高速サイリスタ、スタッドタイプ、Vishay交換用
スタッド設計の高速サイリスタは汎用サイリスタで、最大1200V(サイリスタタイプにより異なる)の電圧回路で、最大330AのDCおよびAC電流を調整および変換します。
高速サイリスタ(スタッドタイプ)ASTS AS ENERGITM は、高速サイリスタVishay Semiconductorsのスタッドタイプの代替、アナログ、代替品です。
"スタッド装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", サイリスタ冷却用も注文可能。
特長:高電力産業用および送電用アプリケーション向けに設計、低オン電圧降下用に最適化、直列接続および/または並列接続でQrrとVTの値を一致させることが可能。
サイリスタの冷却には空気と水のヒートシンクが使われる。 ヒートシンクとの信頼性の高い熱的・電気的接触を実現するため、組み立て時には締め付けトルクMdを守る必要があります。 組み立て時のサイリスタの放熱を良くするため、熱伝導ペーストを使用する(これは推奨事項であり、取り付けの前提条件ではない)。
特徴:サイリスタはスタッド式で供給されます。サイリスタのベースがアノード、フレキシブルな パワーリードがカソード、パワーリードのベースか ら出るフレキシブルワイヤが補助カソード、ケー スから出るフレキシブルワイヤが制御電極(ゲート) です。このサイリスタは、可動部に使用できることが特 徴です。
高速サイリスタ tq, trr, Qrr の値が高くなり (diT/dt)crit (最大2500A/µs)は、より高い周波数モード(最大10kHz)で動作するように設計されている。 のサイリスタパラメータは、VTM, tq, Qrr は相互に接続されているため、tqとQrr はVTM. 高速サイリスタは、ターンオフ時間が非常に短 いのが特徴で、標準モデルとは一線を画しています。溶接、誘導加熱溶融、電気輸送、ACドライ ブ、UPSなど、短いターンオン、ターンオフ時 間を必要とするシステムに使用されます。サイリスタには、機能部と半導体素子を機械的衝撃や環境から隔離する業界標準のセラミック密閉ハウジングがあります。
サイリスタAS ENERGITMには次のような特長があります:低い静的損失と動的損失、高い値のVDRM/VRRM、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲と100~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然空冷または強制空冷。
サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する際、必要に応じ技術パ スポートと適合証明書を発行します。
スタッド設計の高速サイリスタの最終価格は、電 圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、 支払形態によって異なります。
Vishay高速サイリスタ(スタッドタイプ)の一般仕様と代替品
タイプ | ITAV/IFAV (TC) |
VRRM/VDRM | ITSM IFSM |
I2t | VT(TO) | rT | Tvj max | Rth(j-c) |
W | パッケージ | 交換 AS ENERGITM |
データシート | |
A (ºC) | V | A | kA2·s | V | mΩ | ºC | ºC/W | g | mm | ||||
VS-ST083SP | |||||||||||||
VS-ST083S04PFM1P | 85 (85) | 400 | 2450 | 30 | 1.52 | 2.34 | 125 | 0.025 | 130 | TO-94 (TO-209AC) |
ASTS083S04PFM1P | ![]() |
|
VS-ST083S04PFN1 | ASTS083S04PFN1 | ||||||||||||
VS-ST083S04PFN1P | ASTS083S04PFN1P | ||||||||||||
VS-ST083S08MFM1P | 85 (85) | 800 | 2450 | 30 | 1.52 | 2.34 | 125 | 0.025 | 130 | TO-94 (TO-209AC) |
ASTS083S08MFM1P | ||
VS-ST083S08PFM0P | ASTS083S08PFM0P | ||||||||||||
VS-ST083S08PFM1 | ASTS083S08PFM1 | ||||||||||||
VS-ST083S08PFM1P | ASTS083S08PFM1P | ||||||||||||
VS-ST083S08PFN0 | ASTS083S08PFN0 | ||||||||||||
VS-ST083S08PFN0P | ASTS083S08PFN0P | ||||||||||||
VS-ST083S08PFN1 | ASTS083S08PFN1 | ||||||||||||
VS-ST083S08PFN1P | ASTS083S08PFN1P | ||||||||||||
VS-ST083S08PFN2P | ASTS083S08PFN2P | ||||||||||||
VS-ST083S10PFK0 | 85 (85) | 1000 | 2450 | 30 | 1.52 | 2.34 | 125 | 0.025 | 130 | TO-94 (TO-209AC) |
ASTS083S10PFK0 | ||
VS-ST083S10PFK0P | ASTS083S10PFK0P | ||||||||||||
VS-ST083S10PFK1 | ASTS083S10PFK1 | ||||||||||||
VS-ST083S10PFK1P | ASTS083S10PFK1P | ||||||||||||
VS-ST083S10PFK2P | ASTS083S10PFK2P | ||||||||||||
VS-ST083S12MFK0LP | 85 (85) | 1200 | 2450 | 30 | 1.52 | 2.34 | 125 | 0.025 | 130 | TO-94 (TO-209AC) |
ASTS083S12MFK0LP | ||
VS-ST083S12MFK2LP | ASTS083S12MFK2LP | ||||||||||||
VS-ST083S12PFK0 | ASTS083S12PFK0 | ||||||||||||
VS-ST083S12PFK0LP | ASTS083S12PFK0LP | ||||||||||||
VS-ST083S12PFK0P | ASTS083S12PFK0P | ||||||||||||
VS-ST083S12PFK1 | ASTS083S12PFK1 | ||||||||||||
VS-ST083S12PFK1P | ASTS083S12PFK1P | ||||||||||||
VS-ST103SP | |||||||||||||
VS-ST103S04PFL0P | 105 (85) | 400 | 3000 | 45 | 1.35 | 1.30 | 125 | 0.025 | 130 | TO-94 (TO-209AC) |
ASTS103S04PFL0P | ![]() |
|
VS-ST103S08PFL1P | 105 (85) | 800 | 3000 | 45 | 1.35 | 1.30 | 125 | 0.025 | 130 | ASTS103S08PFL1P | |||
VS-ST103S08PFN1P | ASTS103S08PFN1P | ||||||||||||
VS-ST103S08PFN2P | ASTS103S08PFN2P | ||||||||||||
VS-ST173S | |||||||||||||
VS-ST173S10PFP0 | 175 (85) | 1000 | 4680 | 110 | 1.58 | 0.82 | 125 | 0.012 | 280 | TO-93 (TO-209AB) |
ASTS173S10PFP0 | ![]() |
|
VS-ST173S12PFP0 | 175 (85) | 1200 | 4680 | 110 | 1.58 | 0.82 | 125 | 0.012 | 280 | ASTS173S12PFP0 | |||
VS-ST173S12PFK0 | ASTS173S12PFK0 | ||||||||||||
VS-ST183SP | |||||||||||||
VS-ST183S04MFN1P | 195 (85) | 400 | 4900 | 120 | 1.45 | 0.58 | 125 | 0.012 | 280 | TO-93 (TO-209AB) |
ASTS183S04MFN1P | ![]() |
|
VS-ST183S04PFL0 | ASTS183S04PFL0 | ||||||||||||
VS-ST183S04PFL0P | ASTS183S04PFL0P | ||||||||||||
VS-ST183S04PFL1 | ASTS183S04PFL1 | ||||||||||||
VS-ST183S04PFL1P | ASTS183S04PFL1 | ||||||||||||
VS-ST183S08MFL0 | 195 (85) | 800 | 4900 | 120 | 1.45 | 0.58 | 125 | 0.012 | 280 | TO-93 (TO-209AB) |
ASTS183S08MFL0 | ||
VS-ST183S08MFL0P | ASTS183S08MFL0P | ||||||||||||
VS-ST183S08PFL0 | ASTS183S08PFL0 | ||||||||||||
VS-ST183S08PFL0P | ASTS183S08PFL0P | ||||||||||||
VS-ST183S08PFL1 | ASTS183S08PFL1 | ||||||||||||
VS-ST183S08PFL1P | ASTS183S08PFL1P | ||||||||||||
VS-ST303SP | |||||||||||||
VS-ST303S04PFL0 | 300 (65) | 400 | 7950 | 316 | 1.46 | 0.56 | 125 | 0.008 | 535 | TO-118 (TO-209AE) |
ASTS303S04PFL0 | ![]() |
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VS-ST303S04PFN0 | ASTS303S04PFN0 | ||||||||||||
VS-ST303S04PFN0P | ASTS303S04PFN0P | ||||||||||||
VS-ST303S08PFL1P | 300 (65) | 800 | 7950 | 316 | 1.46 | 0.56 | 125 | 0.008 | 535 | ASTS303S08PFL1P | |||
VS-ST303S12PFK0 | 300 (65) | 1200 | 7950 | 316 | 1.46 | 0.56 | 125 | 0.008 | 535 | ASTS303S12PFK0 | |||
VS-ST303S12PFK0P | ASTS303S12PFK0P | ||||||||||||
VS-ST303S12PFK1 | ASTS303S12PFK1 | ||||||||||||
VS-ST333SP | |||||||||||||
VS-ST333S04PFL0 | 330 (75) | 400 | 11000 | 605 | 0.92 | 0.58 | 125 | 0.008 | 535 | TO-118 (TO-209AE) |
ASTS333S04PFL0 | ![]() |
|
VS-ST333S04PFL0P | ASTS333S04PFL0P | ||||||||||||
VS-ST333S04PFM0P | ASTS333S04PFM0P | ||||||||||||
VS-ST333S08MFL1P | 330 (75) | 800 | 11000 | 605 | 0.92 | 0.58 | 125 | 0.008 | 535 | TO-118 (TO-209AE) |
ASTS333S08MFL1P | ||
VS-ST333S08PFL0 | ASTS333S08PFL0 | ||||||||||||
VS-ST333S08PFL0P | ASTS333S08PFL0P |
位相制御サイリスタの部品番号ガイド:
AS | TS | 33 | 3 | S | 08 | M | F | L | 1 | P |
AS | – | ![]() |
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TS | – | 製品グループ サイリスタスタッド. | ||||||||||||||||
33 | – | 必須品番. | ||||||||||||||||
3 | – | 高速ターンオフサイリスタ | ||||||||||||||||
S | – | 圧縮接着スタッド. | ||||||||||||||||
08 | – | 電圧クラス VRRM / 100. | ||||||||||||||||
M | – | スタッドベース メートルネジ. | ||||||||||||||||
F | – | オフ状態電圧の臨界上昇率のパラメーター (dVD/dt)crit:
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L | – | ターンオフ時間tのパラメータq:
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1 | – | ファストオン端子(ゲートおよび補助カソードリード線). | ||||||||||||||||
P | – | PbF = 鉛(Pb)フリー なし=標準的な生産. |
ハイパワー半導体 AS ENERGITM
当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。
パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールでお問い合わせください:
そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!
私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。
フォトギャラリー
フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。
パワースタッド取付けサイリスタの設置推奨事項:

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルクによって確保されます。
組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)を染み込ませて拭き取る (2)。
熱伝導のパラメーターを改善するには、組み立ての前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗る (3) ことをお勧めします。
取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)は腐食しないように追加で固定する必要があります。
パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:
パワーサイリスタは、すべてのパラメータについて、その限界負荷で長時間動作させるべきではありません。 この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決定される。
故障したパワーサイリスタを、交換するサイリスタ のパラメータに適合するサイリスタと交換する。
周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。
適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを除去することを推奨します。
並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器(多くの場合、撚りトロイ ダル線)を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。
電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
- 半導体業界で20年以上の経験
- 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
- 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
- 他社製品の類似品を製造している
- 品質保証、動作保証期間2年
品質保証
私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
注目の製品