高速サイリスタ VS-ST303S04PFN0、スタッドタイプ、Vishay交換用

ビシェイ部品番号	VS-ST303S04PFN0
平均オン状態電流, I_T(AV)M (T_C)	300A (65ºC)
電圧, V_DRM/V_RRM	400 V
スタッドスレッド	3/4"-16UNF-2A
データシート
交換 AS ENERGI^TM	ASTS303S04PFN0
カートに入れる	ご要望に応じて + –

高速サイリスター ASTS303S04PFN0スタッド設計のAS ENERGI^TMは、スタッド型高速サイリスタVS-ST303S04PFN0 Vishay Semiconductorsの代替、アナログ、代替、同等の半導体デバイスです。

平均順方向オン電流 I_TAV – 300 アンペア, 繰り返しピーク順方向および逆方向阻止電圧 V_DRM/V_RRM – 400V. スタッドサイリスタは、直流と交流の電流を変換して制御するように設計されています。"スタッド装置用空冷ヒートシンクOシリーズ" サイリスタ冷却用も注文可能。

サイリスタの冷却には空気と水のヒートシンクが使われる。ヒートシンクとの信頼性の高い熱的・電気的接触を実現するため、組み立て時には締め付けトルクM_dを守る必要があります。組み立て時のサイリスタの放熱を良くするため、熱伝導ペーストを使用する（これは推奨事項であり、取り付けの前提条件ではない）。

高速サイリスタ t_q, t_rr, Q_rr の値が高くなり (di_T/dt)_crit (最大2500A/µs）は、より高い周波数モード（最大10kHz）で動作するように設計されている。のサイリスタパラメータは、V_TM, t_q, Q_rr は相互に接続されているため、tqとQ_rr はV_TM. 高速サイリスタは、ターンオフ時間が非常に短いのが特徴で、標準モデルとは一線を画しています。溶接、誘導加熱溶融、電気輸送、ACドライブ、UPSなど、短いターンオン、ターンオフ時間を必要とするシステムに使用されます。サイリスタには、機能部と半導体素子を機械的衝撃や環境から隔離する業界標準のセラミック密閉ハウジングがあります。

特徴：サイリスタはスタッド式で供給されます。サイリスタのベースがアノード、フレキシブルなパワーリードがカソード、パワーリードのベースから出るフレキシブルワイヤが補助カソード、ケースから出るフレキシブルワイヤが制御電極（ゲート）です。このサイリスタは、可動部に使用できることが特徴です。

高速サイリスタAS ENERGI^TMの特長は、静的損失と動的損失が低いこと、V_DRM/V_RRMの値が高いこと、さまざまな産業での使用実績が豊富であること、電圧範囲が100～9000 V、アンペア数が10～15000 Aであること、熱サイクルおよび電気サイクルに対する耐性が高いこと、自然空冷または強制空冷であることです。

仕様とパラメータ、データシートPDF、寸法、図面を以下に示します。

サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する際、必要に応じ技術パスポートと適合証明書を発行します。

スタッド設計の高速サイリスタの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

高速サイリスタ（スタッドタイプ） VS-ST303S04PFN0 Vishayの一般仕様と交換について：

高速サイリスタ仕様		VS-ST303S04PFN0
最大許容平均順電流（ケース温度）	I_T(AV) (T_C)	300 A (65ºC)
繰り返しパルス閉状態電圧；繰り返しパルス逆電圧	V_DRM/V_RRM	400 V
実効オン状態電流	I_TRMS	471 A
オン状態のサージ電流	I_TSM	7950 A
安全係数	I²t	316 kA²·s
しきい値電圧	V_T0	1.46 V
オンステート傾斜抵抗	r_T	0.56 mΩ
オン状態のピーク電圧	V_TM	2.16 V
オン状態のピーク電流	I_TM	1255 A
ターンオフ時間、最大	t_q	10-20 µs
pn接合の温度	T_{vj max}	0.008 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース	R_th(j-c)	48.5 K/W
取り付けトルク、無潤滑スレッド	M_d ± 10 %	535 N
重量	W	130 g
パッケージ（ハウジング）	タイプ	TO-118 (TO-209AE)
スタッドスレッド	Ød	3/4"-16UNF-2A
交換 AS ENERGI^TM	タイプ	ASTS303S04PFN0
データシート	PDF

高速サイリスタの部品番号ガイド：

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AS ENERGI^TM

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製品グループ: サイリスタボルト.

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必須部品の数.

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高速スイッチオフ付きサイリスタ

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圧接用ボルト.

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電圧クラス V_RRM / 100.

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ボルトベース 3/4"-16UNF-2A フィルス.

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ロック状態における臨界電圧上昇率のパラメーター (dV_D/dt)_crit:

文字コーディング	C	D	E	F	H
価値, V/µs	20	50	100	200	400

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スイッチオフ時間の設定 t_q:

文字コーディング	N	M	L	P	K	J	H
価値, µs	10	12	15	18	20	25	30

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アイ端子（ゲート線と補助カソード線）.

パワー高速サイリスタの極性（アノード、カソード、ゲート）：

ハイパワー半導体 AS ENERGI^TM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体（パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど）、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールでお問い合わせください：

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります！

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。

フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGI^TMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。

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パワースタッド取付けサイリスタの設置推奨事項：

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルクによって確保されます。

組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール（トルエン、ガソリン、アセトン）を染み込ませて拭き取る (2)。

熱伝導のパラメーターを改善するには、組み立ての前にシリコン熱伝導性ペーストを薄く塗る (3) ことをお勧めします。

取り付け後、ファスナー（ナットとワッシャー）は腐食しないように追加で固定する必要があります。

パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項：

パワーサイリスタは、すべてのパラメータについて、その限界負荷で長時間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決定される。

故障したパワーサイリスタを、交換するサイリスタのパラメータに適合するサイリスタと交換する。

周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。

適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを除去することを推奨します。

並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しくするために、誘導分流器（多くの場合、撚りトロイダル線）を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。

電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アンバランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続することで、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。

AS ENERGI^{TMを選ぶ理由}

半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
ヨーロッパブランド - 100％の品質、有利な価格、短い生産期間
半導体業界で20年以上の経験
世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
他社製品の類似品を製造している
品質保証、動作保証期間2年

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

パートナーシップの地理

AS ENERGI^TM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています： DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGI^TM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール（サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT）、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。

注目の製品

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