サイリスタモジュール SKET セミクロン 交換用
Tハイリスタモジュール SKET Semikron は、単一サイリスタという半導体の単一トポロジー(1つのスイッチ)のモノリシック設計です。 負荷が819AまでのDCおよびAC回路で使用され、逆パルス電圧は最大 2200V です。
サイリスタモジュール AMET AS ENERGITMは、SKET Semikronの代替品、同等品、代替半導体デバイスです。
SCRモジュールはSEMIPACK-業界標準のハウジングに収納されているため、既存の機器への組み込みが容易です。
このモジュールは、コストと性能を最適化したアプリケーションの特定の要件に対応する高信頼性の圧接およびはんだ接合技術で設計され、組み立てられています。
サイリスタ・モジュールは、電源および制御ユニット、電気ドライブ、電力調整器、AC調整器、コンバータ、高炉や化学プロセスの制御装置、溶接装置、ACコンバータの整流器など、さまざまな電力機器に使用されています。
サイリスタモジュールの品質保証は、購入日から 2年間です。サイリスタを供給する場合、必要に応じて技術パ スポートと適合証明書を発行しています。
サイリスタモジュールの最終価格は、クラス、数量、納 期、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。
パワーモジュール、サイリスタ、ダイオードの購入に関するご質問は、電子メールでお問い合わせください:
そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!
私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。
フォトギャラリー
フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。
サイリスタモジュールの一般仕様 SKETと交換品
シリーズ | タイプ | IT(AV)M | VRRM VDRM | ITSM IFSM |
I2t | VT(TO) | rT | Rth(j-c) | W | パッケージ, 寸法 |
データシート | 交換とデータシート AS ENERGITM |
|
A | V | A | A2·s | V | mΩ | K/W | g | mm | |||||
SKET 330 | SKET 330/12E | 295 | 1200-2200 | 8000 | 320000 | 1.2 | 0.55 | 0.09 | 840 | パッケージ 4 101x50x52 |
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AMET330-12E | ![]() |
SKET 330/14E | AMET330-14E | ||||||||||||
SKET 330/16E | AMET330-16E | ||||||||||||
SKET 330/18E | AMET330-18E | ||||||||||||
SKET 330/22E | AMET330-22E | ||||||||||||
SKET 400 | SKET 400/08E | 392 | 800-1800 | 12000 | 720000 | 0.92 | 0.3 | 0.09 | 840 | パッケージ 4 101x50x52 |
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AMET400-08E | ![]() |
SKET 400/12E | AMET400-12E | ||||||||||||
SKET 400/14E | AMET400-14E | ||||||||||||
SKET 400/16E | AMET400-16E | ||||||||||||
SKET 400/18E | AMET400-18E | ||||||||||||
SKET 741 | SKET 741/22 E | 819 | 2200 | 26500 | 3500000 | 0.82 | 0.17 | 0.0405 | 1950 | パッケージ 6 176x70x90 |
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AMET741-22E | ![]() |
SKET 801 | SKET 801/18 E | 819 | 1800 | 30000 | 4500000 | 0.82 | 0.17 | 0.0405 | 1950 | パッケージ 6 176x70x90 |
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AMET801-18E | ![]() |
サイリスタモジュール用部品番号ガイド AMET:
A | M | ET | 330 | – | 16 | E |
A | – | ![]() |
M | – | 半導体タイプ モジュール. |
ET | – | 内部接続のトポロジー シングルサイリスタ |
330 | – | 定格電流 (ITAV), A. |
16 | – | 電圧クラス (VRRM/100). |
E | – | dv/dt クラス: E: 1000 V/µs |
パワーモジュールの取り付けに関する推奨事項
ヒートシンクと表面仕様、準備
良好な熱接触を確保し、データシートで規定されている熱接触抵抗値を得るためには、ヒートシンクの接触面を清潔にし、埃の粒子がない状態にしておく必要があります。ヒートシンクの取り付け面は、取り付け工程の直前に、ワイパーやアルコールクリーナー(イソプロパノールなど)で清掃しておくと便利です。以下の機械的仕様を満たす必要があります:
– ヒートシンク取り付け部の凹凸は、100mmあたり50μmとする。
– 粗さ Rz: < 10 μm
– ステップなし > 10 μm
![]() ヒートシンク表面仕様 |
サーマルペーストの塗布
サーマルインターフェース材料を塗布するために、ステンシル印刷を使用することを推奨します。SEMIPACKの場合、サーマルペーストの厚さは50μmから100μmの範囲を推奨します。ローラーによるサーマルペーストの塗布は、最適化されたサーマルペースト厚さの再現性が保証されないため、大量生産には推奨されません。
ヒートシンクへの取付トルク MS
パワーモジュールの固定には、適切なワッシャー、スプリングロックワッシャー、またはコンビネーションスクリューと組み合わせたスチールスクリューの使用を強く推奨します。指定されたトルク値を守ってください。
SEMIPACK 1, 2 はんだ付けモジュール |
SEMIPACK 3 はんだ付け/接着モジュール |
SEMIPACK 3, 4, 5 圧接モジュール |
SEMIPACK 6 圧接モジュール |
|
取付ネジ | 2 個 M5x18 | 4 個 M5x18 | 4 個 M5x20 | 4 個 M6x20 |
取り付け速度 | max. 300 rpm | max. 300 rpm | max. 300 rpm | max. 300 rpm |
予備締め付けトルク | 0.6 Nm | 0.6 Nm | 0.6 Nm | 0.6 Nm |
最終トルク MS | 4.25–5.75 Nm | 4.25–5.75 Nm | 4.25–5.75 Nm | 5.1–6.9 Nm |
予締めトルクと所定のトルク値への増し締めを推奨する。ねじ込み工程では速度を制限する必要があり、空気圧ドライバーで発生する可能性のあるトルクのピークを避けるため、ソフトなトルク制限を推奨する。
ネジは対角線上の順序で、指定されたトルク値 MS に達した。
![]() 取り付け順序の例 |
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
- 半導体業界で20年以上の経験
- 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
- 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
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- 品質保証、動作保証期間2年
品質保証
私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
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