溶接ダイオード 5SDD、5SDF ABB 交換用

ディスクデザインの溶接ダイオードは、中周波（2 kHzまで）と高周波（10 kHzまで）があります。これらはいずれも、非常に低いオン電圧（V_RRMは200～400V）、低い静的損失、非常に低い熱抵抗を特長としている。

溶接ダイオードADD、ADF AS ENERGI^TMは、溶接ダイオード5SDD、5SDF日立ABBパワーグリッドの代替、アナログ、代替半導体デバイスです。

溶接ダイオードの品番ガイド

ビデオ高出力ディスクダイオードのレビュー

icon AS ENERGI^TM 半導体製造リファレンス

溶接ダイオードは、軽量パッケージ、薄型、ハーメチックシールのセラミックハウジングでご利用いただけます。業界標準設計のハウジングにより、既存の機器への取り付けが容易です。

"ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ" ダイオード冷却用も注文可能。

溶接ダイオードのシリーズには次のような特徴があります：高い平均順方向電流を流すことができ、並列デバイスの量を減らすことができる；電気的および熱的サイクルに対する高い耐性により、長寿命が保証される；最小限の静的損失；高い最大接合部温度（T_jmax）により、これらのダイオードは同じ冷却システムでより高い電流を流すことができる；両面冷却の可能性；大電流整流器用に最適化されている；非常に低い熱抵抗；中・高周波溶接装置用に設計されている。

整流ダイオードAS ENERGI^TMの特長：低い静的損失と動的損失、高い値のV_RSM/V_RRM、さまざまな産業での豊富な使用実績、100～9000 Vの電圧と100～7500 Aの電流の範囲、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性。

弊社は整流ダイオードの購入日から2年間の品質保証を提供します。ダイオードを供給する際、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

溶接ダイオードの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

溶接ダイオード 5SDD ABB の一般仕様と代替品

中周波（2 kHzまで）

タイプ	I_F(AV)M (T_C=85°C)	V_RRM	V_FMAX	I_FSM	V_F0	r_F	T_{vj max}	R_th (j-c)	R_th (c-h)	F_m ±10%	パッケージ	交換 AS ENERGI^TM	データシート
タイプ	A	V	V	kA	V	mΩ	ºC	K/kW	K/kW	kN	パッケージ	交換 AS ENERGI^TM	PDF
5SDD 71X0200	7110	200	1.05*	55	0.74	0.026	170	10.0	5.0	22	X	ADD 7100-02-X-00
5SDD 71B0200	7110	200	1.05*	55	0.74	0.026	170	10.0	5.0	22	B	ADD 7100-02-B-00
5SDD 71X0400	7110	400	1.00*	55	0.74	0.026	170	10.0	5.0	22	X	ADD 7100-04-X-00
5SDD 71B0400	7110	400	1.05*	55	0.74	0.026	170	10.0	5.0	22	B	ADD 7100-04-B-00
5SDD 92Z0401	9244	400	1.03**	60	0.78	0.031	180	5.6	3.6	36	Z1	ADD 9200-04-Z-01
5SDD 0105Z0401	10502	400	1.01**	70	0.812	0.026	180	5.0	2.5	40	Z2	ADD 10500-04-Z-01
5SDD 0120C0200	11000	200	0.92**	85	0.75	0.020	170	6.0	3.0	37.5	C	ADD 12000-02-C-00
5SDD 0120C0400	11350	400	0.88**	85	0.74	0.018	170	6.0	3.0	37.5	C	ADD 12000-04-C-00
5SDD 0135Z0401	13526	400	0.92**	85	0.758	0.021	180	3.9	2.6	52.5	Z3	ADD 13500-04-Z-01

* – at I_F=5000A, T_j=25°C
** – at I_F=8000A, T_{vj max}

溶接ダイオードの図面とハウジングの寸法：

溶接ダイオード 5SDF ABB の一般仕様と代替品

高周波（10 kHzまで）

タイプ	I_F(AV)M (T_C=85°C)	V_RRM	V_FMAX	I_FSM	V_F0	r_F	Q_rr	T_{vj max}	R_th (j-c)	R_th (c-h)	F_m ±10%	パッケージ	交換 AS ENERGI^TM	データシート
タイプ	A	V	V	kA	V	mΩ	μC	ºC	K/kW	K/kW	kN	パッケージ	交換 AS ENERGI^TM	PDF
5SDF 63B0400	6266	400	1.14*	44	0.962	0.036	180	190	10.0	5.0	22	B	ADF 6300-04-B-00
5SDF 63X0400	6266	400	1.14*	44	0.962	0.036	180	190	10.0	5.0	22	X	ADF 6300-04-X-00
5SDF 90Z0401	9041	400	1.13*	48	0.979	0.032	200	190	5.6	3.6	36.0	Z1	ADF 9000-04-Z-01
5SDF 0102C0400	10159	400	1.14**	70	0.977	0.022	300	190	6.0	3.0	37.5	C	ADF 10200-04-C-00
5SDF 0103Z0401	10266	400	1.20**	54	0.998	0.027	230	190	5.0	2.5	40.0	Z2	ADF 10300-04-Z-01
5SDF 0131Z0401	13058	400	1.14**	70	0.977	0.022	300	190	3.9	2.6	52.5	Z3	ADF 13100-04-Z-01

* – at I_F=5000A, T_{vj max}
** – at I_F=8000A, T_{vj max}

溶接ダイオードの図面とハウジングの寸法：

パッケージタイプ	寸法 ØDxØdxH	重量
B	63x44.4x8 mm	0.14 kg
C	75.5x57x8 mm	0.22 kg
X	61x44.4x8 mm	0.14 kg
Z1	53x47x5 mm	0.10 kg
Z2	56x49.5x5 mm	0.11 kg
Z3	63.5x57x5 mm	0.14 kg

溶接ダイオードの部品番号ガイド：

6300

–

A	–	AS ENERGI^TM
DF	–	製品グループダイオード、高周波.
6300	–	平均オン電流 I_F(AV), Amp.
04	–	電圧クラス V_RRM / 100.
B	–	ハウジング（パッケージ）タイプ.
00	–	バージョン番号.

ハイパワー半導体 AS ENERGI^TM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体（パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど）、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください：

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります！

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。

フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGI^TMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。

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溶接ダイオードの写真：

ビデオディスク型高出力整流ダイオード

整流ダイオードの写真：

ディスク型整流ダイオードの設置に関する推奨事項:

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルク（クランプ力）によって確保されます。

組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール（トルエン、ガソリン、アセトン）を染み込ませて拭き取る (2)。

検査後、電流接点（リード線）を修正し、構造のアライメントを固定するためにピンを取り付ける。

熱伝導のパラメーターを改善するために、組み立ての前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗ることをお勧めします (1) 。

サイリスタ(3)、クーラーの2番目の部分、グラスファイバー製インシュレーター、スラストワッシャーを取り付けます。

トラバース (4) を通し、ナットを均等に締める。ズレがなく、接触面が均一であることを確認してください。

部品が十分にクランプされているが移動可能な場合、クーラーを平らな面に置き、表面の全体的な隣接面の平行度の公差をチェックすることをお勧めします (5).

各ナットを順番に(約 1/4 回転)ストップ (6) にクランプする。トラバースのたわみ量によって、達成されたクランプ力が要求されたものに対応するかどうかが決まる。

取り付け後、ファスナー（ナットとワッシャー）を腐食から保護する必要があります。

パワーダイオードに関するヒントと推奨事項：

パワーサイリスタは、すべてのパラメータについて、その限界負荷で長時間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決定される。

故障したパワーサイリスタを、交換するサイリスタのパラメータに適合するサイリスタと交換する。

周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。

適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを取り除くことを推奨します。

並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しくするために、誘導分流器（多くの場合、撚りトロイダル線）を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。

電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アンバランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続することで、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。

AS ENERGI^{TMを選ぶ理由}

半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
ヨーロッパブランド - 100％の品質、有利な価格、短い生産期間
半導体業界で20年以上の経験
世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
他社製品の類似品を製造している
品質保証、動作保証期間2年

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

パートナーシップの地理

AS ENERGI^TM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています： DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGI^TM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール（サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT）、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。