ファストリカバリダイオード M1502NC200 IXYS Westcode 交換用

IXYS ウエストコード品番 M1502NC200
平均順電流, IF(AV)M (TC) 1502A (55ºC)
電圧, VRRM 2000 V
パッケージ、寸法 ØDxØdxH パッケージ W5
74x47x27 mm
データシート
交換 AS ENERGITM ADDM1502NC200
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高速回復ダイオード ADDM1502NC200 AS ENERGITMは、標準的なファストリカバリダイオードM1502NC200 IXYS UK Westcode、Littelfuseの代替、アナログ、代替、および同等の半導体デバイスです。

平均順電流 IFAV1502 アンペア, 繰り返しピーク逆電圧 VRRM2000V.

特長:ライン周波数に最適化、高サージ能力、低回復充電、低逆回復時間、高スイッチング速度、高逆電圧および高電流処理能力。 高速回復ダイオードは、ゲートターンオフや高速サイリスタ・インバータで使用されるアンチパラレル・ダイオードや、チョッパ用ダイオードとして特に適しています。

"ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ" サイリスタとダイオードの冷却用も注文可能。

整流ダイオードAS ENERGITMの特長は、業界標準の筐体、低静的および動的損失、高いVRRM/VRSM値、さまざまな産業での豊富な使用実績、100~9000 Vの電圧範囲、10~15000 Aのアンペア数、熱サイクルおよび電気サイクルに対する高い耐性です。

M1502NC200および交換用ADDM1502NC200の技術仕様とパラメータ、データシートPDF、外形図および寸法を以下に示します。

弊社は高速回復ダイオードの購入日から2年間の品質保証を提供します。ダイオードを供給する際、必要に応じて技術パスポートと適合証明書を提供します。

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高速リカバリーダイオードの最終価格は、電圧クラス、数量、納入条件、メーカー、原産国、支払形態によって異なります。

ファストリカバリダイオードIXYS WESTCODEおよび代替品の一般仕様:

ダイオード仕様 M1502NC200
最大許容平均順電流(ケース温度) IF(AV)M (TC) 1502 A (55ºC)
最大繰り返しピーク逆阻止電圧 VRRM 2000 V
サージピーク順電流 IFSM 17000 A
安全係数 I2t 1.45x106 A2·s
逆回復時間 trr 3.50 µs
回収された料金 Qrr 350 µC
順電流 IFM 1000 A
順方向電流の臨界上昇率 -diF/dt 60 A/µs
しきい値電圧 VT0 1.240 V
斜面抵抗 rT 0.440 mΩ
pn接合の温度 Tvj max 150 ºC
熱抵抗、ジャンクション対ヒートシンク RthJK 0.0220 K/W
クランプ力 Fm 19 - 26 kN
重量 W 0.51 kg
パッケージ(ハウジング) タイプ W5
寸法 ØDxØdxH 74x47x27 mm
交換 AS ENERGITM タイプ ADDM1502NC200
データシート PDF

高速リカバリーダイオードの部品番号ガイド:

A DDM 1502 NC 20 0
A brand AS ENERGITM
DDM 製品グループ ダイオードディスクタイプ、高速回復ダイオード.
1502 平均順電流 IF(AV), Amp.
NC ハウジング(パッケージ)タイプ.
20 電圧クラス VRRM / 100.
0 修正コード.

ファストリカバリダイオード M1502NC200 および交換用 ADDM1502NC200 の寸法:

dimensions M1502NC200

パッケージ W5


パワー整流ディスクダイオードの極性(アノード、カソード):

Diode polarity Disc diodes

ハイパワー半導体 AS ENERGITM

当社は、電流15000A、電圧9000Vまでのパワー半導体(パワーサイリスタ、モジュール、整流ダイオード、アバランシェダイオード、ロータダイオード、溶接ダイオード、トライアックなど)、およびそれらの空冷・水冷ヒートシンクを幅広く製造・販売しています。
半導体デバイスは数量に関係なく購入でき、大量注文の場合は価格が安くなります。お客様の信頼を得て、世界中に製品を供給しています。

パワーサイリスタ、ダイオード、モジュールの購入に関するご質問は、電子メールにて下記までお問い合わせください:

[email protected]

そして、私たちはあなたに配送のための商業的なオファーを提供します。
人数が多い場合は、個別価格となります!

私たちは、お客様のご要望と技術的課題に応じて、
私たちの生産設備で製品を製造することをオープンにしています。


フォトギャラリー

フォトギャラリーでは、AS ENERGITMが製造したさまざまな半導体デバイス、半導体チップ、SCR、テストレポートの例をご覧いただけます。


パワー整流ディスクダイオード用ヒートシンク:

ヒートシンク(ラジエーター)は、ディスク設計においてパワー半導体デバイスの片面および両面冷却に使用される。

クーラーのヒートシンクはアルミニウム製ラジエータープロファイルでできており、さまざまな気候条件下で使用する場合、追加の保護コーティングは必要ありません。

整流ダイオード冷却用の空気および水ヒートシンクも注文可能。

ヒートシンクについての詳細はこちらをご覧ください: "ディスク装置用空冷ヒートシンクOシリーズ", "エアヒートシンク SFシリーズ", "水冷ヒートシンクSSシリーズ".


整流ダイオードの写真:


icon AS ENERGITMを選ぶ理由

  • 半導体シリコンチップ製造を含む自社生産設備
  • ヨーロッパブランド - 100%の品質、有利な価格、短い生産期間
  • 半導体業界で20年以上の経験
  • 世界50カ国以上のお客様から信頼をいただいています。
  • 10Aから15000Aまでの電流、100Vから9000Vまでの電圧に対応する20000アイテムの製品ラインアップ
  • 他社製品の類似品を製造している
  • 品質保証、動作保証期間2年

 

品質保証

私たちの製品は認証を受けており、国際規格に対応しています。
当社は2年間の製品品質保証を提供します。
お客様のご要望に応じて、適合証明書、信頼性レポート、データシート、テクニカルパスポートを提供します。

Certificates

各製品は主要なパラメータについてテストされ、各製品のパラメータのテストレポートが提供される。

Test Report

パートナーシップの地理

AS ENERGITM社はパワー半導体を製造し、世界50カ国以上に供給しています。

Geography

物流と配送

私たちは、物流会社のサービスを利用して世界中に製品をお届けしています: DHL、TNT、UPS、EMS、Fedex、Aramex。
製品は、航空、海上、鉄道、道路など、あらゆる輸送手段で配送することができる。

Logistics

AS ENERGITM 半導体製造

当社の製品範囲は、整流ダイオード、ディスクおよびスタッド設計の位相制御サイリスタ、アバランシェダイオードおよびサイリスタ、高速スイッチング、高周波サイリスタ、高速リカバリ、溶接およびロータダイオード、トライアック、ブリッジ整流器、パワーモジュール(サイリスタ、ダイオード、サイリスタダイオード、IGBT)、およびそれらに空気と水のヒートシンクを含みます。

パワーダイオードとサイリスタは、10Aから15000Aの電流、100Vから9000Vの電圧範囲で製造されています。
パワーダイオードとサイリスタモジュールは、25Aから最大1250A、電圧範囲400Vから4400Vまで製造されています。
パワー半導体のラインナップには、世界的メーカーの同等品、代替品、アナログ、代替半導体デバイスも含まれる。


注目の製品

 

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