相制御サイリスタ KP3000A-(54...65)

平均順電流, IT(AV) (TC, ºC) 3070A (70ºC)
電圧, VDRM/VRRM 5400-6500 V
電圧コード, VRRM / 100 54 – 65
KP3000A-(54...65) ご要望に応じて
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寸法 ØDxØdxH 150x100x26 mm
重量 2.3 kg
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位相制御サイリスタ KP3000A-(54...65) AS ENERGITMは、シリコン制御整流器(SCR)としても知られる汎用パワーディスクサイリスタです。 最大電圧5400V – 6500V(電圧クラス54~65)の回路で、最大周波数500Hz、最大3000AのDCおよびAC電流を変換および制御するように設計されています。 サイリスタ寸法 ØDxØdxH - 150x100x26 mm(ケース外径 X 接触面直径 X ケース高さ)、重量 - 2.3 kg。

サイリスタ定格: KP3000A 5400V, KP3000A 5600V, KP3000A 5800V, KP3000A 6000V, KP3000A 6200V, KP3000A 6400V, KP3000A 6500V.

サイリスタのアノードとカソード(極性)はケースの記号で決まります。

パワーサイリスタの動作中の冷却のために、クーラー(ヒートシンク)が取り付けられています。 発生する熱量や半導体の使用条件によって、自然気流冷却や強制冷却のいずれかを使用することができる。

組み立ての際には、サイリスタパッケージの各タイプに固有の必要なクランプ力Fm(パラメータ表に示す)を与えなければなりません。

Tハイリスタは、温帯、寒冷、熱帯の気候で使用できる ように製造することができます。ディスクタイプKPのサイリスタは、電流の高速スイッチングと制御が必要な各種電力変換器(溶解炉など)に使用されます。

仕様とパラメータ、データシートPDF、寸法、図面、ケース図 サイリスタ、推奨クーラーは以下の通りです。

サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する場合、必要に応じて 品質宣言書と適合証明書を発行します。

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位相制御ディスクサイリスタの最終価格は、クラス、数量、納期、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

位相制御サイリスタ KP3000-(54...65) の一般仕様:

サイリスタ仕様 KP3000A-(54...65)
最大許容平均順電流(ケース温度) IT(AV)/(TC) 3070 A (70ºC)
繰り返しパルス閉状態電圧;繰り返しパルス逆電圧 VDRM/VRRM 5400-6500 V
オン状態のサージ電流 ITSM 45 kA
安全係数 I2t 10130 kA2·s
オフ電圧の臨界上昇率 dv/dt 2000 V/µs
オン状態電流の臨界上昇率 di/dt 200 A/µs
ターンオフ時間 tq 800 µs
pn接合の温度 Tvj max 125 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 0.005 ºC/W
クランプ力 Fm ±10% 90 kN
重量 W 2.3 kg
寸法 ØDxØdxH 150x100x26 mm
データシート PDF PDF

位相制御用サイリスタ KP3000A 6500V の品番ガイドです:

KP 3000A 6500V
KP サイリスタタイプ 位相制御サイリスタ, brand AS ENERGITM
3000A 開放状態の平均順方向電流 IT(AV), A.
6500V 公称電圧, V.

ディスクサイリスタKP3000A-(54...65)の極性(アノード、カソード、ゲート)と寸法:

サイリスタの極性 サイリスタの寸法

サイリスタ KP3000-(54...65) データシート:

PDFサイリスタKP3000-(54...65)のデータシートをダウンロードする


AS ENERGIのハイパワー半導体

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パワーディスクサイリスタ用ヒートシンク:

ヒートシンク(ラジエーター)は、ディスク設計においてパワー半導体デバイスの片面および両面冷却に使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

ヒートシンクについての詳細はこちらをご覧ください: "ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ".


位相制御サイリスタSCRの写真:


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Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


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