SKB 30/02A1 -単相ダイオードブリッジ 30A 200V のデータシートおよび取り替え Semikron

セミクロン品番 SKB 30/02A1
出力直流, ID (TC) 30A (94ºC)
電圧, VRRM 200 V
寸法 L×B×H 55x45x24 mm
データシート
交換 AS ENERGITM AMB 30-02A1
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単相ダイオードブリッジ整流器 AMB 30-02A1AS ENERGITMは、単相ダイオードブリッジSKB 30/02A1 07122020 Semikronの代替、アナログ、代替、および同等の半導体デバイスです。 出力直流電流ID - 30アンペア、繰り返しピーク逆電圧VRRM - 200V

交流電流が入力"~"に供給される。 その結果、出力"+"と"-"では、入力電流の2倍の周波数で脈動する電流が得られる。

特徴 単相ダイオードブリッジの: 低い状態損失、高い逆電圧、大電流を扱う能力; 絶縁金属ハウジング、スクリュー端子; 高ピーク電流; 簡単なフレーム組み立て. 主な用途は以下の通り: 電源用単相整流器; 可変周波数ドライブ用入力整流器; 直流モーターの界磁供給用整流器。; バッテリー充電整流器.

単相ダイオードブリッジAS ENERGITMは、業界標準の筐体、低静的および動的損失、高いVRRM/VRSM値、様々な産業での豊富な使用実績などの特徴があります。

SKB 30/02A1および交換用AMB 30-02A1の技術仕様およびパラメータ、データシートPDF、外形図および寸法図を以下に示します。

弊社はダイオードブリッジの品質保証を購入日から2年間提供します。ダイオードブリッジを供給する場合、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

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単相ダイオードブリッジの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

単相ダイオードブリッジ整流器セミクロンと交換の一般的な仕様:

ダイオードブリッジ仕様 SKB 30/02A1
直接出力電流(ケース温度) ID (TC) 30 A (94ºC)
最大繰り返しピーク逆阻止電圧 VRRM 200 V
サージピーク順電流 IFSM 320 A
逆回復時間 trr 25 μs
安全係数 I2t 500 kA2·s
しきい値電圧 VF(T0) 0.85 V
オン電圧とオン電流の関係 電流 VF 2.2 V
オンステート電流 IF 150 A
前方斜面抵抗 rT 12 mΩ
pn接合の温度 Tvj max 150 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 0.7 K/W
ヒートシンクへの取り付けトルク Ms ± 15% 5 Nm
端子への取り付けトルク Mt ± 15% 1.5 Nm
重量 W 125 g
パッケージ(ハウジング) タイプ G12
寸法 L×B×H 55x45x24 mm
交換 AS ENERGITM タイプ AMB 30-02A1
データシート PDF

単相ダイオードブリッジ整流器の部品番号ガイド:

A MB 30 - 02
A brand AS ENERGITM
MB 製品グループ 単相ダイオードブリッジ整流器.
30 直接出力電流.
02 電圧クラス VRRM x 100.

ダイオードブリッジSKB 30/02A1および交換用AMB 30-02A1の寸法:

dimensions

G12


ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
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各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

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私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
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Logistics

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当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


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