整流ダイオード1200A, 1250A、タイプD373-1250(9000V - 10000V)
| 平均順電流, IFAV | 1250A |
| 電圧, VRRM | 9000-10000V |
| 電圧コード, VRRM / 100 | 90 - 100 |
| D373-1250 | ご要望に応じて |
| パッケージ 寸法 ØDרd×H |
PD74 107x75x35 mm |
| 重量 | 1300 g |
| データシート |
整流ダイオード D373-1250 AS ENERGITM は汎用ディスクダイオードである。 このパワーpn接合ダイオードは、最大電圧9000V - 10000V(電圧クラス90~100)の回路において、最大周波数500Hz、1250AまでのDCおよびAC電流を変換するように設計されています。 ダイオード寸法 ØDxØdxH - 107x75x35 mm(ケース外径×接触面直径×ケース高さ)、重量 - 1300 g。
ダイオードのアノードとカソード(極性)は、ケース上のシンボルで決定されます。ダイオードは、業界標準のセラミックプレスパックディスク(カプセル、タブレット)ハウジングに入っています。この整流ダイオードは、ディスクタイプパッケージの他のタイプのダイオード1100A, 1150A, 1200A, 1250 amp用の代替品、交換品、アナログ、同等品とすることができます。
パワー半導体ダイオードの動作中の冷却のために、クーラー(ヒートシンク)が取り付けられている。 発生する熱の量と半導体の作業条件に応じて、自然気流冷却または強制冷却のいずれかを使用することができる。
組み立ての際には、各タイプのダイオードケースに必要なクランプ力Fm(パラメータ表に記載)を与える必要があります。
ディスク型半導体ダイオードは、電力機器、すなわち、電源および制御ユニット、電力調整器、コンバーター(溶解炉など)、高速スイッチングや電流の制御が必要なコントローラーなどに使用されます。
仕様とパラメータ、データシートPDF、テクニカルパスポートサンプル、寸法図、外形図、ケース図、ダイオード、推奨クーラーは以下の通りです。
弊社はパワー整流ダイオードの購入日から2年間の品質保証を提供します。ダイオードを供給する際、必要に応じて技術パスポート、適合証明書を提供します。
ダイオードの定格: -.
整流ディスクダイオードの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。
整流ダイオードD373-1250の一般仕様:
| ダイオード仕様 | D373-1250 | |
| 最大許容平均順電流(ケース温度) | IF(AV) (Tcase) | 1403 A (85°C) |
| 繰り返しピーク逆電圧 | VRRM | 9000-10000 V |
| 実効順電流 | IFRMS | 2200 A |
| サージ非繰り返し電流 | IFSM | 23 kA |
| 安全係数 | I2t | 2645 kA2·s |
| ピーク順電圧、最大 | VFM | 1.90 V |
| ピーク電流 | IFM | 3900 A |
| オン状態のしきい値電圧、最大 | VF(TO) | 1.50 V |
| オン状態のスロープ抵抗、最大 | rT | 0.700 mΩ |
| 繰り返しピーク逆電流、最大 | IRRM | 200 mA |
| pn接合の温度、最大 | Tvj max | 140 ºC |
| 熱抵抗、ジャンクション対ケース、最大 | Rth(j-c) | 0.01 ºC/W |
| クランプ力 | Fm | 45±5 kN |
| 重量、約 | W | 1300 g |
| パッケージタイプ、寸法 | ØDxØdxH | PD74 107x75x35 mm |
| 推奨ヒートシンク | ヒートシンク | O173,O273 |
| データシート | ||
整流ダイオードD373-1250の部品番号ガイド:
| D | 223 | – | 200 | – | 65 |
| D | – | ダイオード, |
| 373 | – | ダイオードタイプ(ディスクタイプ). |
| 1250 | – | 開放状態の平均順方向電流 IF(AV), Amp. |
| 100 | – | 電圧クラス VRRM / 100 (公称電圧 – 10000 V). |
のすべての部品番号 D373-1250:
| シリーズ | IFAV, A | VRRM, V |
| D373-1250-90 | 1250A | 9000V |
| D373-1250-92 | 1250A | 9200V |
| D373-1250-94 | 1250A | 9400V |
| D373-1250-96 | 1250A | 9600V |
| D373-1250-98 | 1250A | 9800V |
| D373-1250-100 | 1250A | 10000V |
ハイパワー半導体 AS ENERGITM
当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、ローターダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらに対応する空気ヒートシンク、水ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。半導体はどのような数量でも購入することができ、大量注文の場合は価格が安くなります。
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私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。
フォトギャラリー
フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。
パワーディスクダイオード用ヒートシンク:
ヒートシンク(ラジエーター)は、ディスク設計においてパワー半導体デバイスの片面および両面冷却に使用される。
クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。
ヒートシンクについての詳細はこちらをご覧ください: "ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ".
整流用ディスク型ダイオードの写真:
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
- 半導体業界で20年以上の経験
- 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
- 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
- 他社製品の類似品を製造している
- 品質保証、動作保証期間2年
品質保証
私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。
AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
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