トライアック TC122-25-7(TS122-25-7) - スタッド対称サイリスタ、25A 700V
スタッドトライアック TC122-25-7AS ENERGITM は汎用スタッドトライアックで、TS122-25-7としても知られています。. 実効オン電流 IT(RMS)M – 25 アンペア, 繰り返しピーク順方向および逆方向阻止電圧 VDRM/VRRM – 700V. スタッドトライアックは、DCおよびAC電流を変換し制御するように設計されている。 "スタッド装置用空冷ヒートシンクOシリーズ" サイリスタ冷却用も注文可能。
トライアックは対称サイリスタとも呼ばれ、両方向に電流を流すことができます。 制御回路に正のパルスが印加されると、正弦波電流の正の半分(1象限)だけがトライアックを通過する。 負の開閉電流が制御回路に印加されると、トライアックは主回路(3および4象限)に正弦波電流を流す。
対称サイリスタの冷却にはエアヒートシンクが使われる。 ヒートシンクとの信頼性の高い熱的・電気的接触を実現するため、組み立て時には締め付けトルクMdを守る必要があります。 組み立て時のサイリスタの放熱を良くするため、熱伝導ペーストを使用する(これは推奨事項であり、取り付けの前提条件ではない)。
特徴:サイリスタはスタッド設計で供給される。ピン配列:ハードロングリード - メインリード1(条件付きカソード)、トライアックベース - メインリード2(条件付きアノード)、ハードショートリード - 制御電極。トライアック TC122-25-7(TS122-25-7)(25A 700V)は、電気設備のDCおよびAC電源回路や半導体電力変換器に使用されます。
トライアックAS ENERGITMの特長は、静的および動的損失が小さい、VDRM/VRRMの値が広い、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲、10~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然空冷または強制空冷。
トライアック TC122-25-7 (TS122-25-7)の技術仕様およびパラメータ、データシートPDF、外形図および寸法は以下のとおりです。
当社ではトライアックの品質保証を購入日から2年間行っています。サイリスタの供給にあたっては、必要に応じて技術パ スポートと適合証明書を発行しています。
スタッドトライアックの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。
スタッドハードリードトライアックTC122-25-7(TS122-25-7)(25A 700V)の一般仕様:
| スタッドトライアック仕様 | TC122-25-7 (TS122-25-7) |
|
| 実効オン電流(ケース温度) | IT(RMS)M (TC) | 25 A (85ºC) |
| 繰り返しパルス閉状態電圧;繰り返しパルス逆電圧 | VDRM/VRRM | 700 V |
| オン状態のサージ電流 | ITSM | 0.20 kA |
| 安全係数 | i2t | 400 kA2·s |
| オン状態のピーク電圧 | VTM | 1.80 V |
| オン状態のピーク電流 | ITM | 30 A |
| オン状態のしきい値電圧 | VT(TO) | 1.10 V |
| オンステート傾斜抵抗 | rT | 21 mΩ |
| ピーク・オフ状態の繰り返し | IDRM | 3.5 mA |
| C定常オフ電圧上昇率 | (dVD/dt)cr | 2.2-25 V/µs |
| オン状態電流の臨界上昇率 | (diT/dt)cr | 50 A/µs |
| ゲートトリガー直流 | IGT | 150 mA |
| ゲートトリガ直接電圧 | VGT | 3.5 V |
| ゲート制御遅延時間 | tgd | 4 µs |
| pn接合の温度 | Tvj max | 125 ºC |
| 熱抵抗、ジャンクション対ケース | Rth(j-c) | 0.90 K/W |
| 制御性の象限 | 1, 3, 4 | |
| 重量 | W | 11 g |
| パッケージ(ハウジング) | タイプ | ST2 |
| スタッドスレッド | - | M6 |
| データシート | ||
スタッドトライアックの部品番号ガイド:
| TC | 122 | - | 25 | - | 7 | 4 |
| TC | – | トライアック、サイリスタ対称(代替マーキング「TS) |
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| 122 | – | トライアック式(スタッド式). | |||||||||||||||||||||||||||
| 25 | – | 実効オン電流 IT(RMS)M, Amp. | |||||||||||||||||||||||||||
| 7 | – | 電圧クラス VRRM / 100 (Nominal voltage – 700 V). | |||||||||||||||||||||||||||
| 4 | – | オフ状態電圧の臨界上昇率のパラメーター (dVD/dt)cr:
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ハイパワー半導体 AS ENERGITM
当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。
パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:
そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!
私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。
フォトギャラリー
フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。
スタッドマウント型トライアックの設置に関する推奨事項:
全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルクによって確保されます。
組み立てる前に、目視検査(1)を行い、接触面に機械的な損傷がないか、アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)を染み込ませて拭き取る (2)。
サイリスタ(3)、クーラーの2番目の部分、グラスファイバー製インシュレーター、スラストワッシャーを取り付けます。
取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)は腐食しないように追加で固定する必要があります。
パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:
パワーサイリスタは、すべてのパラメー タに対して、限界負荷で長時 間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決まります。
故障した電源サイリスタを、交換するサイリスタのパラメー タに適合するサイリスタと交換する。
周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。
適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを取り除くことを推奨します。
並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器(多くの場合、撚りトロイ ダル線)を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。
電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。
動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。
AS ENERGITMを選ぶ理由
- 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
- ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
- 半導体業界で20年以上の経験
- 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
- 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
- 他社製品の類似品を製造している
- 品質保証、動作保証期間2年
品質保証
私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。
各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。
パートナーシップの地理
AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。
物流と配送
私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。
AS ENERGITM 半導体製造
当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。
パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。
注目の製品

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