インバータ用サイリスタ P75-700-08 クバラ・ラミナ 交換用

クバラ・ラミナ品番 P75-700-08
平均オン状態電流, IT(AV)M (TC) 700А (55ºC)
電圧, VDRM/VRRM 800V
パッケージ
寸法
13
42x25x15
データシート
交換 AS ENERGITM A-TDP75-700-08
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インバータ サイリスタ A-TDP75-700-08 AS ENERGITMはインバータサイリスタP75-700-08クバララミナの代替、アナログ、代替、等価半導体デバイスです。 平均順方向オン電流 ITAV700 アンペア, 繰り返しピーク順方向および逆方向阻止電圧 VDRM/VRRM800V. "ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ" サイリスタ冷却用のご注文も承ります。

インバータサイリスタは、コンデンサなどの蓄積エネル ギー源を負荷に結合したり、バール回路の場合に負荷を バイパスして保護するために使用されます。電流の立ち上がり速度が非常に速いこのようなパルス電源アプリケーションでは、パルス電源スイッチが閉路スイッチとして動作し、通常の位相制御サイリスタ(SCRS)は、発生する高い di/dt のために故障する可能性があります。

サイリスタAS ENERGITMには次のような特長があります:低い静的損失と動的損失、高い値のVDRM/VRRM、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲と100~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然空冷または強制空冷。

P75-700-08および交換用A-TDP75-700-08の仕様とパラメータ、データシートPDF、寸法図面については、以下のとおりです。

サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する際、必要に応じ技術パ スポートと適合証明書を発行します。

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インバータ用サイリスタの最終価格は、電圧クラス、数量、納期、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

インバータサイリスタ久原ラミナの一般仕様と交換:

サイリスタ仕様 P75-700-08
最大許容平均順電流(ケース温度) IT(AV)M (TC) 700 A (55ºC)
繰り返しパルス閉状態電圧;繰り返しパルス逆電圧 VDRM/VRRM 800 V
オン状態のサージ電流 ITSM 9.2 kA
安全係数 I2t 423 kA2·s
しきい値電圧 VT0 1.14 V
オンステート傾斜抵抗 rT 0.475 mΩ
オン状態のピーク電圧 VTM 1.9 V
オン状態のピーク電流 ITM 1500 A
ゲート電流 IGT 300 mA
ゲート電圧 VGT 3 V
ターンオフ時間 tq 25 µs
繰り返しオン状態電流の上昇率 di/dt 400 A/µs
オフ電圧の臨界上昇率 dv/dt 320 V/µs
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 0.04 °C/W
pn接合の温度 Tvj -40...+125 ºC
クランプ力 Fm 9.0-11.0 kN
重量 W 85 g
パッケージ(ハウジング) タイプ 13
寸法 ØDxØdxH 42x25x15
交換 AS ENERGITM タイプ A-TDP75-700-08
データシート PDF

インバータ用サイリスタ A-TDP75-700-08 の部品番号ガイド:

A TDP 7 5 700 08
A brand AS ENERGITM
TDP 製品グループ インバータサイリスタ.
7 要素サイズコード.
5 ケースタイプコード
1 – スタッドベース、セラミックハウジング
2 – スタッドベース、ガラス金属ハウジング
3,5 – セラミック、ホッケープクケース
4 – フラットベース、セラミックハウジング
6 – フラットベース、ガラス金属ハウジング
700 開放状態の平均電流 IT(AV), Amp.
08 電圧クラス VRRM / 100.

位相制御サイリスタP75-700-08と交換用A-TDP75-700-08の寸法:

P75-700-08 寸法

パッケージ 13


ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールでお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


パワーサイリスタの設置に関する推奨事項:

ヒートシンク付きディスクサイリスタの組み立て

全温度範囲にわたってサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気接触の信頼性は、適切なトルク(クランプ力)によって確保されます。

組み立ての前に 目視検査 (1) 接触面の機械的損傷と ワイプ (2), アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)に浸した。

検査後, 現在のコンタクトを修正する (leads), ピンを取り付ける 構造体のアライメントを固定する。

熱伝導のパラメーターを改善するために、次のことを推奨する 潤滑 (3) これは取り付けの必須条件ではない。

サイリスタを取り付ける (3), クーラーの2番目の部分、グラスファイバー製のインシュレーターとスラストワッシャー

トラバースを通す (4) そして ナットを均等に締める. 確認する ミスアライメントなし そして 平等 接触面の.

部品が十分にクランプされているが動かせる場合は、クーラーを平らな場所に置き、次のことを行うことを推奨する 並列性の許容範囲のチェック 表面の全体的な隣接面の (5).

各ナットをクランプする 順々に (約1/4回転) 停留所まで (6). トラバースのたわみ量によって、達成されたクランプ力が要求されたものに対応するかどうかが決まる。

取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)を腐食から保護する必要があります。


パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:

パワー用サイリスタは、すべてのパラメータに 対して、限界負荷で長時間運転 するべきではありません。

故障したパワー用サイリスタ は、交換するパワー用サイリスタのパラメータ に合ったサイリスタと交換してください。

周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。

適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを除去することを推奨します。

並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器(多くの場合、撚りトロイ ダル線)を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。

電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。

デバイスの電圧不足

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


注目の製品

 

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