中電流ダイオードD22-20-10、スタッドタイプ、クバララミナ交換用

クバラ・ラミナ品番 D22-20-10
平均順電流, IF(AV)M (TC) 20A (110ºC)
電圧, VRRM 1000V
スタッドスレッド M5x0.8
データシート
交換 AS ENERGITM ADM22-20-10
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中電流ダイオード ADM22-20-10 スタッド設計のAS ENERGITMは、ノーマルリカバリーダイオードD22-20-10クバラ・ラミナの代替、アナログ、代替、同等の半導体デバイスです。

平均順電流 IFAV20 アンペア, 繰り返しピーク逆電圧 VRRM1000V. "スタッド装置用空冷ヒートシンクOシリーズ" ダイオード冷却用も注文可能。

ダイオードの冷却には空気と水のヒートシンクが使用される。 ヒートシンクとの信頼性の高い熱的・電気的接触を実現するため、組み立て時には締め付けトルクMdを守る必要があります。 組み立て時のダイオードの放熱を良くするため、熱伝導性ペーストを使用する(これは推奨事項であり、取り付けの前提条件ではない)。

特長: 全面拡散設計、大電流対応、高サージ電流対応、小型・軽量、IEC規格に準拠。

整流ダイオードAS ENERGITMの特長は、業界標準の筐体、低静的および動的損失、高いVRRM/VRSM値、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲、10~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性です。

D22-20-10および交換用ADM22-20-10の技術仕様およびパラメータ、データシートPDF、外形図および寸法図は以下のとおりです。

当社は整流ダイオードの購入日から2年間の品質保証を提供しています。ダイオードを供給する際、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

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スタッド設計における整流ダイオードの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

中電流ダイオード(スタッドタイプ)クバララミナの一般仕様と交換について:

ダイオード仕様 D22-20-10
最大許容平均順電流(ケース温度) IF(AV)M (TC) 20 A (110ºC)
最大繰り返しピーク逆阻止電圧 VRRM 1000 V
サージピーク順電流 IFSM 0.275 kA
安全係数 I2t 0.378 kA2·s
しきい値電圧 VF(T0) 1.15 V
前方斜面抵抗 rT 7 mΩ
最大順方向電圧降下 VFM 1.5 V
順方向オン状態電流 IFM 50 A
pn接合の温度 Tvj -25...+160 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(JC) 1.5 °C/W
取付トルク Md 1.2-1.5 Nm
重量 W 7 g
パッケージ(ハウジング) タイプ 1
スタッドスレッド Ød M5x0.8
交換 AS ENERGITM タイプ ADM22-20-10
データシート PDF

中電流ダイオード ADM22-20-10 の部品番号ガイド:

A DM 2 2 20 10
A brand AS ENERGITM
DM 製品グループ 整流ダイオード(スタッドタイプ).
2 要素サイズコード.
2 ケースタイプコード
1 – スタッドベース、セラミックハウジング
2 – スタッドベース、ガラス金属ハウジング
3,5 – セラミック、ホッケープクケース
4 – フラットベース、セラミックハウジング
6 – フラットベース、ガラス金属ハウジング
20 開放状態の平均電流 IT(AV), Amp.
10 電圧クラス VRRM / 100.

ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでの幅広いパワー半導体(パワーダイオード、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ローターダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクの製造・販売を行っています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールでお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


パワースタッドダイオード用ヒートシンク:

スタッド設計では、パワー半導体デバイスの冷却にヒートシンク(ラジエーター)が使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

ヒートシンクについての詳細はこちらをご覧ください: "スタッド装置用空冷ヒートシンク".


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


注目の製品

 

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Selected Products:

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