ベローチェ・タイヤ 80A, TF251-80 (500V - 1400V), ピン・タイプ

平均順電流, I_TAV	80A
電圧, V_DRM/V_RRM	500-1400V
電圧コード, V_RRM / 100	5 - 14
TF251-80	ご要望に応じて + –
パッケージスレッド	ST5 M12x1.75
重量	150 g
データシート

高速サイリスタ TF251-80 AS ENERGI^TM スタッドは高速スイッチング半導体デバイスで、500V - 1400V（電圧クラス5～14）までの電圧回路において、最大80AまでのDCおよびAC電流を最大10kHzの周波数で変換・制御するために設計されています。サイリスタパッケージタイプ - ST5、取り付け標準ネジM12x1.75, (ご要望に応じて、UNF ネジ 1/2"-20UNF-2A), 重量 – 150 g.

高速サイリスタは、t_q、t_rr、Q_rrの値が小さく、高周波数モード（最大10kHz）で動作するように設計された高い値 (di_T/dt)_cr（最大2500A/µs）を持つデバイスです。 V_TM、t_q、Q_rrのサイリスタパラメータは相互に関連しているため、t_qとQ_rrの値が減少するとV_TMが増加します。高速サイリスタは、ターンオフ時間が非常に短いのが特徴で、標準モデルとは一線を画しています。溶接、誘導加熱溶融、電気輸送、ACドライブ、UPSなど、短いターンオン、ターンオフ時間を必要とするシステムに使用されます。サイリスタには、機能部と半導体素子を機械的衝撃や環境から隔離する業界標準のセラミック密閉ハウジングがあります。

高速サイリスタはスタッド式で供給されます。サイリスタのベースがアノード、フレキシブルなパワーリードがカソード、パワーリードのベースから出るフレキシブルワイヤが補助カソード、ケースから出るフレキシブルワイヤが制御電極（ゲート）です。このサイリスタは、スタッドハウジングの他のタイプの高速サイリスタ50A, 60A, 70A, 80 ampアンペアの代替製品、交換、アナログ、等価にすることができます。

サイリスタの冷却には空気と水のヒートシンクが使われる。ヒートシンクとの信頼性の高い熱的・電気的接触を実現するため、組み立て時には締め付けトルクM_dを守る必要があります。組立時のサイリスタの放熱を良くするために、熱伝導ペーストを使用します。

仕様とパラメータ、データシートPDF、テクニカルパスポートサンプル、寸法、外形図、ケース図サイリスタ、推奨クーラーは以下のとおりです。

当社では、パワーファストサイリスタの品質保証を購入日から2年間行っています。サイリスタを供給する場合、必要に応じて技術パスポート、適合証明書を発行します。

高速スタッドサイリスタの定格： TF251-80-5 (80A 500V), TF251-80-6 (80A 600V), TF251-80-7 (80A 700V), TF251-80-8 (80A 800V), TF251-80-9 (80A 900V), TF251-80-10 (80A 1000V), TF251-80-12 (80A 1200V), TF251-80-14 (80A 1400V).

スタッド式高速サイリスタの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

スタッド形高速サイリスタTF251-80の一般仕様：

高速サイリスタ仕様		TF251-80
最大許容平均順電流（ケース温度）	I_T(AV) (T_case)	80 A (90°C)
繰り返しピークオフ電圧；繰り返しピーク逆電圧	V_DRM/V_RRM	500-1400 V
RMS オン状態電流	I_TRMS	126 A
オン状態のサージ電流	I_TSM	1.6 kA
安全係数	I²t	12.8 kA²·s
オン状態のピーク電圧、最大	V_TM	2.20 V
オン状態のピーク電流	I_TM	251 A
オン状態のしきい値電圧、最大	V_T(TO)	1.45 V
オン状態のスロープ抵抗、最大	r_T	3.000 mΩ
ターンオフ時間、最大	t_q	20-32 µs
繰り返しピークオフ状態および繰り返しピーク逆電流、最大	I_DRM/I_RRM	20 mA
オフ電圧臨界上昇率分	(dV_D/dt)_cr	500-1000 V/µs
ゲートトリガ直接電圧、最大	V_GT	2.5 V
ゲートトリガ直流電流、最大	I_GT	200 mA
オン状態電流の臨界上昇率	(di_T/dt)_cr	400-1000 A/µs
pn接合の温度、最大	T_{vj max}	125 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース、最大	R_th(j-c)	0.210 ºC/W
取付トルク	M_d	10-20 N·m
重量、約	W	150 g
パッケージタイプ、スレッド	概要	ST5, M12x1.75 mm
推奨ヒートシンク	ヒートシンク	O151
データシート	PDF

高速サイリスタTF251-80の部品番号ガイド：

251

–

高速サイリスタ,

AS ENERGI^TM

251

–

サイリスタ式（スタッド式）.

–

開放状態の平均電流 I_T(AV), Amp.

–

電圧クラス V_RRM / 100 (公称電圧 – 1400 V).

–

オフ状態電圧の臨界上昇率のパラメーター (dV_D/dt)_cr:

英数字コーディング	0	P3	E3	A3	P2	K2	E2	A2	T1	P1	M1
デジタル・コーディング	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9
価値, V/µs	非標準	20	50	100	200	320	500	1000	1600	2000	2500

–

ターンオフ時間tのパラメータ_q:

英数字コーディング	0	C3	E3	H3	K3	M3	P3	T3	X3	A4	B4	C4	E4
デジタル・コーディング	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9	–	–
価値, µs	非標準	63	50	40	32	25	20	16	12.5	10	8	6.3	5

–

ターンオン時間tのパラメータ_gt:

英数字コーディング	0	T3	A4	B4	C4	H4	K4	M4	P4	T4	X4	A5	C5
デジタル・コーディング	0	–	–	–	–	1	2	3	4	5	6	7	8
価値, µs	非標準	16	10	8	6.3	4	3.2	2.5	2.0	1.6	1.25	1.0	0.63

注：高速サイリスタ（TF）の動的パラメータ群の特定

のすべての部品番号 TF251-80:

シリーズ	I_TAV, A	V_RRM, V
TF251-80-5	80A	500V
TF251-80-6	80A	600V
TF251-80-7	80A	700V
TF251-80-8	80A	800V
TF251-80-9	80A	900V
TF251-80-10	80A	1000V
TF251-80-12	80A	1200V
TF251-80-14	80A	1400V

スタッド高速サイリスタTF251-80の極性（アノード、カソード、ゲート）と寸法：

ティリストアのデータシート TF251-80:

サイリスタpdfデータシートのダウンロード TF251-80

サイリスタの技術パスポート（サンプル）：

サイリスタを供給する場合、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

ハイパワー半導体 AS ENERGI^TM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体（パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、ローターダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど）、およびそれらに対応する空気ヒートシンク、水ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。半導体はどのような数量でも購入することができ、大量注文の場合は価格が安くなります。
顧客の信頼を得て、世界中に製品を供給している。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールでお問い合わせください：

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります！

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。

フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGI^TMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。

写真をもっと見る

パワースタッド高速サイリスタ用ヒートシンク：

スタッド設計では、パワー半導体デバイスの冷却にヒートシンク（ラジエーター）が使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

ヒートシンクについての詳細はこちらをご覧ください： "スタッド装置用空冷ヒートシンク".

大電力スタッド型高速サイリスタの写真：

AS ENERGI^{TMを選ぶ理由}

半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
ヨーロッパブランド - 100％の品質、有利な価格、短い生産期間
半導体業界で20年以上の経験
世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
他社製品の類似品を製造している
品質保証、動作保証期間2年

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

パートナーシップの地理

AS ENERGI^TM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています： DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGI^TM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール（サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT）、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。

注目の製品

パワーサイリスタ T（スタッド）c

パワー整流ダイオードD（ディスク）

巻線管状固定抵抗器 50W

サイリスタモジュール SKKT Semikron

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