標準リカバリダイオード VS-150K20A、スタッドタイプ、Vishay 交換用

ビシェイ部品番号 VS-150K20A
平均順電流, IF(AV)M (TC) 150A (150ºC)
電圧, VRRM 200 V
スタッドスレッド 3/8"-24UNF-2A
データシート
交換 AS ENERGITM ASDS150K20A
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整流ダイオード ASDS150K20Aスタッド設計のAS ENERGITMは、ノーマルリカバリーダイオードVS-150K20A Vishay Semiconductorsの代替、アナログ、代替、および同等の半導体デバイスです。

平均順電流 IFAV150 アンペア, 繰り返しピーク逆電圧 VRRM200V. "スタッド装置用空冷ヒートシンクOシリーズ" ダイオード冷却用も注文可能。

ダイオードの冷却には空気と水のヒートシンクが使用される。 ヒートシンクとの信頼性の高い熱的・電気的接触を実現するため、組み立て時には締め付けトルクMdを守る必要があります。 組み立て時のダイオードの放熱を良くするため、熱伝導性ペーストを使用する(これは推奨事項であり、取り付けの前提条件ではない)。

標準回復ダイオードの特長:ライン周波数に最適化、低オン状態損失、高逆電圧および高電流処理能力、プレスパック標準セラミックハウジング、高出力産業および送電用途向けに設計。主な用途は、大型ACドライブ用整流器、アルミ精錬、その他金属精錬、トラックサイド電源などです。

整流ダイオードAS ENERGITMの特長は、業界標準の筐体、低静的および動的損失、高いVRRM/VRSM値、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲、10~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性です。

VS-150K20Aと交換用ASDS150K20Aの技術仕様とパラメータ、データシートPDF、外形図と寸法は以下のとおりです。

当社はダイオードの品質保証を購入日から2年間提供しています。ダイオードを供給する際、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

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スタッド設計の標準リカバリーダイオードの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

標準リカバリーダイオード(スタッドタイプ)Vishayの一般仕様と交換用:

ダイオード仕様 VS-150K20A
最大許容平均順電流(ケース温度) IF(AV)M (TC) 150 A (150ºC)
最大繰り返しピーク逆阻止電圧 VRRM 200 V
サージピーク順電流 IFSM 3570 A
安全係数 I2t 64 kA2·s
しきい値電圧 VF(T0) 0.83 V
前方斜面抵抗 rT 0.91 mΩ
pn接合の温度 Tvj max 200 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ケース Rth(j-c) 0.023 K/kW
取り付けトルク、無潤滑スレッド Md± 10 % 14.1 Nm
重量 W 100 g
パッケージ(ハウジング) タイプ DO-8 (DO-205AA)
スタッドスレッド Ød 3/8"-24UNF-2A
交換 AS ENERGITM タイプ ASDS150K20A
データシート PDF

標準回復ダイオードの部品番号ガイド:

AS DS 15 0 K 20 A
AS brand AS ENERGITM
DS 製品グループ: ダイオードボルト.
15 必須品番.
0 標準装置.
K ケースの種類 B-42.
20 電圧コード x 10 = VRRM.
A 必須品番.

スタッドダイオードの極性(アノード、カソード)と寸法:

ダイオードの極性 VS-150K20A Dimensions

ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでの幅広いパワー半導体(パワーダイオード、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ローターダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクの製造・販売を行っています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


パワースタッドダイオード用ヒートシンク:

スタッド設計では、パワー半導体デバイスの冷却にヒートシンク(ラジエーター)が使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

ヒートシンクについての詳細はこちらをご覧ください: "スタッド装置用空冷ヒートシンク".


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


注目の製品

 

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