MCC56-18IO1B デュアル サイリスタモジュール (60A 1800V) IXYS 交換

IXYS 部品番号 MCC56-18IO1B
平均順電流, IT(AV) 60A
電圧, VRRM 1800V
パッケージ
寸法 L×B×H
TO-240AA-1B
92x20x30 mm
データシート データシート
交換 AS ENERGITM ASMCC56-18-IO1B
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デュアル サイリスタモジュール ASMCC56-18-IO1B AS ENERGITM は、ディスクリート半導体サイリスタモジュールの代替、アナログ、代替品です MCC56-18IO1B IXYS, 別名 Littelfuse または Westcode.

平均順電流 ITAV18 アンペア, 繰り返しピーク逆電圧 VRRM800V. 2位置サイリスタ・サイリスタ・モジュール MCC56-18IO1B を持つ ハーフブリッジ スイッチング回路(カソード-アノード共通).。

サイリスタ・モジュールは、高い電気的・熱的サイクル耐量が特徴で、集中的な動作モードにおける高信頼性と長寿命、低リーク電流、順方向電圧降下を意味します。サイリスタモジュールは業界標準のハウジングに収納されているため、既存の機器への組み込みが容易です。

デュアル サイリスタ・モジュールは、単相および三相ブリッジ構成用の電源および制御ユニット、電力調整器、AC調整器、DCモーター制御、ACモーター・ソフトスターター、コンバーター、高炉や化学プロセスの制御装置、溶接装置、ACコンバーターなど、さまざまな電力機器に使用されています。

当社のモジュールは、ほとんどすべての位相制御または整流器アプリケーション向けに、いくつかのデュアルおよびシングル・デバイス・トポロジーで提供されています。

当社は、以下の品質保証を提供しています デュアル サイリスタ・モジュールは購入日から2 年。供給する場合 デュアル サイリスタモジュールは、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

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デュアル・サイリスタ・モジュールの最終価格は、クラ ス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態に よって異なります。

一般仕様 デュアル サイリスタモジュール MCC56-18IO1B IXYS と交換:

サイリスタモジュール仕様 MCC56-18IO1B
最大許容平均順電流(ケース温度) ITAV 60 A
繰り返しパルス逆電圧 VRRM 1800 V
サージ電流 ITSM 1500 A
最大実効オン状態電流 IT(RMS) 100 A
安全係数 I2t 11.3 kA2·s
しきい値電圧 VT(TO) 0.85 V
実効電流 IRMS 200 A
斜面抵抗 rT 3.70 mΩ
ターンオフ時間 tq 150 μs
ゲートトリガ電圧 VGT 1.5 V
ゲートトリガ電流 IGT 100 mA
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(JC) 0.45 K/W
ケースとヒートシンクの熱抵抗 Rth(CH) 0.20 K/W
デザイン(スイッチ) - デュアル コンポーネント
タイプ(回路図) - サイリスターサイリスター
重量 W 81 g
パッケージ
寸法, mm
L×B×H TO-240AA-1B
92x20x30 mm
取付トルク MD 2.5-4 Nm
交換 AS ENERGITM タイプ ASMCC56-18-IO1B
データシート PDF データシート

部品番号ガイド デュアル サイリスタモジュール ASMCC56-18-IO1B:

AS M CC 56 18 I O 1B
AS brand AS ENERGITM
M 製品グループ ディスクリート半導体モジュール.
CC 回路トポロジー:2個のサイリスタによるハーフブリッジ(カソード-アノード).
56 平均電流定格 ITAV, A.
18 電圧コード x 100 = VRRM.
I クリティカル dv/dt 1000 V/μs.
O 典型的なターンオフ時間.
1B バージョン品番.

寸法 デュアル サイリスターモジュール MCC56-18IO1B 交換 ASMCC56-18-IO1B:

MCC56-18IO1B 寸法

TO-240AA-1B


AS ENERGIのハイパワー半導体

同社は幅広いパワー半導体(サイリスタ、ダイオード、モジュール)を製造している。
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パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


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