三相ダイオードブリッジ整流器 SKD 31/02 (31A 200V)

セミクロン品番 SKD 31/02
出力直流, ID (TC) 31A (100ºC)
電圧, VRRM 200 V
寸法 L×B×H 63x32x22 mm
データシート
交換 AS ENERGITM AMD 31-02
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三相ダイオードブリッジ整流器 AMD 31-02AS ENERGITM は、三相ダイオードブリッジ SKD 31/02 Semikron の代替、アナログ、代替、同等の半導体デバイスです。 出力直流電流ID - 31アンペア、繰り返しピーク逆電圧VRRM - 200V

交流電流が入力"~"に供給される。 各半周期において、入力電流は2つのダイオードを通過するのみである。 その結果、出力"+"と"-"では、入力電流の2倍の周波数で脈動する電流が得られる。

特徴 三相ダイオードブリッジ:状態損失が少なく、逆電圧が高く、大電流に対応できる; 頑丈な絶縁金属ベース; はんだごて付きクイックコネクト端子; 高いピーク電流値; ウェーブはんだ付けに最適. 主な用途は以下の通り: トランジスタ式acモータコントローラ用dc電源; バッテリー充電器; 非制御 dc モーター界磁供給 !推奨スナバネットワーク.

三相ダイオードブリッジAS ENERGITMは、業界標準の筐体、低い静的損失と動的損失、高いVRRM/VRSM値、様々な産業での豊富な使用実績などの特徴があります。

SKD 31/02および交換用AMD 31-02の技術仕様およびパラメータ、データシートPDF、外形図および寸法は以下のとおりです。

弊社はダイオードブリッジの品質保証を購入日から2年間提供します。ダイオードブリッジを供給する場合、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

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三相ダイオードブリッジの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

三相ダイオードブリッジ整流器セミクロンと交換の一般的な仕様:

ダイオードブリッジ仕様 SKD 31/02
直接出力電流(ケース温度) ID (TC) 31 A (100ºC)
最大繰り返しピーク逆阻止電圧 VRRM 200 V
サージピーク順電流 IFSM 320 A
逆回復時間 trr -
安全係数 I2t 510 kA2·s
しきい値電圧 VF(T0) 0.85 V
オン電圧とオン電流の関係 電流 VF 1.75 V
オンステート電流 IF 75 V
前方斜面抵抗 rT 12 mΩ
pn接合の温度 Tvj max 125 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 0.33 K/kW
ヒートシンクへの取り付けトルク Ms ± 15% 2 mN
端子への取り付けトルク Mt ± 15% -
重量 W 66 g
パッケージ(ハウジング) タイプ Package 1
寸法 L×B×H 63x32x22 mm
交換 AS ENERGITM タイプ AMD 31-02
データシート PDF

三相ダイオードブリッジ整流器の部品番号ガイド:

A MD 31 - 02
A brand AS ENERGITM
MD 製品グループ 三相ダイオードブリッジ整流器.
31 直接出力電流.
02 電圧クラス VRRM x 100.

ダイオードブリッジSKD 31/02および交換用AMD 31-02の寸法:

dimensions

パッケージ Package 1


ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

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フォトギャラリー

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私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
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Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

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AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

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当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


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