位相制御サイリスタ N1366JK120 IXYS ウエストコードの交換

IXYS ウエストコード品番	N1366JK120
平均オン電流 I_T(AV)M (T_C)	1366A (55ºC)
電圧, V_DRM/V_RRM	1200 V
パッケージ、寸法 ØDxØdxH	パッケージ WP1 50x32x14 mm
データシート
交換 AS ENERGI^TM	ATDN1366JK120
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位相制御サイリスタ ATDN1366JK120 AS ENERGI^TM は、SCRサイリスタの半導体代替、アナログ、代替、等価デバイスである。 N1366JK120 IXYS UK Westcode, Littelfuse.

平均順方向オン電流 I_TAV – 1366 アンペア, ピーク順電圧と逆電圧の繰り返し V_DRM/V_RRM – 1200V. 位相制御サイリスタは、直流と交流の電流を変換し制御するように設計されています。 "ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ" サイリスタ冷却用も注文可能。

特長：プレスパック業界標準セラミック・ハウジング、高出力産業用および送電用アプリケーション向けに設計、低オン状態電圧降下用に最適化、直列接続および/または並列接続でQ_rrとV_Tの整合値が利用可能。サイリスタのアノードとカソード（極性）はケースの記号で決まります。

電力位相制御サイリスタ（PCT）は、シリコン制御整流器（SCRサイリスタ）、カプセル型サイリスタとも呼ばれ、伝導損失が低くなるように最適化されており、主にライン周波数が500Hzまでのアプリケーション向けです。

サイリスタAS ENERGI^TMには次のような特長があります：低い静的損失と動的損失、高い値のV_DRM/V_RRM、さまざまな産業での豊富な使用実績、100～9000 Vの電圧範囲と10～15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然空冷または強制空冷。

の技術仕様とパラメータ N1366JK120 および交換 ATDN1366JK120, PDFデータシート、外形図、寸法は以下の通り。

サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する際、必要に応じ技術パスポートと適合証明書を発行します。

位相制御ディスクサイリスタの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

位相制御サイリスタ IXYS WESTCODE の一般仕様と代替品：

サイリスタ仕様		N1366JK120
最大許容平均順電流（ケース温度）	I_T(AV)M (T_C)	1366 A (55ºC)
繰り返しパルス閉状態電圧；繰り返しパルス逆電圧	V_DRM/V_RRM	1200 V
オン状態のサージ電流	I_TSM	15900 A
安全係数	I²t	1.26×10⁶ A²·s
しきい値電圧	V_T0	0.985 V
オンステート傾斜抵抗	r_T	0.270 mΩ
pn接合の温度	T_{vj max}	125 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース	R_th(j-c)	0.0270 K/W
クランプ力	F_m	10 - 20 kN
重量	W	0.14 kg
パッケージ（ハウジング）	タイプ	WP1
寸法	ØDxØdxH	50x32x14 mm
交換 AS ENERGI^TM	タイプ	ATDN1366JK120
データシート	PDF

位相制御サイリスタの部品番号ガイド：

TDN

1366

A	–	AS ENERGI^TM
TDN	–	製品グループサイリスタディスクタイプ、位相制御.
1366	–	平均オン電流 I_T(AV), Amp.
JK	–	ハウジング（パッケージ）タイプ.
12	–	電圧クラス V_RRM / 100.
0	–	固定ターンオフ・タイムコード.

位相制御サイリスタN1366JK120と交換用ATDN1366JK120の寸法：

パッケージ WP1

パワーディスクサイリスタの極性（アノード、カソード、ゲート）：

ハイパワー半導体 AS ENERGI^TM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体（パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど）、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。.

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください：

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります！

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。

パワーディスクサイリスタ用ヒートシンク：

ヒートシンク（ラジエーター）は、ディスク設計においてパワー半導体デバイスの片面および両面冷却に使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

サイリスタ冷却用の空気および水ヒートシンクも注文可能。

ヒートシンクについて詳しくはこちら: "ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ".

位相制御サイリスタSCRの写真：

AS ENERGI^{TMを選ぶ理由}

半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
ヨーロッパブランド - 100％の品質、有利な価格、短い生産期間
半導体業界で20年以上の経験
世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
他社製品の類似品を製造している
品質保証、動作保証期間2年

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

パートナーシップの地理

AS ENERGI^TM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています： DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGI^TM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール（サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT）、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。

注目の製品

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