三相ダイオードブリッジ整流器 SKD 35/04 (36A 400V)

セミクロン品番 SKD 35/04
出力直流, ID (TC) 36A (70ºC)
電圧, VRRM 400 V
寸法 L×B×H 29x29x10 mm
データシート
交換 AS ENERGITM AMD 35-04
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三相ダイオードブリッジ整流器 AMD 35-04AS ENERGITM は、三相ダイオードブリッジ SKD 35/04 07612840 Semikron の代替、アナログ、代替、同等の半導体デバイスです。 出力直流電流ID - 36アンペア、繰り返しピーク逆電圧VRRM - 400V

交流電流が入力"~"に供給される。 各半周期において、入力電流は2つのダイオードを通過するのみである。 その結果、出力"+"と"-"では、入力電流の2倍の周波数で脈動する電流が得られる。

特徴 三相ダイオードブリッジ:状態損失が少なく、逆電圧が高く、大電流に対応できる; 絶縁金属ベースプレートとクイックフィットコネクター付き角型プラスチック容器; 高いピーク電流; ケーシングには極性を識別しやすい切り欠きが成形されています; 簡単なフレーム組み立て. 主な用途は以下の通り: フィーダー用三相整流器; 可変周波数ドライブ用入力整流器; 直流モーター界磁用整流器; バッテリーチャージャー用整流器.

三相ダイオードブリッジAS ENERGITMは、業界標準の筐体、低い静的損失と動的損失、高いVRRM/VRSM値、様々な産業での豊富な使用実績などの特徴があります。

SKD 35/04および交換用AMD 35-04の技術仕様およびパラメータ、データシートPDF、外形図および寸法は以下のとおりです。

弊社はダイオードブリッジの品質保証を購入日から2年間提供します。ダイオードブリッジを供給する場合、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

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三相ダイオードブリッジの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

三相ダイオードブリッジ整流器セミクロンと交換の一般的な仕様:

ダイオードブリッジ仕様 SKD 35/04
直接出力電流(ケース温度) ID (TC) 36 A (70ºC)
最大繰り返しピーク逆阻止電圧 VRRM 400 V
サージピーク順電流 IFSM 320 A
逆回復時間 trr 10 μs
安全係数 I2t 500 kA2·s
しきい値電圧 VF(T0) 0.85 V
オン電圧とオン電流の関係 電流 VF 1.9 V
オンステート電流 IF 150 V
前方斜面抵抗 rT 7 mΩ
pn接合の温度 Tvj max 150 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 1.0 K/kW
ヒートシンクへの取り付けトルク Ms ± 15% 2 mN
端子への取り付けトルク Mt ± 15% -
重量 W 23 g
パッケージ(ハウジング) タイプ G11b
寸法 L×B×H 29x29x10 mm
交換 AS ENERGITM タイプ AMD 35-04
データシート PDF

三相ダイオードブリッジ整流器の部品番号ガイド:

A MD 35 - 04
A brand AS ENERGITM
MD 製品グループ 三相ダイオードブリッジ整流器.
35 直接出力電流.
04 電圧クラス VRRM x 100.

ダイオードブリッジSKD 35/04および交換用AMD 35-04の寸法:

dimensions

パッケージ G11b


ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
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Certificates

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AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

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当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


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