サイリスタモジュール MT3-650-12-A2

平均順電流, I_TAV/I_FAV	650A
電圧, V_RRM/V_DRM	1000 – 1200V
電圧コード, V_RRM / 100	10 – 12
MT3-650-12-A2	ご要望に応じて + –
重量	1.5 kg
パッケージ, 寸法 LxBxH	A2 124x60x52 mm
データシート

パワーサイリスターモジュール MT3-650-12-A2 AS ENERGI^TM 国際標準パッケージで 650A 1200V.

電圧1200ボルト（12クラス）までの回路で、650アンペア、周波数500HzまでのDCおよびAC電流を変換するために使用されます。

TハイリスタモジュールMT3-650-12-A2は標準パッケージです A2: ベース寸法60x124 mm、ハウジング高さ52mm、重量1.5kg。ツーポジション・モジュールは、2個の半導体サイリスタのモノリシック構造です：タイプ サイリスターサイリスター. モジュール接続図 MT3-650-12-A2 – 半ブリッジ.

サイリスタモジュールの直列（定格）： MT3-650-10-A2, MT3-650-12-A2.

主端子はケース上部にあり、番号が振られている。 1, 2, 3;

制御端子は図ではG1と記されている, G2;

追加カソード はK1として図に記されている, K2;

低周波サイリスタモジュールMT3-650-12-A2の大電流スイッチング時の高い熱サイクル耐性と信頼性の高い動作は、その設計上の特徴とガルバニック絶縁の安定したパラメータによって達成されます。

MT3-650-12-A2 サイリスタモジュールは、取り付けが簡単で、放熱のためにクーラーと良好に接触するクランプオン設計です。断熱材を追加することなく、複数のモジュールを 1 つのクーラーに取り付けることができ、アセンブリ全体の寸法を大幅に縮小できます。モジュールとヒートシンク（放熱器）の間には、サーマルペーストで潤滑された熱伝導性の高い基板を使用することをお勧めします。

2ポジションのモジュールは配線図（電気回路図）が異なります： MT3 – ハーフブリッジ; MT4 – 同カソード回路; MT5 – コモンアノード回路.

当社のモジュールは、ほとんどすべての位相制御または整流器アプリケーション向けに、いくつかのデュアルおよびシングル・デバイス・トポロジーで提供されています。

サイリスタ・ダイオードモジュールの品質保証は、購入日から2年です。サイリスタ・ダイオードモジュールの供給にあたっては、必要に応じ、技術パスポート、適合証明書を発行しています。

サイリスタ／ダイオード・モジュールの最終価格は、クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

サイリスタ・サイリスタモジュール MT3-650-12-A2 の一般仕様:

サイリスタモジュール仕様		MT3-650-12-A2
最大許容平均順電流（ケース温度）	I_T(AV) (T_C)	650 A (85ºC)
繰り返しパルス逆電圧；繰り返しパルス閉状態電圧	V_RRM/V_DRM	1200 V
オン状態のサージ電流	I_TSM	14 kA
オン状態のピーク電圧	V_TM	1.45 V
オン状態のピーク電流	I_TM	1978 A
しきい値電圧	V_T(TO)	0.85 V
オンステート傾斜抵抗	r_T	0.28 mΩ
ターンオフ時間	t_q	160 µs
ジャンクション温度	T_{j max}	125 ºC
ケース最高使用温度	T_{c max}	125 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース	R_th(j-c)	0.02 ºC/W
電気絶縁強度	V_ISOL	3 kV
デザイン（スイッチ）	-	デュアルコンポーネント
タイプ（回路図）	-	サイリスターサイリスター
接続図	-	半ブリッジ
重量	W	1.5 kg
パッケージ	-	A2
寸法, mm	L×B×H	124x60x52 mm
データシート	PDF

サイリスタ・サイリスタ・モジュール MT3-650-12-A2 の部品番号ガイド：

–

650

–

サイリスタモジュール,

AS ENERGI^TM

–

接続図:
3 – ハーフブリッジ
4 – コモンカソード回路；
5 – コモンアノード回路。

650

–

定格電流 I_F(AV), A.

–

電圧クラス V_RRM / 100 (公称電圧 – 1200 V).

–

オフ状態電圧の臨界上昇率のパラメーター (dV_D/dt)_cr:

英数字コーディング	P2	K2	Е2	A2	T1	P1	M1
デジタル・コーディング	4	5	6	7	8	–	9
(dV_D/dt)_cr, V/µs	200	320	500	1000	1600	2000	2500

–

ターンオフ時間tのパラメータ_q:

英数字コーディング	0	B2	C2	E2	H2	K2	М2	P2	T2	X2	A3
デジタル・コーディング	0	–	–	1	–	–	2	–	3	–	4
t_q, µs	非標準	800	630	500	400	320	250	200	160	125	100

–

住宅タイプ.

–

環境条件： N – ノーマル.

パワーサイリスタモジュールMT3-650-12-A2の寸法：

パッケージ A2

サイリスタモジュール接続図 MT3-650-12-A2：

1, 2, 3 – メインターミナル。
G1, K1, G2, K2 (4, 5, 6, 7) – 制御端子。

ハイパワー半導体 AS ENERGI^TM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体（パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど）、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

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AS ENERGI^{TMを選ぶ理由}

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ヨーロッパブランド - 100％の品質、有利な価格、短い生産期間
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パートナーシップの地理

AS ENERGI^TM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

物流と配送

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製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

AS ENERGI^TM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール（サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT）、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。

注目の製品

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