分散型ゲートサイリスタ R0633YS12E(R216SH12) ウエストコード製交換品

ウエストコード品番 R0633YS12E
ウエストコード OLD 品番 R216SH12
平均オン状態電流, IT(AV)M (TC) 633A (55ºC)
電圧, VDRM 1200 V
ターンオフ時間 tq 25 µs
パッケージ
寸法 ØDxØdxH
パッケージ W9
42x25x15 mm
データシート
交換 AS ENERGITM ATDR0633YS12E
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分散型ゲートサイリスタ ATDR0633YS12E AS ENERGITM は、分散型ゲートサイリスタ R0633YS12E 英国ウエストコード、リテルヒューズ、旧品番 R216SH12 ウエストコードの代替、アナログ、代替、同等の半導体デバイスです。

平均オン状態電流 ITAV633A, 繰り返しピーク順電圧 VDRM1200V, オフ時間 tq25 µs.

特長: 分散ゲート設計とライフタイム制御機能により、これらのデバイスは、オン状態の電圧降下を低く維持しながら、高いdi/dt能力と高速で低回復のターンオフの両方を実現します。

分散型ゲートサイリスタは、ブロッキング電圧が4.5kV、平均電流が5.3kAを超え、tq定格が10µsから利用できます。

分散型ゲートサイリスタは、誘導電源、高周波インバータ/コンバータ、UPS、パルス電源に適しています。

"ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ" サイリスタ冷却用も注文可能。

サイリスタAS ENERGITMには次のような特長があります:低い静的損失と動的損失、高い値のVDRM/VRRM、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲と10~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然空冷または強制空冷。

R0633YS12E, R216SH12および交換用ATDR0633YS12Eの技術仕様とパラメータ、データシートPDF、外形図および寸法は以下のとおりです。

サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する際、必要に応じ技術パ スポートと適合証明書を発行します。

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分布型ゲートサイリスタの最終価格は、電圧クラス、 数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によっ て異なります。

分散ゲート型サイリスタWESTCODEの一般仕様と代替品:

サイリスタ仕様 R0633YS12E
(R216SH12)
平均オン電流(ケース温度) IT(AV)M (TC) 633 A (55ºC)
繰り返しピークオフ電圧 VDRM 1200 V
繰り返しピーク逆電圧 VRRM 1200 V
オン状態のサージ電流 ITSM 6300 A
安全係数 I2t 199x103 A2·s
ターンオフ時間 tq 25 µs
回収された料金 Qra 85 µC
オン状態のピーク電流 ITM 125 A
オン状態電流の臨界上昇率 -di/dt 40 A/µs
しきい値電圧 VT0 1.250 V
オンステート傾斜抵抗 rT 0.614 mΩ
pn接合の温度 Tvj max 125 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ヒートシンク Rth(j-k) 0.050 K/W
重量 W 90 g
パッケージ(ハウジング) タイプ W9
寸法 ØDxØdxH 42x25x15 mm
交換 AS ENERGITM タイプ ATDR0633YS12E
データシート PDF

分散ゲート型サイリスタの部品番号ガイド:

A TDR 0633 YS 12 E
A brand AS ENERGITM
TDR 製品グループ 分散ゲート型サイリスタ(ディスクタイプ).
0633 平均オン状態電流 IT(AV), Amp.
YS ハウジング(パッケージ)タイプ.
12 オフ状態電圧コード VDRM / 100.
E オフタイムコード tq:
A = 10 μs, B = 12 μs, C = 15 μs, D = 20 μs, E = 25 μs, F = 30 μs,
G = 35 μs, H = 40 μs, J = 50 μs, K = 60 μs, L = 65 μs, M = 70 μs,
N = 100 μs, P = 120 μs, R = 140 μs, S = 160 μs, T = 200 μs, V = 250 μs, W = 300 μs.

サイリスタR0633YS12E (R216SH12)と交換用ATDR0633YS12Eの寸法:

R0633YS12E (R216SH12) dimensions

パッケージ W9


パワーディスクサイリスタの極性(アノード、カソード、ゲート):

Thyristor polarity ディスクサイリスター

ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールでお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


パワーディスクサイリスタ用ヒートシンク:

ヒートシンク(ラジエーター)は、ディスク設計においてパワー半導体デバイスの片面および両面冷却に使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

サイリスタ冷却用の空気および水ヒートシンクも注文可能。

ヒートシンクについての詳細はこちらをご覧ください: "ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ".


位相制御サイリスタSCRの写真:


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


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