溶接ダイオード 5SDD 71B0200 ABB 交換用

ABB 部品番号 5SDD 71B0200
平均順電流、 IF(AV)M (TC) 7110A (85ºC)
電圧, VRRM 200 V
寸法 ØDxØdxH 63x44.4x8 mm
データシート
交換 AS ENERGITM ADD 7100-02-B-00
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溶接ダイオード ADD 7100-02-B-00 AS ENERGITMは、ディスク型溶接ダイオード5SDD71B0200, 5SDD 71B0200 ABBパワーグリッド、日立エネルギーの交換、アナログ、代替および同等の半導体デバイスです。 平均順電流 IFAV7100 アンペア, 繰り返しピーク逆電圧 VRRM200V, 中周波 - 2 kHzまで.

溶接ダイオードの特長:高い平均順方向電流を流すことができ、並列デバイスの数を減らすことが可能;電気的および熱的サイクルに対する高い耐性により、長寿命を実現;最小限の静的損失;高い最大接合部温度(Tjmax)により、同じ冷却システムでより高い電流を流すことが可能;両面冷却の可能性;大電流整流器用に最適化;非常に低い熱抵抗;中・高周波溶接装置用に設計。 ダイオード冷却用の空気および水ヒートシンクも注文可能。

整流ダイオードAS ENERGITMの特長は、業界標準の筐体、低静的および動的損失、VRRM/VRSMの高い値、さまざまな業界での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲、100~7500 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性です。

仕様とパラメータ、データシートPDF、寸法、図面を以下に示します。

弊社は溶接ダイオードの購入日から2年間の品質保証を提供します。ダイオードを供給する際、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

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溶接ダイオードの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

溶接のダイオードの中型頻度 5SDD ABB および取り替えの一般仕様:

ダイオード仕様 5SDD 71B0200
最大許容平均順電流(ケース温度) IF(AV)M (TC) 7110 A (85ºC)
最大繰り返しピーク逆阻止電圧 VRRM 200 V
最大順電圧 (IF=5000A, Tj=25°C) VF MAX 1.05 V
サージピーク順電流 IFSM 55 kA
しきい値電圧 VF0 0.74 V
前方斜面抵抗 rF 0.026 mΩ
pn接合の温度 Tvj max 170 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 10.0 K/kW
熱抵抗、ケース対ヒートシンク Rth(c-h) 5.0 K/kW
クランプ力 Fm ±10% 22 kN
重量 W 0.14 kg
パッケージ(ハウジング) タイプ B
寸法 ØDxØdxH 63x44.4x8 mm
交換 AS ENERGITM タイプ ADD 7100-02-B-00
データシート PDF

溶接ダイオードの部品番号ガイド:

A DD 7100 2 B 00
A brand AS ENERGITM
DD 製品グループ ダイオード、中周波.
7100 平均オン電流 IF(AV), Amp.
2 電圧クラス VRRM / 100.
B ハウジング(パッケージ)タイプ.
00 バージョン番号.

パワー整流ディスクダイオードの極性(アノード、カソード):

ダイオードの極性 Disc diodes

ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの入手に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


パワー整流ディスクダイオード用ヒートシンク:

ヒートシンク(ラジエーター)は、ディスク設計においてパワー半導体デバイスの片面および両面冷却に使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

整流ダイオード冷却用の空気および水ヒートシンクも注文可能。

ヒートシンクについての詳細はこちらをご覧ください: "ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ".


溶接ダイオードの写真:


整流ダイオードの写真:


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


注目の製品

 

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Selected Products:

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