サイリスタ T210N 2...6 旧品番 インフィニオン 交換用

インフィニオンOLD部品番号 T210N
平均オン状態電流, IT(AV)M (TC) 210A (100ºC)
電圧, VDRM/VRRM 200-600 V
寸法 210SW27M12
データシート
交換 AS ENERGITM ATS210N
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位相制御スタッドサイリスタ ATS210N AS ENERGITMは、SCRサイリスタ T210N 2...6(旧品番)インフィニオンテクノロジーズ、ユーペックの代替、アナログ、代替、同等の半導体デバイスです。

位相制御サイリスタの定格: T210N 200V, T210N 400V, T210N 600V.

平均順方向オン電流 ITAV210 アンペア, 繰り返しピーク順方向および逆方向阻止電圧 VDRM/VRRM200-600 V. 位相制御サイリスタは、直流と交流の電流を変換し制御 するように設計されています。 "スタッド装置用空冷ヒートシンクOシリーズ" サイリスタ冷却用も注文可能。

サイリスタの冷却には空気と水のヒートシンクが使われる。 ヒートシンクとの信頼性の高い熱的・電気的接触を提供するために、組み立て時に締め付けトルクMdを守る必要があります。 組み立て時のサイリスタの放熱を良くするため、熱伝導ペーストを使用する(これは推奨事項であり、取り付けの前提条件ではない)。

特徴:サイリスタはスタッド式で供給されます。サイリスタのベースがアノード、フレキシブルな パワーリードがカソード、パワーリードのベースから 出たフレキシブルワイヤが補助カソード、ケース から出たフレキシブルワイヤが制御電極(ゲート) です。このサイリスタは、可動部に使用できることが特 徴です。

サイリスタAS ENERGITMには次のような特長があります:低い静的損失と動的損失、高い値のVDRM/VRRM、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲と100~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然冷却または強制空冷。

仕様とパラメータ、データシートPDF、寸法、図面を以下に示します。

サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する際には、必要に応じ て技術パスポートと適合証明書を発行します。

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位相制御スタッドサイリスタの最終価格は、電圧ク ラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払 形態によって異なります。

OLD の一般的な仕様 品番 位相制御スタッド サイリスタ インフィニオンと交換:

サイリスタ仕様 T210N
最大許容平均順電流(ケース温度) IT(AV)M (TC) 210 A (100ºC)
繰り返しパルス閉状態電圧;繰り返しパルス逆電圧 VDRM/VRRM 200-600 V
RMS オン状態電流 ITRMSM 330 A
オン状態のサージ電流 ITSM 5.5 kA
安全係数 I2t 151 kA2·s
しきい値電圧 VT0 0.80 V
オンステート傾斜抵抗 rT 0.85 mΩ
オン状態電流の臨界上昇率 (diT/dt)cr 200 A/µs
ターンオフ時間、最大 tq 200 µs
オフ電圧臨界上昇率 分 (dVD/dt)cr 1000 V/µs
ゲートトリガ直接電圧、最大 VGT 1.4 V
ゲートトリガ直流電流、最大 IGT 150 mA
pn接合の温度 Tvj max 140 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 0.1500 ºC/W
寸法 mm 210SW27M12
交換 AS ENERGITM タイプ ATS210N
データシート PDF

位相制御サイリスタの部品番号ガイド:

A TS 210 N 6 E O F
A brand AS ENERGITM
TS 製品グループ サイリスタスタッド.
210 平均オン状態電流 IT(AV), Amp.
N 位相制御装置.
6 電圧クラス VRRM / 100.
E ハウジング(パッケージ)タイプ:スタッドハウジング.
O ターンオフ時間tq:保証なし.
F dv/dtクラス:
С: 500 V/μs
F: 1000 V/μs
H: 2000 V/μs

パワースタッドサイリスタの極性(アノード、カソード、ゲート:

Thyristor polarity スタッドサイリスタ

ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


パワースタッド取付けサイリスタの設置推奨事項:

ヒートシンク付きスタッドサイリスタの組み立て

全温度範囲にわたるサイリスタとクーラーの合わせ面間の熱伝達と電気的接触の信頼性は、適切なトルクによって確保されます。

組み立てる前に、目視検査  (1)接触面に機械的な損傷がないか、(2)アルコール(トルエン、ガソリン、アセトン)を染み込ませて拭く必要があります。

熱伝導のパラメーターを改善するには、潤滑することをお勧めします  (3)取り付けの必須条件ではありませんが、組み立ての前にシリコーン熱伝導性ペーストの薄い層。

取り付け後、ファスナー(ナットとワッシャー)は腐食しないように追加で固定する必要があります。


パワーサイリスタに関するヒントと推奨事項:

パワー用サイリスタは、すべてのパラメータに対 して、限界負荷で長時間動作させ るべきではありません。この場合、安全係数は装置に要求される信頼性の程度によって決まります。

故障した電源サイリスタを、交換するサイリスタのパラメー タに適合するサイリスタと交換する。

周囲温度が高い環境で使用する場合は、過冷却を行う必要があります。

適切な熱放散を確保するため、パワーサイリスタとクーラーの定期的な清掃を行い、ほこりや汚れを取り除くことを推奨します。

並列に接続されたパワーサイリスタ間の電流を等しく するために、誘導分流器(多くの場合、撚りトロイ ダル線)を使用する必要があります。最も一般的な接続方法は、閉回路、 コモンコイル回路、パワーサイリスタです。この場合の分流器の効率は、磁性線の断面積で決まります。

電力用サイリスタを直列に接続した場合の電圧アン バランスの防止は、各サイリスタに並列に接続したシャ ント抵抗を使用することで実現します。各サイリスタに並列にコンデンサを接続すること で、過渡状態での電圧均一化を図ります。

デバイスの電圧不足

動作中の高電圧下のパワーサイリスタに触れることは厳禁です。


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


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