品グループ ダイオードスタッド. |
20 | – | 必須品番. |
3 | – | 迅速な回復. |
N | – | N = スタッド極性(カソードからスタッドへ) R = スタッド逆極性(陽極→スタッド). |
04 | – | 電圧コード x 100 = VRRM. |
S10 | – | trr コード . |
P | – | P = スタッドベースDO-9 (DO-205AB) 3/4" 16UNF-2A M = スタッドベース DO-9 (DO-205AB) M16 x 1.5. |
C | – | C = セラミック・ハウジング(1600 V以上) V = ガラス-金属シール(1600 Vまで). |
ハイパワー半導体 AS ENERGITM
当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。
パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:
そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!
私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。
フォトギャラリー
フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。
スタッド型パワー整流ダイオードの推奨設置方法

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルクによって確保されます。
組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)を染み込ませて拭き取る (2)。
熱伝導のパラメーターを改善するには、組み立ての前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗る (3) ことをお勧めします。
取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)は腐食しないように追加で固定する必要があります。
パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:
パワーサイリスタは、すべてのパラメータについて、その限界負荷で長時間動作させるべきではありません。 この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決定される。
故障したパワーサイリスタを、交換するサイリスタ のパラメータに適合するサイリスタと交換する。
周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。
適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを除去することを推奨します。
並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器(多くの場合、撚りトロイ ダル線)を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。
電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
- 半導体業界で20年以上の経験
- 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
- 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
- 他社製品の類似品を製造している
- 品質保証、動作保証期間2年
品質保証
私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
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