SCR、パワー半導体、インフィニオン交換用クランプ
SCR用クランプは、42mm~75mmのハウジング径、26mm、14mmの高さのディスク装置に適しています。.
片側冷却で十分な場合、Ø75 mm までのサイリスタとダイオードのディスクは、クランプユニットを使用してヒートシンクに簡単に取り付けることができます。ご要望に応じて、当社のディスクハウジングに適したクランプ(片側冷却)をお届けします。
特長:片面冷却で取り付けが簡単で、ディスクハウジングにも適用可能。
ハウジングの直径のリスト: 42 mm, 50mm, 58 mm, 58.5 mm, 66 mm, 69 mm, 74 mm, 75 mm.
クランプは、ディスク型パッケージの電力相制御サイリスタ、SCR、整流ダイオードに使用されます。
クランプの仕様とパラメータ、寸法、図面を以下に示します。
弊社はクランプの購入日から2年間の品質保証を提供します。クランプを供給する際、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。
クランプの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。
クランプ・インフィニオンの一般仕様と代替品
| タイプ | 最大クランプ力 | 直径 | 高さ | クリープ距離 min | 動作温度 | ディスクハウジングに最適 | 住宅 | 交換 AS ENERGITM |
データシート |
| kN | mm | mm | mm | ºC | |||||
| V50-14.45N | 4,5 | Ø42 | 14 | 11 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T42/14 | AV50-14.45N | |
| V50-14.45M | 4,5 | Ø42 | 14 | 11 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T42/14 | AV50-14.45M | |
| V50-14.60N | 6 | Ø42 | 14 | 11 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T42/14 | AV50-14.60N | |
| V50-14.60M | 6 | Ø42 | 14 | 11 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T42/14 | AV50-14.60M | |
| V61-14.80N | 8 | Ø48 | 14 | 11 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T48/14 | AV61-14.80N | |
| V61-14.80M | 8 | Ø48 | 14 | 11 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T48/14 | AV61-14.80M | |
| V72-14.150M | 15 | Ø58 | 14 | 11 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T58/14 | AV72-14.150M | |
| V72-26.80M | 8 | Ø58 | 26 | 23 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T58/26 | AV72-26.80M | |
| V72-26.120M | 12 | Ø58 | 26 | 23 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T58/26 | AV72-26.120M | |
| V72-26.150M | 15 | Ø75 | 26 | 23 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T75/26 | AV72-26.150M | |
| V89-26.300M | 30 | Ø75 | 26 | 26 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T75/26 | AV89-26.300M | |
| V89-26.400M | 40 | Ø75 | 26 | 26 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T75/26 | AV89-26.400M | |
| V100-35.200N | 20 | Ø75 | 26 | 26 | -40 - 130 | ディスク型デバイス | T75/26 | AV100-35.200N |
クランプの部品番号ガイド:
| A | V72 | – | 26 | . | 150M |
| A | – | |
| V72 | – | クランプの種類. |
| 26 | – | 高さ, mm. |
| 150M | – | クランプ力, kN. |
ハイパワー半導体 AS ENERGITM
当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。
パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:
そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!
私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。
フォトギャラリー
フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
- 半導体業界で20年以上の経験
- 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
- 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
- 他社製品の類似品を製造している
- 品質保証、動作保証期間2年
品質保証
私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。
AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
注目の製品

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