インバータサイリスタ クバラ・ラミナ交換
インバータサイリスタは、サイリスタ SCR(シリコン制御整流器)としても知られ、スタッドとディスクバージョンは汎用サイリスタで、1800Vまでの電圧の回路で1000Aまでの直流と交流電流を調整し、変換します(サイリスタのタイプによって異なります)。
サイリスタ A-TSP, A-TDP AS ENERGITMは、インバータサイリスタKubara Laminaの置き換え、アナログ、代替品です。
"ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ" サイリスタ冷却用も注文可能。
インバータサイリスタは、コンデンサなどの蓄積エネル ギー源を負荷に結合したり、バール回路の場合に負荷を バイパスして保護するために使用されます。電流の立ち上がり速度が非常に速いこのようなパルス電源アプリケーションでは、パルス電源スイッチが閉路スイッチとして動作し、通常の位相制御サイリスタ(SCRS)は、発生する高い di/dt のために故障する可能性があります。
サイリスタAS ENERGITMには次のような特長があります:低い静的損失と動的損失、高い値のVDRM/VRRM、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲と10~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然空冷または強制空冷。
サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する際、必要に応じ技術パ スポートと適合証明書を発行します。
インバータ用サイリスタの最終価格は、電圧クラス、数量、納期、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。
インバータサイリスタ久原ラミナと交換品の一般仕様
タイプ | IT(AV) (TC) |
VDRM VRRM |
ITSM | I2t | VT0 | rT | tq | RthJC | Tvj max | 重量 | パッケージ | 交換 AS ENERGITM |
データシート |
A | V | kA | kA2·s | V | mΩ | µs | °C/W | ºC | g | ||||
サイリスタ スタッドタイプ | |||||||||||||
P71-225-12 | 225 (80) | 1200 | 6.1 | 186 | - | - | 25 | 0.1 | 125 | 500 | 8 | A-TSP71-225-12 | ![]() |
P71-225-16 | 225 (80) | 1600 | 6.1 | 186 | - | - | 25 | 0.1 | 125 | 500 | 8 | A-TSP71-225-16 | ![]() |
P71-300-06 | 300 (75) | 600 | 7.4 | 274 | - | - | 20 | 0.1 | 125 | 500 | 8 | A-TSP71-300-06 | ![]() |
P71-300-08 | 300 (75) | 800 | 7.4 | 274 | - | - | 20 | 0.1 | 125 | 500 | 8 | A-TSP71-300-08 | ![]() |
P71-300-12 | 300 (75) | 1200 | 7.4 | 274 | - | - | 20 | 0.1 | 125 | 500 | 8 | A-TSP71-300-12 | ![]() |
P71-300-14 | 300 (75) | 1400 | 7.4 | 274 | - | - | 20 | 0.1 | 125 | 500 | 8 | A-TSP71-300-14 | ![]() |
サイリスタ ディスクタイプ | |||||||||||||
P73-500-08 | 500 (70) | 800 | 8 | 320 | - | - | 20 | 0.06 | 125 | 280 | 14 | A-TDP73-500-08 | ![]() |
P73-500-10 | 500 (70) | 1000 | 8 | 320 | - | - | 20 | 0.06 | 125 | 280 | 14 | A-TDP73-500-10 | ![]() |
P73-500-12 | 500 (70) | 1200 | 8 | 320 | - | - | 20 | 0.06 | 125 | 280 | 14 | A-TDP73-500-12 | ![]() |
P75-600-14 | 600 (55) | 1400 | 7 | 245 | 1.37 | 0.62 | 32 | 0.04 | 125 | 85 | 13 | A-TDP75-600-14 | ![]() |
P75-600-16 | 600 (55) | 1600 | 7 | 245 | 1.37 | 0.62 | 32 | 0.04 | 125 | 85 | 13 | A-TDP75-600-16 | ![]() |
P75-700-08 | 700 (55) | 800 | 9.2 | 423 | 1.14 | 0.475 | 25 | 0.04 | 125 | 85 | 13 | A-TDP75-700-08 | ![]() |
P75-700-10 | 700 (55) | 1000 | 9.2 | 423 | 1.14 | 0.475 | 25 | 0.04 | 125 | 85 | 13 | A-TDP75-700-10 | ![]() |
P75-700-12 | 700 (55) | 1200 | 9.2 | 423 | 1.14 | 0.475 | 25 | 0.04 | 125 | 85 | 13 | A-TDP75-700-12 | ![]() |
P83-500-16 | 500 (80) | 1600 | 8 | 320 | 1.35 | 0.65 | 40 | 0.037 | 125 | 280 | 14 | A-TDP83-500-16 | ![]() |
P83-600-08 | 600 (75) | 800 | 9.6 | 460 | 1.2 | 0.52 | 20 | 0.037 | 125 | 280 | 14 | A-TDP83-600-08 | ![]() |
P83-600-10 | 600 (75) | 1000 | 9.6 | 460 | 1.2 | 0.52 | 20 | 0.037 | 125 | 280 | 14 | A-TDP83-600-10 | ![]() |
P83-600-12 | 600 (75) | 1200 | 9.6 | 460 | 1.2 | 0.52 | 20 | 0.037 | 125 | 280 | 14 | A-TDP83-600-12 | ![]() |
P83-600-14 | 600 (75) | 1400 | 9.6 | 460 | 1.2 | 0.52 | 32 | 0.037 | 125 | 280 | 14 | A-TDP83-600-14 | ![]() |
P95-900-16 | 900 (75) | 1600 | 15 | 1125 | 1.37 | 0.37 | 63 | 0.023 | 125 | 480 | 15 | A-TDP95-900-16 | ![]() |
P95-900-18 | 900 (75) | 1800 | 15 | 1125 | 1.37 | 0.37 | 63 | 0.023 | 125 | 480 | 15 | A-TDP95-900-18 | ![]() |
P95-1000-08 | 1000 (75) | 800 | 15 | 1125 | 1.33 | 0.27 | 20 | 0.023 | 125 | 480 | 15 | A-TDP95-1000-08 | ![]() |
P95-1000-10 | 1000 (75) | 1000 | 15 | 1125 | 1.33 | 0.27 | 20 | 0.023 | 125 | 480 | 15 | A-TDP95-1000-10 | ![]() |
P95-1000-12 | 1000 (75) | 1200 | 15 | 1125 | 1.33 | 0.27 | 20 | 0.023 | 125 | 480 | 15 | A-TDP95-1000-12 | ![]() |
P95-1000-14 | 1000 (75) | 1400 | 15 | 1125 | 1.33 | 0.27 | 20 | 0.023 | 125 | 480 | 15 | A-TDP95-1000-14 | ![]() |
インバータ用サイリスタの部品番号ガイド:
A | – | TDP | 8 | 3 | – | 600 | – | 08 |
A | – | ![]() |
TDP | – | 製品グループ インバータサイリスタ(ディスクタイプ). |
8 | – | 要素サイズコード. |
3 | – | ケースタイプコード 1 – スタッドベース、セラミックハウジング 2 – スタッドベース、ガラス金属ハウジング 3,5 – セラミック、ホッケープクケース 4 – フラットベース、セラミックハウジング 6 – フラットベース、ガラス金属ハウジング |
600 | – | 開放状態の平均電流 IT(AV), Amp. |
08 | – | 電圧クラス VRRM / 100. |
ハイパワー半導体 AS ENERGITM
当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。
パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールでお問い合わせください:
そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!
私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。
フォトギャラリー
フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。
パワーサイリスタの設置に関する推奨事項:

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルク(クランプ力)によって確保されます。
組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)を染み込ませて拭き取る (2)。
検査後、電流接点(リード線)を修正し、構造のアライメントを固定するためにピンを取り付ける。
熱伝導のパラメーターを改善するために、組み立ての前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗ることをお勧めします (1) 。
サイリスタ(3)、クーラーの2番目の部分、グラスファイバー製インシュレーター、スラストワッシャーを取り付けます。
トラバース (4) を通し、ナットを均等に締める。 ズレがなく、接触面が均一であることを確認してください。
部品が十分にクランプされているが移動可能な場合、クーラーを平らな面に置き、表面の全体的な隣接面の平行度の公差をチェックすることをお勧めします (5).
各ナットを順番に(約 1/4 回転)ストップ (6) にクランプする。 トラバースのたわみ量によって、達成されたクランプ力が要求されたものに対応するかどうかが決まる。
取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)を腐食から保護する必要があります。
パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:
パワーダイオードは、すべてのパラメータに対して限界負荷で長時間動作させるべきではありません。 この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決定される。
故障したパワーダイオードを、交換するダイオードのパラメータと一致するダイオードと交換する。
周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。
適切な熱放散を確保するため、パワーダイオードとクーラーを定期的に清掃し、ほこりや汚れを取り除くことを推奨します。
並列接続されたパワーダイオード間の電流を等しくするために、誘導分流器(多くの場合、ツイストされたトロイダル・ワイヤー)を使用すべきである。最も一般的な接続方法は、閉回路、共通コイル回路、パワーダイオードである。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積によって決まる。
パワーダイオードが直列に接続されている場合の電圧アンバランスの防止は、各ダイオードに並列に接続されたシャント抵抗を使用することで達成される。過渡状態での電圧均一化は、各ダイオードに並列にコンデンサを接続することで実現します。

動作中に高電圧下のパワーダイオードに触れることは厳禁である。
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
- 半導体業界で20年以上の経験
- 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
- 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
- 他社製品の類似品を製造している
- 品質保証、動作保証期間2年
品質保証
私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
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