サイリスタ・整流ダイオード用空冷ヒートシンクSFシリーズ
空冷ヒートシンクSFシリーズは、パワーSCRサイリスタや整流ダイオードを動作中にディスク設計で冷却するためのものです。
特徴:自然空冷と強制空冷、ディスクパッケージは、マウントクランプ(最大径96ミリメートル)の多くの種類に適用されます。
設置に関する推奨事項
冷却体のメサの平行度と平坦度をチェックする。ヒートシンクは、デバイスのメサと互換性がなければなりません、平坦化圧力斜め、デバイスへの損傷を防ぐ。メサは、油盗品などのない清潔な状態を維持する必要があります。完全にメサヒートシンクに平行なデバイスを確保し、同心。組み立てるときは、サイリスタ、ダイオードのパッケージの各タイプに固有の必要なクランプ力を提供する必要があります。
空冷ヒートシンクの種類 SF11, SF12, SF13, SF14, SF15, SF16, SF17, SF18 – 空冷ヒートシンク; SF12BL, SF13BL, SF15BL, SF15CL – 二重装置および逆並列接続電源セット用空冷ヒートシンク。
空冷ヒートシンク(放熱器)の仕様、パラメータ、寸法、図面を以下に示す。
当社は空冷ヒートシンクSFシリーズについて、ご購入日より2年間の品質保証を行っております。ヒートシンクを提供する際、必要に応じて技術パスポートを提供します。
空冷ヒートシンクSFシリーズの最終価格は、数量、納期、メーカー、原産国、お支払い方法によって異なります。
SF11, SF12, SF13 単品仕様空冷ヒートシンク
SF14, SF15, SF16, SF17, SF17A, SF18, SF18A 単品仕様空冷ヒートシンク
SF12BL ダブルデバイス仕様空冷ヒートシンク
タイプ | 表面直径 | 適用ケース表面 | 取り付け力 P | 熱抵抗 | 流動抵抗 | 重量 | 申し込み | データシート |
mm | mm | kN | °C/W | Pa | kg | |||
SF12BL | Ø27 | Ø19-Ø25 | 3.3-20 | 0.150 | 45 | ≥ 3.0 | 200Aエレメントアセンブリ、逆並列接続パワーセット、風速 ≥ 4m/秒 | ![]() |
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SF13BL ダブルデバイス用空冷ヒートシンク仕様
タイプ | 表面直径 | 適用ケース表面 | 取り付け力 P | 熱抵抗 | 流動抵抗 | 重量 | 申し込み | データシート |
mm | mm | kN | °C/W | Pa | kg | |||
SF13BL | Ø66 | Ø34 | 5.5-25 | 0.130 | 45 | ≥ 4.1 | 200A-300A エレメント・アセンブリ、逆並列接続パワー・セット、風速 ≥ 4m/sec | ![]() |
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SF15BL ダブルデバイス用空冷ヒートシンク仕様
タイプ | 表面直径 | 適用ケース表面 | 取り付け力 P | 熱抵抗 | 流動抵抗 | 重量 | 申し込み | データシート |
mm | mm | kN | °C/W | Pa | kg | |||
SF15BL | Ø82 | Ø34-Ø45 | 10-34 | 0.090 | 45 | ≥ 8.0 | 300A-500A エレメント・アセンブリ、逆並列接続パワー・セット、風速 ≥ 4m/秒 | ![]() |
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SF15CL ダブルデバイス仕様空冷ヒートシンク
タイプ | 表面直径 | 適用ケース表面 | 取り付け力 P | 熱抵抗 | 流動抵抗 | 重量 | 申し込み | データシート |
mm | mm | kN | °C/W | Pa | kg | |||
SF15CL | Ø82 | Ø34-Ø45 | 10-34 | 0.090 | 45 | ≥ 8.0 | 300A-500Aエレメントアセンブリ、および逆並列接続パワーセット、風速 ≥ 6m/秒 | ![]() |
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ハイパワー半導体 AS ENERGITM
当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。
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フォトギャラリー
フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。
空気ヒートシンク付き円板サイリスタの推奨組み立て方法:

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルク(クランプ力)によって確保されます。
組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)を染み込ませて拭き取る (2)。
検査後、電流接点(リード線)を修正し、構造のアライメントを固定するためにピンを取り付ける。
熱伝導のパラメーターを改善するために、組み立ての前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗ることをお勧めします (1) 。
サイリスタ(3)、クーラーの2番目の部分、グラスファイバー製インシュレーター、スラストワッシャーを取り付けます。
トラバース (4) を通し、ナットを均等に締める。 ズレがなく、接触面が均一であることを確認してください。
部品が十分にクランプされているが移動可能な場合、クーラーを平らな面に置き、表面の全体的な隣接面の平行度の公差をチェックすることをお勧めします (5).
各ナットを順番に(約 1/4 回転)ストップ (6) にクランプする。 トラバースのたわみ量によって、達成されたクランプ力が要求されたものに対応するかどうかが決まる。
取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)を腐食から保護する必要があります。
パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:
パワーサイリスタは、すべてのパラメー タに対して、限界負荷で長時 間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決まります。
故障した電源サイリスタを、交換するサイリスタのパラメー タに適合するサイリスタと交換する。
周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。
適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを取り除くことを推奨します。
並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器(多くの場合、撚りトロイ ダル線)を使用する必要があります。最もポピュラーな接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。
電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
- 半導体業界で20年以上の経験
- 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
- 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
- 他社製品の類似品を製造している
- 品質保証、動作保証期間2年
品質保証
私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
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