トライアック TC171-320-8（TS171-320-8） - スタッド対称サイリスタ、320A 800V

実効オン状態電流, I_T(RMS)M (T_C)	320A (85ºC)
電圧, V_DRM/V_RRM	800 V
TC171-320-8	ご要望に応じて + –
スタッドスレッド	M24
パッケージ	ST7
重量	440 g
データシート

スタッドトライアック TC171-320-8AS ENERGI^TMは汎用スタッド（フレキシブルリード）トライアックで、TS171-320-8としても知られています。実効オン電流 I_T(RMS)M – 320 アンペア, 繰り返しピーク順方向および逆方向阻止電圧 V_DRM/V_RRM – 800V. スタッドトライアックは、DCおよびAC電流を変換し制御するように設計されている。 "スタッド装置用空冷ヒートシンクOシリーズ" トライアック・サイリスタ冷却用も注文可能。

トライアックは対称サイリスタとも呼ばれ、両方向に電流を流すことができます。正のパルスが制御回路に印加されると、正弦波電流の正の半分（1象限）だけがトライアックを通過する。負の開閉電流が制御回路に印加されると、トライアックは主回路（3および4象限）に正弦波電流を流します。

対称サイリスタの冷却にはエアヒートシンクが使われる。ヒートシンクとの信頼性の高い熱的・電気的接触を実現するため、組み立て時には締め付けトルクM_dを守る必要があります。組み立て時のサイリスタの放熱を良くするため、熱伝導ペーストを使用する（これは推奨事項であり、取り付けの前提条件ではない）。

特徴：サイリスタは、フレキシブルリード設計のスタッドで供給される。ピン配置：フレキシブルパワーリード - メインリード1（条件付きカソード）、トライアックベース - メインリード2（条件付きアノード）、メインリード2のベースから出るフレキシブルワイヤー - 追加メインリード2（補助カソード）、ハウジングから出るフレキシブルワイヤー - 制御電極。トライアックTC171-320-8（TS171-320-8）（320A 800V）は、電気設備のDCおよびAC電源回路と半導体電力変換器で使用されます。

トライアックAS ENERGI^TMの特長は、静的および動的損失が小さい、V_DRM/V_RRMの値が広い、さまざまな産業での豊富な使用実績、100～9000 Vの電圧範囲、10～15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然空冷または強制空冷。

トライアック TC171-320-8 (TS171-320-8)の技術仕様およびパラメータ、データシートPDF、外形図および寸法図を以下に示します。

当社ではトライアックの品質保証を購入日から2年間行っています。サイリスタの供給にあたっては、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を発行しています。

スタッドサイリスタの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払方法によって異なります。

スタッド（フレキシブルリード）トライアック TC171-320-8 (TS171-320-8) (320A 800V)の一般仕様：

スタッドトライアック仕様		TC171-320-8 (TS171-320-8)
実効オン電流（ケース温度）	I_T(RMS)M (T_C)	320 A (85ºC)
繰り返しパルス閉状態電圧；繰り返しパルス逆電圧	V_DRM/V_RRM	800 V
オン状態のサージ電流	I_TSM	3.3 kA
オン状態のしきい値電圧	V_T(TO)	0.95 V
オンステート傾斜抵抗	r_T	1.50 mΩ
ピーク・オフ状態の繰り返し	I_DRM	20 mA
オフ電圧の臨界上昇率	(dV_D/dt)_cr	4-100 V/µs
オン状態電流の臨界上昇率	(di_T/dt)_cr	40 A/µs
ゲートトリガー直流	I_GT	200 mA
ゲートトリガ直接電圧	V_GT	3.5 V
pn接合の温度	T_{vj max}	125 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース	R_th(j-c)	0.85 ºC/W
制御性の象限	1, 2
重量	W	440 g
推奨ヒートシンク	ヒートシンク	O181, O281, OM105
パッケージ（ハウジング）	タイプ	ST7
スタッドスレッド	-	M24
データシート	PDF

スタッドトライアックの部品番号ガイド：

171

320

TC	–	トライアック、サイリスタ対称（代替マーキング「TS） AS ENERGI^TM
171	–	トライアック式（スタッド式）.
320	–	実効オン電流 I_T(RMS)M, Amp.
8	–	電圧クラス V_RRM / 100 (Nominal voltage – 400 V).

スタッドトライアックTC171-320-8の極性（アノード、カソード、ゲート）および寸法：

ハイパワー半導体 AS ENERGI^TM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体（パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど）、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください：

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そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります！

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。

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フォトギャラリーでは、AS ENERGI^TMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。

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パワースタッドサイリスタ用ヒートシンク：

スタッド設計では、パワー半導体デバイスの冷却にヒートシンク（ラジエーター）が使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

ヒートシンクについての詳細はこちらをご覧ください： "スタッド装置用空冷ヒートシンク".

パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項：

パワーサイリスタは、すべてのパラメータについて、その限界負荷で長時間動作させるべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決定される。

故障した電源サイリスタを、交換するサイリスタのパラメータに適合するサイリスタと交換する。

周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。

適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを除去することを推奨します。

並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しくするために、誘導分流器（多くの場合、撚りトロイダル線）を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。

電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アンバランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続することで、過渡状態での電圧均一化を図ります。

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。

AS ENERGI^{TMを選ぶ理由}

半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
ヨーロッパブランド - 100％の品質、有利な価格、短い生産期間
半導体業界で20年以上の経験
世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
他社製品の類似品を製造している
品質保証、動作保証期間2年

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

パートナーシップの地理

AS ENERGI^TM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています： DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGI^TM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール（サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT）、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。

注目の製品

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