溶接ダイオード SKN 7500/06 Semikron 交換用

セミクロン品番 SKN 7500/06
平均順電流, IF(AV)M (TC) 7500A (85ºC)
電圧, VRRM 600 V
寸法 ØDxØdxH 49.5x47.5x5 mm
データシート
交換 AS ENERGITM ADWN 7500-06
データシート AS ENERGITM ADWN 7500-06 データシート
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溶接ダイオード ADWN 7500-06 AS ENERGITMは、ディスク型溶接ダイオードSKN 7500/06セミクロンの代替、アナログ、代替、同等の半導体デバイスです。 平均順電流 IFAV7500 アンペア, 繰り返しピーク逆電圧 VRRM600V.

溶接ダイオードの特長: 高い平均順方向電流を伝導する能力により、並列デバイスの数を減らすことが可能; 電気的および熱的サイクルに対する高い耐性により、長寿命を実現; 静的損失を最小限に抑える; 高い最大接合温度(Tjmax)により、同じ冷却システムでより高い電流を伝導することが可能; 両面冷却の可能性; 大電流整流器用に最適化; 非常に低い熱抵抗; 中周波および高周波溶接装置用に設計。 ダイオード冷却用の空気および水ヒートシンクも注文可能。

整流ダイオードAS ENERGITMは、業界標準の筐体、低い静的損失と動的損失、VRRM/VRSMの高い値、様々な産業での豊富な使用実績、100~9000Vの電圧範囲と100~7500Aのアンペア数、熱サイクルや電気サイクルに対する高い耐性などの特徴があります。

仕様とパラメータ、データシートPDF、寸法、図面は以下のとおりです。

弊社は溶接ダイオードの購入日から2年間の品質保証を提供します。ダイオードを供給する際、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

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溶接ダイオードの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

溶接ダイオード SKN 7500/06 Semikron の一般仕様および交換:

ダイオード仕様 SKN 7500/06
最大許容平均順電流(ケース温度) IF(AV)M (TC) 7500 A (85ºC)
最大繰り返しピーク逆阻止電圧 VRRM 600 V
最大順電圧 (IF=5000A, Tj=25°C) VF MAX 1.3 V
サージピーク順電流 IFSM 60 kA
しきい値電圧 VT(TO) 0.7 V
前方斜面抵抗 rT 0.038 mΩ
pn接合の温度 Tvj max 180 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 0.009 K/W
クランプ力 Fm ±10% 24-30 kN
重量 W 0.078 g
パッケージ(ハウジング) type E28
寸法 ØDxØdxH 49.5x47.5x5 mm
交換 AS ENERGITM タイプ ADWN 7500-06
データシート PDF
データシート AS ENERGITM PDF ADWN 7500-06 データシート

溶接ダイオードの部品番号ガイド:

A DWN 7500 06
A brand AS ENERGITM
DWN 製品グループ ダイオード溶接
7500 平均オン電流 IF(AV), Amp.
06 電圧クラス VRRM / 100.

パワー整流ディスクダイオードの極性(アノード、カソード):

Diode polarity Disc diodes

モジュール ADWN 7500-06 データシート:

PDFモジュールADWN 7500-06のデータシートをダウンロードする


ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


パワー整流ディスクダイオード用ヒートシンク:

ヒートシンク(ラジエーター)は、ディスク設計においてパワー半導体デバイスの片面および両面冷却に使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

整流ダイオード冷却用エアヒートシンクおよびウォーターヒートシンクのご注文も承ります。

ヒートシンクについての詳細はこちらをご覧ください: "ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ".


溶接ダイオードの写真:


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


注目の製品

 

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