高速スイッチングサイリスタ 5STF 12F2025 (TR 918F1190-20 NSG) ABB 交換品

ABB 部品番号 5STF12F2025
ABB OLD 品番 TR 918F1190-20 NSG
平均オン状態電流, IT(AV)M (TC) 1202A (70ºC)
電圧, VDRM/VRRM 2000 V
寸法 ØDxØdxH 75x47x26 mm
データシート
交換 AS ENERGITM ATF 1200-20-F-25
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高速スイッチングサイリスタ ATF 1200-20-F-25 AS ENERGITM は、サイリスタの代替、アナログ、代替、等価な半導体デバイスである 5STF12F2025, 5STF 12F2025 ABB パワーグリッド, 日立エネルギー, 旧品番 TR 918F1190-20 NSG ABB.

平均順方向オン電流ITAV - 1200アンペア、繰り返しピーク順方向および逆方向電圧VDRM/VRRM - 2000V
サイリスタ冷却用の空気および水ヒートシンクも注文可能。

高速スイッチングサイリスタの特徴:スイッチング損失が少ない、ターンオフ時間が短い、ターンオンが速い、di/dt能力が高い。 サイリスタのアノードとカソード(極性)はケースの記号で決まります。

サイリスタAS ENERGITMには次のような特長があります:低い静的損失と動的損失、高い値のVDRM/VRRM、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲と100~7500 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然冷却または強制空冷。

仕様とパラメータ、データシートPDF、寸法、図面を以下に示します。

サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する際、必要に応じ技術パ スポートと適合証明書を発行します。

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高速スイッチングサイリスタの最終価格は、電圧ク ラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払 形態によって異なります。

高速スイッチングサイリスタ 5STF ABB の一般仕様と代替品:

サイリスタ仕様 5STF12F2025
(TR 918F1190-20 NSG)
最大許容平均順電流(ケース温度) IT(AV)/(TC) 1202 A (70ºC)
繰り返しパルス閉状態電圧;繰り返しパルス逆電圧 VDRM/VRRM 2000 V
オン状態のサージ電流 ITSM 17.0 kA
しきい値電圧 VT0 1.99 V
オンステート傾斜抵抗 rT 0.21 mΩ
ターンオフ時間 tq 25 µs
pn接合の温度 Tvj max 125 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 16.0 K/kW
熱抵抗、ケース対ヒートシンク Rth(c-h) 4.0 K/kW
クランプ力 Fm ±10% 22 kN
重量 W 0.48 kg
パッケージ(ハウジング) タイプ F
寸法 ØDxØdxH 75x47x26 mm
交換 AS ENERGITM タイプ ATF 1200-20-F-25
データシート PDF

高速スイッチングサイリスタの部品番号ガイド:

A TF 1200 20 F 25
A brand AS ENERGITM
TF 製品グループ 高速スイッチングサイリスタ.
1200 平均オン状態電流 IT(AV), Amp.
20 電圧クラス VRRM / 100.
F ハウジング(パッケージ)タイプ.
25 ターンオフ時間 tq:
を搭載したデバイス用 tq < 100μs = tq,
を搭載したデバイス用 tq > 100μs = tq/10.

パワーディスクサイリスタの極性(アノード、カソード、ゲート):

サイリスタの極性 ディスクサイリスター

ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


パワーディスクサイリスタ用ヒートシンク:

ヒートシンク(ラジエーター)は、ディスク設計においてパワー半導体デバイスの片面および両面冷却に使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

サイリスタ冷却用の空気および水ヒートシンクも注文可能。

クーラーについて詳しくはこちら "エアヒートシンク" and "水冷ヒートシンク".


高速スイッチングサイリスタの写真:

 

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