ディスク型サイリスタ・整流ダイオード用空冷ヒートシンク
空冷ヒートシンクは、ディスク型パワーSCRサイリスタと整流ダイオードを動作中に片面および両面冷却するためのものです。
ヒートシンクは、100A超から6300Aまでの電流および7000Vまでの電圧VDRM/VRRMの半導体デバイスに使用されます。
ヒートシンクは、Ø19 mm~Ø100 mmの接触面直径を持つディスク(タブレット)型半導体に使用されます。
特徴:自然空冷と強制空冷、耐腐食性アルミニウム合金、低熱抵抗、取り付けスロットで簡単にインストールすることができます。
デバイスの最小電気損失と最大放熱のためには、パワーデバイスの仕様で指定された適切な取り付け力Fmを守る必要があります。
ディスク型SCRサイリスタおよび整流ダイオードの電流範囲: 100A, 150A, 160A, 200A, 250A, 300A, 320A, 400A, 500A, 600A, 630A, 800A, 1000A, 1250A, 1500A, 1600A, 2000A, 2500A, 3000A, 3200A, 4000A, 5000A, 6000A, 6300A.
ヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、異なる気候条件で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。
クーラー付きタブラーデザインの半導体デバイス(パワーダイオード、サイリスタ)の組み立ては、クランプボルトとトラバースによって行われます。
ヒートシンクとパワーデバイスの接触面は、粗さと平坦度の偏差が小さくなければならない。
ヒートシンク、電流接点、半導体デバイスの接触面を取り付ける前に、アルコール(トルエン、ベンゼン、アセトン)を染み込ませた布で拭き、シリコン有機熱伝導ペーストを薄く塗って潤滑することを推奨します(これは推奨事項であり、取り付けの前提条件ではありません)。
空冷ヒートシンク(放熱器)の仕様、パラメータ、寸法、図面を以下に示す。
弊社は空冷ヒートシンクの品質保証を購入日から2年間提供します。ヒートシンクを提供する際、必要に応じて技術パスポートを提供します。
空冷ヒートシンクの最終価格は、数量、納期、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。
ディスク型パワー半導体用空冷ヒートシンク
タイプ | 接触面直径 | 自然冷却による放熱 (PF) |
熱抵抗 Rth(h-a) | フローレジスト ΔPh | 取り付け力 Fm, max | 冷却表面積 | 重量 | 概要、寸法 B×L×H | 電流用デバイスに適用される | |
自然冷却 | 強制冷却 (気流 Vcfh=6 m/s) | |||||||||
mm | W | °C/W | °C/W | Pa | kN | cm2 | kg | mm | ||
![]() O123 |
Ø22 | 120 | 0.710 | 0.212 | 20 | 8 ± 1.5 | - | 2.0 | ![]() |
100A - 500A |
![]() O143 |
Ø42 | 120 | 0.500 | 0.125 | 30 | 15 ± 1.5 | 3656.9 | 3.0 | ![]() |
200A - 2000A |
![]() O243 |
Ø42 | 220 | 0.280 | 0.080 | 30 | 15 ± 1.5 | 5957.2 | 5.8 | ![]() |
200A - 2000A |
![]() O343 |
Ø42 | 220 | 0.355 | 0.100 | 30 | 15 ± 1.5 | 5957.2 | 5.3 | ![]() |
200A - 2000A |
![]() O153 |
Ø55 | 220 | 0.260 | 0.075 | 30 | 26 ± 2 | 5957.2 | 6.0 | ![]() |
500A - 6300A |
![]() O253 |
Ø55 | 220 | 0.355 | 0.100 | 30 | 26 ± 2 | 5957.2 | 5.5 | ![]() |
500A - 6300A |
![]() O173 |
Ø76 | 400 | 0.195 | 0.060 | 35 | 50 ± 10 | - | 12 | ![]() |
1000A - 6300A |
![]() O273 |
Ø76 | 500 | 0.166 | 0.047 | 40 | 50 ± 10 | - | 13 | ![]() |
1000A - 6300A |
![]() O193 |
Ø100 | 650 | 0.107 | 0.030 | 50 | 80 ± 10 | - | 28 | ![]() |
1600A - 6300A |
空冷ヒートシンクのディスク型半導体への応用
タイプ | 接触面直径 | 応用機器ハウジング | 電流用デバイスに適用される | アプリケーション パッケージ・タイプ |
申し込み ダイオード、サイリスタタイプ |
|
接触面 | 外径 | |||||
O123 | Ø22 | Ø19-Ø22 | Ø42 | 100A - 500A | PD21, PD22, PD23, PT21, PT21-1, PT23 | DL123, T123, T223, T323, TFI323 |
O143 | Ø42 | Ø25-Ø38 | Ø42-Ø60 | 200A - 2000A | PD32, PD42, PD43, PD44, PT31, PT32, PT41, PT42, PT43, D.B1, D.B2, D.C2, T.B2, T.B3, T.C1, T.C2, T.C3 | D133, D233, D143, D243, T133, T233, T333, T433, T933, TF133, TF233, TF333, TF433, TF833, TF933, TFI133, TFI233, TFI333, TFI433, TFI533, TFI833, TFI933, T143, T243, T343, T443, T643, T743, TF143, TF243, TF343, TF943, TFI143, TFI243, TFI343, TFI443, TFI543, TFI643 |
O243 | Ø42 | Ø25-Ø38 | Ø42-Ø60 | 200A - 2000A | PD32, PD42, PD43, PD44, PT31, PT32, PT41, PT42, PT43, D.B1, D.B2, D.C2, T.B2, T.B3, T.C1, T.C2, T.C3 | D133, D233, D143, D243, T133, T233, T333, T433, T933, TF133, TF233, TF333, TF433, TF833, TF933, TFI133, TFI233, TFI333, TFI433, TFI533, TFI833, TFI933, T143, T243, T343, T443, T643, T743, TF143, TF243, TF343, TF943, TFI143, TFI243, TFI343, TFI443, TFI543, TFI643 |
O343 | Ø42 | Ø25-Ø38 | Ø42-Ø60 | 200A - 2000A | PD32, PD42, PD43, PD44, PT31, PT32, PT41, PT42, PT43, D.B1, D.B2, D.C2, T.B2, T.B3, T.C1, T.C2, T.C3 | D133, D233, D143, D243, T133, T233, T333, T433, T933, TF133, TF233, TF333, TF433, TF833, TF933, TFI133, TFI233, TFI333, TFI433, TFI533, TFI833, TFI933, T143, T243, T343, T443, T643, T743, TF143, TF243, TF343, TF943, TFI143, TFI243, TFI343, TFI443, TFI543, TFI643 |
O153 | Ø55 | Ø42-Ø51 | Ø60-Ø75 | 500A - 6300A | PD50, PD53, PD54, PT51, PT53, PT53-1, PT54, PTO54, D.D2, T.D1, T.D2, T.D5 | D153, D253, DL153, T153, T253, T353, T453, T553, T653, T753, T853, T953, TF153, TF253, TF453, TF553, TF953, TFI153, TFI253, TFI353, TFI453, TL253 |
O253 | Ø55 | Ø42-Ø51 | Ø60-Ø75 | 500A - 6300A | PD50, PD53, PD54, PT51, PT53, PT53-1, PT54, PTO54, D.D2, T.D1, T.D2, T.D5 | D153, D253, DL153, T153, T253, T353, T453, T553, T653, T753, T853, T953, TF153, TF253, TF453, TF553, TF953, TFI153, TFI253, TFI353, TFI453, TL253 |
O173 | Ø76 | Ø60-Ø75 | Ø85-Ø112 | 1000A - 6300A | PD63, PD73, PT63, PT73, D.F1, D.F3, T.F1, T.F2, T.F5 | D163, D173, T163, T263, T663, TFI163, TFI263, T173, T273, T373, T673, TF173, TF273, TFI173, TFI273, TFI373, TFI473, TFI573, TFI673, TFI773, TFI873 |
O273 | Ø76 | Ø60-Ø75 | Ø85-Ø112 | 1000A - 6300A | PD63, PD73, PT63, PT73, D.F1, D.F3, T.F1, T.F2, T.F5 | D163, D173, T163, T263, T663, TFI163, TFI263, T173, T273, T373, T673, TF173, TF273, TFI173, TFI273, TFI373, TFI473, TFI573, TFI673, TFI773, TFI873 |
O193 | Ø100 | Ø80-Ø100 | Ø120-Ø150 | 1600A - 6300A | PD83, PD93, PT83, PT93, PT94, PTT94, PTO95, D.G1, T.H1, T.G5 | D183, D193, T183, T283, T383, T583, T683, TFI183, T193, T293, T393, T693, TFI193 |
空冷ヒートシンクの部品番号ガイド:
O | 1 | 5 | 3 | – | 150 |
O | – | 製品グループ 半導体用ヒートシンク. |
1 | – | ヒートシンク設計変更のシリアル番号. |
5 | – | ディスク型ヒートシンクの接触面直径によるシリーズ分け. |
3 | – | デバイスのヒートシンク設計変更のシリアル番号: 1 - 両面冷却ディスク設計. |
150 | – | ヒートシンクの長さ, mm. |
ハイパワー半導体 AS ENERGITM
当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
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フォトギャラリー
フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。
円板サイリスタをエアヒートシンクで組み立てる際の推奨事項:

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルク(クランプ力)によって確保されます。
組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)を染み込ませて拭き取る (2)。
検査後、電流接点(リード線)を修正し、構造のアライメントを固定するためにピンを取り付ける。
熱伝導のパラメーターを改善するために、組み立ての前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗ることをお勧めします (1) 。
サイリスタ(3)、クーラーの2番目の部分、グラスファイバー製インシュレーター、スラストワッシャーを取り付けます。
トラバース (4) を通し、ナットを均等に締める。 ズレがなく、接触面が均一であることを確認してください。
部品が十分にクランプされているが移動可能な場合、クーラーを平らな面に置き、表面の全体的な隣接面の平行度の公差をチェックすることをお勧めします (5).
各ナットを順番に(約 1/4 回転)ストップ (6) にクランプする。 トラバースのたわみ量によって、達成されたクランプ力が要求されたものに対応するかどうかが決まる。
取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)を腐食から保護する必要があります。
パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:
パワーサイリスタは、すべてのパラメー タに対して、限界負荷で長時 間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決まります。
故障した電源サイリスタを、交換するサイリスタのパラメー タに適合するサイリスタと交換する。
周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。
適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを除去することを推奨します。
並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器(多くの場合、撚りトロイ ダル線)を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。
電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
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品質保証
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お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
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