分散ゲートサイリスタ TG 919-1400-25 (760A 2500V) ČKD セミコンダクターズ 交換用

ČKD半導体 部品番号 TG919-1400-25
平均オン電流 IT(AV)M 760A
電圧, VDRM 2500V
パッケージ
寸法
P63G
100x63x26 mm
データシート
交換 AS ENERGITM ATG 919-1400-25
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分散ゲートサイリスタ ATG 919-1400-25 AS ENERGITM は、分散ゲートサイリスタTG 919-1400-25 ČKD Polovodiče (CKD 半導体)の代替、アナログ、代替、および同等の半導体デバイスです。

平均オン電流 ITAV760A, 繰り返しピーク順電圧 VDRM2500V.

特長: 分散ゲート設計とライフタイム制御機能により、これらのデバイスは、オン状態の電圧降下を低く維持しながら、高いdi/dt能力と高速で低回復のターンオフの両方を実現します。

分散型ゲートサイリスタは、ブロッキング電圧が4.5kV、平均電流が5.3kAを超え、tq定格が10µsから利用できます。

分散型ゲートサイリスタは、誘導電源、高周波インバータ/コンバータ、UPS、パルス電源に適しています。

"ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ" サイリスタ冷却用も注文可能。

サイリスタAS ENERGITMには次のような特長があります:低い静的損失と動的損失、高い値のVDRM/VRRM、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲と10~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性、自然空冷または強制空冷。

TG 919-1400-25および交換用ATG 919-1400-25の技術仕様およびパラメータ、データシートPDF、外形図および寸法は以下のとおりです。

サイリスタの品質保証は購入日から2年間です。サイリスタを供給する際には、必要に応じ て技術パスポートと適合証明書を発行します。

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分布型ゲートサイリスタの最終価格は、電圧クラス、 数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によっ て異なります。

分散ゲート型サイリスタČKDポロボジッチェの一般仕様と交換:

サイリスタ仕様 TG919-1400-25
平均オン電流(ケース温度) IT(AV)M 760 A
繰り返しピークオフ電圧 VDRM 2500 V
繰り返しピーク逆電圧 VRRM 2500 V
オン状態のサージ電流 ITSM 14 kA
ピーク・ターン・オフ電流 ITGQM 1400 A
オフ電圧の臨界上昇率 dv/dt 1000 V/µs
オン状態電流の臨界上昇率 di/dt 400 A/µs
しきい値電圧 VT0 1.817 V
オンステート傾斜抵抗 rT 1.189 mΩ
オン状態の最大ピーク電圧 VTM 3.780 V
オン状態の最大ピーク電流 ITM 1400 A
ゲートトリガ電圧 VGT 1.5 V
ゲートトリガ電流 IGT 1.6 A
pn接合の温度 Tvj max 125 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 18 K/W
取り付け力 Fm 15 ± 3 kN
重量 W 0.82 kg
パッケージ(ハウジング) タイプ P63G
寸法 ØDxØdxH 100x63x26 mm
交換 AS ENERGITM タイプ ATG 919-1400-25
データシート PDF

分散ゲート型サイリスタ ATG 919-1400-25 の部品番号ガイド:

A TG 919 1400 25
A brand AS ENERGITM
TG 製品グループ 分散型ゲートサイリスタ.
919 サイリスタシリーズ.
1400 平均オン電流 IT(AV), Amp.
25 オフ電圧コード VDRM / 100.

分散ゲート型サイリスタTG 919-1400-25と交換用ATG 919-1400-25の寸法:

TG919-1400-25 dimensions

パッケージ P63G


ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


パワーディスクサイリスタ用ヒートシンク:

ヒートシンク(放熱器)は、ディスク構造においてパワー半導体部品の片面または両面を冷却するために使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製で、異なる気候条件下で使用する場合でも追加の保護コーティングは不要です。

サイリスタ冷却用の空気および水ヒートシンクも注文可能。

ヒートシンクの詳細については、「ヒートシンク」を参照: "ディスクドライブ用Oシリーズ空冷ヒートシンク", "エアクーラー SFシリーズ", "SSシリーズ水ヒートシンク".


Photo du thyristor à contrôle de phase SCR:


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


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